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991.
利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同氧流量下ITO和ITO∶Zr薄膜性能的变化.Zr的掺入促进薄膜晶化的同时也导致了(400)晶面取向的加强,ITO∶Zr比ITO薄膜具有较低的表面粗糙度.氧流量的上升降低了方阻和载流子浓度,ITO∶Zr薄膜具有更高的载流子浓度.一定范围的氧流量可以改善薄膜的可见光透过率,但过量的氧却使得薄膜的光学性能变差.通过直接跃迁的模型得出ITO∶Zr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带.共溅法制备的ITO∶Zr薄膜比ITO薄膜表现出更好的光电性能. 相似文献
992.
993.
994.
以雷达电子战系统仿真与评估为应用背景,基于信号级建模仿真方法和通用化、模块化设计思想,构建了适用于多种雷达电子战系统仿真应用的通用雷达杂波仿真系统,介绍了系统的设计与实现方法,给出了其中的关键仿真模型。该系统能够对固定平台和运动平台下雷达所接收的地/海杂波以及气象杂波进行信号级模拟。最后给出了仿真结果,验证了该系统的有效性。 相似文献
995.
996.
在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器.实测结果显示在5 mW本振功率的驱动下,在328 GHz可得到最小变频损耗10.4 dB,在320~340 GHz范围内,单边带变频损耗小于14.7 dB. 相似文献
997.
高增益探测对InGaAs焦平面探测器在微光夜视条件下成像有重要意义.设计了一款InGaAs焦平面用的高增益低噪声64×64元读出电路.读出电路输入级采用CTIA模式(电容负反馈放大),通过计算发现输入级运算放大器热噪声是主要噪声源,采用单端替代差分运放将输入级噪声降低26%.同时,研究积分电容和增益、满阱容量、噪声的关系,将积分电容降低到1 fF,实现了超高增益和低噪声探测.读出电路采用0.18?m工艺设计,像元中心距为30?m.经过PEX(寄生参数提取)参数提取,实际积分电容为0.94 fF,经过测试芯片整体功耗低至24.1 mW,电路噪声电子数为4.37e. 相似文献
998.
Wireless Networks - The rapidly increasing use of mobile devices and the explosive growth of wireless traffic demands continuously drive the development of wireless networks. IEEE 802.11ax, as the... 相似文献
999.
1000.