网络管理中事件关联检测机制的研究

网络事件的关联检测是网络管理需要解决的一个关键问题,本文根据分布式网络管理的特点,首次明确定义了网络事件的基本关联关系,在此基础上提出了一种基于Petri Net的事件关联检测机制,实现了基于事件内容的细粒度关联检测,并且在事件检测中充分考虑了时间因素,有效地提高了事件关联检测的准确性。     

PROFIBUS-DP规范及其系统浅析

该文从现场总线标准的角度,描述了PROFIBUS-DP协议结构,重点介绍了各层的规范和服务定义,并给出第1层、第2层管理的进一步描述,从而为DP技术应用和产品开发提供了更有力的理论支持。     

火工品压药机装配误差的研究

针对军用雷管生产线中压药机结构,分别用极值法和概率法对压药机冲子和雷管的配合精度,进行了装配尺寸链的描述和计算,并对所得的结果进行了比较。     

用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷

传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。     

HNO3和有机介质中U（Ⅳ）的稳定性研究

研究了ＨＮＯ＿３和ＴＢＰ－煤油介质中Ｕ（Ⅳ）的稳定性。测定了两种介质中Ｕ（Ⅳ）、ＨＮＯ＿３、ＴＢＰ浓度和气相中氧浓度对Ｕ（Ⅳ）氧化速率的影响。Ｕ（Ⅳ）的氧化速率都随温度提高而明显增加．其表观活化能分别为９１ｋＪ／ｍｏｌ（ＨＮＯ＿３介质）和４２ｋＪ／ｍｏｌ（ＴＢＰ－煤油介质）。对两种介质中Ｕ（Ⅳ）的氧化速率规律进行了比较。     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

氧化铝陶瓷缺口件循环疲劳及断裂机理

用实验方法研究了Ａｌ＿２Ｏ＿３陶瓷缺口试件在循环载荷作用下的疲劳寿命。结果表明，缺口导致的应力集中效应显著降低了循环疲劳寿命；若用缺口根部最大应力为应力水平，则不同缺口半径陶瓷试件具有相同疲劳断裂规律，说明陶瓷材料的疲劳集中系数和理论应力集中系数相同。本文还分析讨论了陶瓷材料的循环疲劳寿命表达式和循环疲劳断裂机理。     

场顺序彩色显示器

荫罩CRT受自身结构的限制,要进一步改进其分辨率就有很大的困难。近年已研制成一种获得彩色图像的颇有吸引力的替代品,即场顺序彩色显示器。它由单色CRT和液晶电子色闸组成,称之为LC/CRT系统。液晶电子色闸由液晶π盒及其连用的偏振片组成,可看成是老式机械彩色轮那样的一种电控色带带通滤色片。本文描述了液晶电子色闸的功能及其工作优点,讨论了其可能结构与显示特性。