硝酸铜氧化安息香制备苯偶酰

INTRODUCTION Benzil is an important photosensitive initiator of organic synthesis intermediates, medicinal intermediates and ultraviolet solidified resin(UV resin), and is usually prepared by oxidizing benzoin. The oxidizers and methods reported are mainly: (PhCH2Et3N)+Br-/(PhCO)2O2/MeCN[1], DMSO/(COCl)2/CH2Cl2[2], CrO3*CH3NH2*HCl/Al2O3[3], the metallorganic compound[4], microwave radiation[5],etc.     

柴油机废气烟色异常的分析

技术状况良好的柴油机排出的废气应是无色透明的,当废气烟色呈现黑色、蓝色或白色时,说明柴油机技术状况正在恶化。本详细分析了引起废气烟色异常的各种原因,提供了柴油机早期故障诊断的依据。     

工业企业会计的连锁分录

在经济业务活动中,关联业务时有发生必然引起连锁财务处理。归类为公益金核算、收回已冲销的坏帐、债务重组,以非货币资产偿债几种,以便实际财务操作。     

煤气发生炉水夹套的设计改进

水夹套是煤气发生炉炉体的重要部件,原结构已延用了多年,根据实践中使用状况及对Ｕ型封头的应力分析结果,提出了改进设计方案,即保证了水夹套的安全使用,又使该设备制造难度及成本明显降低,可以给企业带来明显的经济效益。     

重视加强新时期的党内道德建设

阐述了党内道德建设尤其是党的领域干部的道德建设对于促进精神明建设的重要意义,进而论述加强党内的道德建设的方法和措施。     

碱性蓄电池的记忆效应

含有Cd电极和Ni电极的碱性蓄电池,由于某种固定或不规范的充放电制度,引起Cd电极中晶体增大,比表面积减小,或使Cd电极中形成新的合金而钝化;造成Ni电极膨胀或生成不导电的Ni(OH)2而引起电池电压下降或容量减少的现象,即电池的记忆效应。碱性蓄电池的记忆效应可以通过调整电极的配方、改变电极的制作方法和调节充、放电循环得到消除或减轻。     

卧式车床微量切深调节方法

介绍了一种方便实用、可在加工外圆、内孔时进行切深微量调节的方法.     

Mg2SiO4-SiC复相材料的常压烧结及性能研究

在1 500～1 600℃氢气气氛下常压保温1 h制备了Mg2SiO4-SiC复相材料,研究了烧结助剂[Al2O3+Y2O3](r(Al2O3:Y2O3)=5:3)添加量对该复相材料烧结性能的影响.结果表明:Mg2SiO4-SiC复相材料的相组成为Mg2SiO4,6H-SiC、Y3Al5O12,最佳烧结温度为1 550...     

非晶硅薄膜光伏电池结构参数分析

考虑到nip型[ITO/a-Si(n)/a-Si(i)/a-Si(p)/Al]非晶硅光伏电池的各膜层厚度、掺杂浓度等因素,对非晶硅光伏电池的转换效率、填充因子、开路电压等性能参数进行了数值分析与讨论。结果表明,随p型层厚度的增加,光伏电池的短路电流密度、转换效率、开路电压值都有所增加。当本征层的厚度增加时,短波段内的光谱响应变差、内量子效率下降。当n型层厚度为5 nm,本征层厚度为5 nm,p型层厚度为10μm,受主掺杂浓度为2.5×1019cm-3,施主掺杂浓度为1.5×1016cm-3时,转换效率可达9.728%。     

基于GaN HEMT新型负反馈结构固态宽带功率放大器的研究

The design and fabrication of an ultra-broadband power amplifier based on a Ga N HEMT, which operates in the frequency range from 3 to 8 GHz, is presented in this paper. A TGF2023-02 Ga N HEMT chip from Tri Quint is adopted and modeled. A novel negative feedback structure is applied in the circuit. The measured results show that the amplifier module has a wide range frequency response that is almost consistent with those of simulation at frequencies from 3 to 6.5 GHz. The measured power gain is greater than 7 d B between 3 and 6.5 GHz.The saturated output power is 38.5 d Bm under DC bias of Vds D28 V, Vgs D 3:5 V at the frequency of 5.5 GHz.