移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。     

无机高分子絮凝剂聚硫酸铁合成条件的研究

实验研究了以工业硫酸亚铁及废硫酸为原料,分别采用NaClo_3、KClO_3、H_2O_2及(o_2+NaNO_2)为氧化剂成聚硫酸铁的条件。在以(O_2+NaNO_2)为氧化剂的合成过程中,发现添加微量助催化剂(型号为HG-1、HG-2和HG-3),对提高合成速度及反应过程的稳定性具有重大作用。     

废钢铁代用品

优质钢材的冶炼和高水平操作指标的获得需要优良的原料作保证。直接还原铁，碳化铁和脱碳粒铁作为废钢铁代用品，已显示出其价格和品质上的优越性，并弥补了废铁数量的不足，但因其各有自身的特点，故研究其理化性质和使用性能，将为大规模生产和使用创造必要的条件。     

大坝安全监控专家系统中的知识处理

在介绍产生式规则及其数学模型的基础上，论述了用成熟的关系数据库 技术来表示和存储产生式规则表示的专家知识的方法，较好地解决了知识的存储和管理问题 。同时，利用关系数据库中实体间的关系，很容易将分散存储的规则元素组合成规则供推理 时使用。在分析了大坝安全监控专家系统知识特点的基础上举例说明了用关系数据库表 示产生式规则的具体方法。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

8Li次级束的产生

在北京串列加速器次级束流线上通过2 H(7Li,8Li) 1H逆运动学反应产生了用于核天体物理研究的8Li次级束。准直后的次级束纯度达到 80 %以上 ,对于 44MeV的7Li强度约为 3 0s- 1·pnA- 1,可以用来进行逆几何转移反应的实验测量。     

沸石加氢处理催化剂的制备方法

考察了渣油加氢处理催化剂制备过程中引入一种低硅铝比沸石的情况，它不仅提高催化剂的酸性，而且由于引入的分子筛孔径集中，最终使催化剂具有集中的孔分布，弥补了制备高活性催化剂采用混捏法的不足，制备出来的催化剂性能更优异。     

联产供冷与电力供冷能耗比较分析

文中将两种供冷能耗比较分解成用电煤耗差、用热煤耗量、增加产汽用电煤耗量三部分进行分析，按照热量法得出在目前一般情况下联产供冷比电力供冷通常费能和定性定量结论，为全面研究比较热电冷联产与分产的能耗奠定一个基础。     

浅析2020年前美军事战略重点的转变--从装备发展看美国军事战略重点可能的变化

美国21世纪前期的军事战略重点将是争夺外空优势，夺取制天权和制信息权。分析了美国夺取外空优势的原因，及其为夺取外空优势在国家政策、航天发展和技术准备等方面采取的措施。