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261.
玻璃微珠的表面化学镀银及红外辐射性能研究   总被引:6,自引:1,他引:5  
采用化学镀方法在玻璃微珠表面镀银,考察了预处理条件、反应温度和反应时间等因素对玻璃微珠表面镀银的影响,并通过扫描电镜和X-射线衍射分析仪,对镀银后玻璃微珠的表面形貌和结构进行了观察和表征。将镀银玻璃微珠用于涂料中,考察了玻璃微珠在涂料中的应用及其红外辐射率的变化,探讨了化学镀条件对涂料红外辐射率的影响,结果表明,在控制反应温度和浓度的条件下,可使镀银玻璃微珠的红外辐射率由原来的1.02降为0.70,将其应用于涂料后,涂层的红外辐射率为0.80。  相似文献   
262.
精确控制营养液溶氧浓度和外源乙烯浓度,研究了黄瓜幼苗根系在低氧水培时的生长情况以及PAs含量的变化。结果表明,外源乙烯对根际低氧逆境下黄瓜幼苗根系的生长有抑制作用,虽然根径增粗,含水量增加,但根系的总根数、总表面积、总体积、干重和鲜重都有所减少,随着乙烯浓度的增加,抑制作用增强;外源乙烯对根际低氧逆境下黄瓜幼苗根系PAs含量有着明显的拮抗作用,外源乙烯使根际低氧逆境下黄瓜幼苗根系的伤害症状加重。  相似文献   
263.
采用高精度的模式匹配法设计了一种Ku波段波导型双工器。双工器采用H面T接头和E面横向膜片波导带通滤波器。采用该方法设计的双工器精度高,结构简单,便于加工。文中也将理论结果和实测数据进行了比较,两者吻合得很好,证明了模式匹配法的精确性和有效性。  相似文献   
264.
传感器管理及其在相控阵雷达中的应用   总被引:2,自引:1,他引:1  
王峰  张洪才  潘泉 《现代雷达》2004,26(2):14-17
传感器管理是数据融合的一部分。介绍了传感器管理的概念和框架 ,概述了国内外传感器管理算法的研究现状。主要工作是针对相控阵雷达这一传感器 ,通过对其不同工作模式以及不同参数的管理 ,来说明传感器管理的原理。提出了一种新的自适应采样周期算法 ,仿真结果表明该算法的优越性  相似文献   
265.
介绍了一种新型的通信传媒设备,详细介绍了该接收机的工作机理、结构、功能特点以及软硬件的设计思路。  相似文献   
266.
基于子波域空间相关的多分辨图像滤波方法   总被引:2,自引:1,他引:1  
易翔  王蔚然 《光电工程》2003,30(6):64-67
从静态子波变换入手,提出了一种有效的图像滤波算法。通过计算相邻尺度下细节信号的空间相关性来区分噪声和信号,如果子波系数的空间相关性大,则认为此位置的系数含有特征及边缘信息予以保留。实现这种理论的完整方法包括两部分:空间滤波和子波收缩。仿真结果表明这个算法有很好的降噪性能。  相似文献   
267.
利用MEMS技术制作了不同尺寸的镍(Ni)膜微桥结构样品。采用纳米压痕仪XP系统测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量和残余应力。结果表明,两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量结果一致,为190 GPa左右,但是残余应力变化较大。与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量186.8 7.5 GPa相比较,两者符合较好。  相似文献   
268.
自由曲面五坐标数控加工干涉检查   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种新方法,用于环刀五坐标数控加工的干涉检查。该方法将干涉检查分为刀轴及侧刃干涉检查和端面干涉检查。首先将加工曲面分片,选取合适的初始点。然后利用自由曲面的微分特性,确定跟踪方向和步长,迅速计算出工件和刀具的最短距离,从而判断是否发生干涉。实验仿真表明,达到同样精度时,该算法计算效率远高于常规的三角面片法。  相似文献   
269.
基于VXI总线的超宽带线性调频信号源的设计   总被引:3,自引:2,他引:1  
汪海波  陆必应  周智敏 《现代雷达》2003,25(3):44-46,56
主要介绍了VXI总线C尺寸超宽带线性调频信号源的设计方法,重点描述了利用现场可编程逻辑器件FPAG和DSP设计VXI总线接口电路,以及数字波形存储直读技术在线性调频信号源中的应用。  相似文献   
270.
乔飞  杨华中  罗嵘  汪蕙 《微电子学》2004,34(1):85-87,90
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。  相似文献   
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