采用单个相位调制器产生毫米波

实验研究了采用单个相位调制器(PM)产生毫米波的方案。该方案采用电混频器将射频(RF)信号与基带信号混频后再利用相位调制器产生双边带调制(DSB)信号,经光纤传输到基站后用一个光交叉复用器(IL)分离一阶边带和中心载波,一阶边带经过光电(O/E)检测器拍频产生两倍频于射频频率的毫米波,而中心载波可以作为上行链路载波重新利用。理论分析了该毫米波的传输性能,研究发现由于色散导致两个一阶边带时延不同,码元的占空比会随着传输距离的增加而减小,将限制毫米波的最大传输距离;实验中采用频率为20 GHz射频信号产生频率为40 GHz的毫米波,速率为2.5 Gbit/s的非归零(NRZ)码作为下行链路数据,经过20 km色散光纤传输后下行链路的功率代价为0.2 dBm。     

基于马赫-曾德尔调制器的先进调制格式的产生

提出了一种基于差分马赫-曾德尔调制器(MZM)产生80 Gbit/s高速率差分相移键控归零码(RZ-DPSK)、差分相移键控载波抑制归零码(CSRZ-DPSK)、差分正交相移键控归零码(RZ-DQPSK)、差分正交相移键控载波抑制归零码(CSRZ-DQPSK)的新方法.在采用两个差分MZM级联产生数据速率为80 Gbit/s的RZ/CSRZ-DPSK光信号的基础上,仅需增加一个双驱动MZM,就可以产生RZ/CSRZ-DQPSK信号,说明提出的方法有一定的扩展性,并简化了高速RZ/CSRZ-DQPSK光信号的产生过程.对产生的80 Gbit/s RZ/CSRZ-DPSK和RZ/CSRZ-DQPSK信号进行的仿真结果表明,CSRZ-DPSK信号比RZ-DPSK信号的频谱结构更加紧凑,差分正交相移键控(DQPSK)光谱形状与差分相移键控(DPSK)相同,只是由于RZ/CSRZ-DQPSK在码元速率下传输数据,得到的光谱在频域被压缩.     

三阶色散对拉曼频移的增强和抑制作用

基于光子晶体光纤(PCF)中脉冲演变遵循的非线性演化方程,用数值方法研究了三阶色散(TOD)对孤子拉曼自频移(RIFS)的影响.结果表明,在反常色散区,正的三阶色散对孤子拉曼自频移有抑制作用,而负的三阶色散却对频移有增强作用.当输入脉冲较窄,色散波产生的距离较短时,由于频谱反弹效应,三阶色散对频移增强的作用在光纤的零色散波长处会被抑制.输入脉冲的峰值功率和形状对拉曼频移被抑制所需光纤的长度有重要的影响.在正常色散区,三阶色散对拉曼频移的影响可忽略不计.     

超常介质中色散磁导率对时空不稳定性的影响

基于Drude模型研究了超常介质中的色散磁导率对时空不稳定性(STI)的影响,得到了具有赝五阶非线性效应和自陡效应情形下时空不稳定性增益谱的一般表达式.结果表明,在负折射区.对于自聚焦介质.赝五阶非线性使调制增长的频谱范围和增益值增大.而对于自散焦介质,作用则相反,这与常规介质中的现象不同;在正折射区,赝五阶非线性会抑制自聚焦介质中的时空不稳定性,与常规介质中的现象相同.此外,超常介质中自陡效应可能为负值,但无论自陡效应是正或负,都能抑制时空不稳定性的产生.     

氮对316L型不锈钢等离子弧焊接性能的影响

氮作为一种强奥氏体化元素,在不降低韧性的前提下可以提高材料强度和抗腐蚀性能。为了研究氮含量对316L型不锈钢焊接性能的影响,采用两种不同氮含量的316L型不锈钢进行不填丝穿孔等离子弧焊接。通过力学、抗晶间腐蚀等性能的对比,结合金相组织观察,可以看出奥氏体不锈钢中氮元素含量的增加能够提高焊接接头的抗拉强度,但却促进了热影响区晶粒的粗化,导致热影响区的低温冲击性能降低。     

温敏聚合物在油气开采中的研究进展

温敏聚合物是一种能够根据外界温度变动产生相应化学性质转变或物理结构变化,进而引起自身性能改变的高分子聚合物,已成为近年来新兴材料的重要研究方向之一。新型温敏聚合物已经在各行业开始应用,尤其在油气开采过程中,作为油田助剂因其独特的温敏特性可有效解决油气开采前后所发生工作液高温降黏、油层高温窜流、采后污染等问题。本文综述了温敏聚合物在油气开采中的采前准备、注水开采以及采后污水处理三个方面的研究现状,并从温敏处理剂的性能特点、合成方法等角度进行了分析,对温敏聚合物在今后油气开采中的应用做出展望,同时指出部分温敏聚合物产品仍然存在敏感性不足、临界相转变温度（LCST）调节困难、耐温耐盐能力差等问题,并提出了今后温敏聚合物将向灵敏度高、配伍性广、环保性强等方向发展,以供相关学者进行参考。     

磷钨酸表面处理对燃料电池质子交换膜热稳定性的影响

研究了磷钨酸掺杂改性后质子交换膜的热稳定性及热降解动力学,利用热重分析在氮气气氛下和升温速率分别为5℃、20℃和30℃时,采用Kissinger、Flynn-Wall-Ozawa、Friedman和Starink方法对磷钨酸改性后的非等温动力学数据进行了分析。热失重曲线显示磷钨酸改性后质子交换膜分解率达到5%和10%时,最低热降解温度分别为173.6℃和284.8℃。采用不同方法的计算结果显示,改性后膜分解反应受D2机理控制,表观活化能约为163.74 kJ/mol。改性前后膜的电导率(σ)分别为8.34×10-7S/cm及2.57×10-5S/cm。