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81.
长链烯烃-苯烷基化反应的分子筛催化剂再生性能的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
通过热重分析和活性稳定性评定考察催化剂的再生性能。研究结果表明,进行氯气吹扫以及苯抽提后进行氮气吹扫两种预处理,导致失活催化剂的起燃点和烧焦反应活化能均有所提高,有利于控制烧焦反应速度。按苯抽提、氮气吹扫、烧焦的顺序,分三个阶段进行催化剂再生,再生催化剂的活性稳定性得到更充分的恢复。 相似文献
82.
对37名骨密度(BD)低下的飞行员(实验组)和BD正常的48名飞行员、100名地面人员(正常对照组)进行了BD和血清TT_3、TT_4、TSH IRMA、CT、PTH、E_2和T放射免疫测定。结果显示,实验组BD均值明显低于对照组(p<0.01),血清TT_3、TT_4、CT、E_2(女性)和T(男性)均值与对照组比较,大多数年龄存在着显著或非常显著差异(p<0.05或p<0.01)。同时对飞行人员BD与几种内分泌激素关系进行了探讨。 相似文献
83.
84.
85.
Mechanical activation before carbothermic reduction can substantially enhance the formation of SiC from SiO2 and carbon mixtures. However, the morphology (e.g., particles or whiskers) of SiC formed from mechanically activated SiO2 and carbon mixtures is dependent of the degree of mechanical activation and the condition of the subsequent carbothermic reduction. These phenomena are investigated and rationalized based on the increased reactivity of the reactants and SiC formation mechanisms. 相似文献
86.
本文介绍了一种对研究发动机燃烧过程有着重要应用价值的实验技术-时间分幅全息技术,本文就该技术中常常出现的重影问题做了重点研究,通过分析重影出现的根源,找到了一种消除重影的新方法,文章还举例说明了该技术在液体破碎机理问题保研究中的应用。 相似文献
87.
搪瓷釉料新颖添加剂铝溶胶任岳荣(浙江省明矾石综合利用研究所325028)NewAdditiveAluminaSolforGlazeofEnamel¥RenYuerong(ZhejiangInstituteofComprehensiveUtilizat... 相似文献
88.
简述了光纤通信在军事通信中的地位与作用,较全面介绍了陆、海、空军各领域的应用情况,阐明了军事通信对光纤通信元器件的要求和核爆炸对光纤通信的影响。 相似文献
89.
90.
Gillespie J.K. Fitch R.C. Sewell J. Dettmer R. Via G.D. Crespo A. Jenkins T.J. Luo B. Mehandru R. Kim J. Ren F. Gila B.P. Onstine A.H. Abernathy C.R. Pearton S.J. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(9):505-507
The low temperature (100°C) deposition of Sc2O3 or MgO layers is found to significantly increase the output power of AlGaN/GaN HEMTs. At 4 GHz, there was a better than 3 dB increase in output power of 0.5×100 μm2 HEMTs for both types of oxide passivation layers. Both Sc2 O3 and MgO produced larger output power increases at 4 GHz than conventional plasma-enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiNx passivation which typically showed ⩽2 dB increase on the same types of devices. The HEMT gain also in general remained linear over a wider input power range with the Sc2O3 or MgO passivation. These films appear promising for reducing the effects of surface states on the DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs 相似文献