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基于公钥加密算法和PPCT动态图编码的软件指纹方案 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种综合PPCT动态图编码方法和椭圆曲线加密算法的软件指纹方案,该方案将公钥加密技术和软件水印技术综合应用于软件版权的保护和验证过程中,充分利用两者的优势,具有安全性高和抗恶意篡改能力强的特点. 相似文献
12.
基于DICOM标准全方向M型心动图的软件系统设计 总被引:3,自引:0,他引:3
本文介绍了基于DICOM标准全方向M型心动图软件系统的设计方案,详细分析了系统结构及各个模块功能.通过该系统可以直接准确地定量检测分析心脏各结构的舒、缩、形变过程及其数据,同时可以生成多个任意方向且互相同步的M型心动图.各个模块设计完全遵循DICOM标准,同时结合数据库管理,方便查询索引.该系统分析的影像数据可以来自PACS服务器,也可以来自本地系统,分析结果数据可以回传PACS服务器,也可以保存本地.该系统实现了国家发明专利"全方向M型心动图方法及其系统98 125713.5"系统数据和国际医学图像传递标准的接口. 相似文献
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提出了基于压电技术的微操作系统的自动标定方法,采用混合式步进电机直接驱动的宏动平台,实现系统大行程宏动定位,安装在宏动平台上的压电陶瓷驱动的微动平台和精密光栅,实现亚微米级的分辨率和定位精度,通过以上两部分实现定位机构的全闭环反馈控制,采用显微视觉反馈获取微动台操作器在图像中的位置信息进行标定。实验结果表明:系统的动态和稳定性能良好,自动标定运算速度快,运行速度达到11 frame/s,实现了对系统的精确标定,标定精度达到0.1μm。 相似文献
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18.
本文应用NOPD技术设计了一种复合多层板,按照四边固定薄板结构的模态振型,对不同的NOPD填充形式,进行声学实验,来评价不同填充形式在降低板类结构声辐射方面的效果,分析了该类板结构声振耦合的关系并验证了NOPD技术对声辐射控制的作用。 相似文献
19.
This article introduces the basic structure of a symmetric self-electrooptic effect device (S-SEED), and applies the Kirchoff' s current law and a purely equivalent capacitive model, to analyze S-SEED's switch characteristics. Linear approximation and N-segment approximation are utilized to obtain S-SEED's voltage-time (V-T) and characteristics. Theoretical analysis is verified by simulations, and the results demonstrate that the precision of S-SEED's switch time can satisfy the requirement in applications with linear approximation. Moreover, the simulations compare S-SEED's switch characteristics with different input powers and input contrast ratios, which reveal that increasing input contrast ratio is an effective way to improve S-SEED's switch characteristics. 相似文献
20.
Xin Sun Qiang Lu Moroz V. Takeuchi H. Gebara G. Wetzel J. Shuji Ikeda Changhwan Shin Tsu-Jae King Liu 《Electron Device Letters, IEEE》2008,29(5):491-493
A tri-gate bulk MOSFET design utilizing a low-aspect-ratio channel is proposed to provide an evolutionary pathway for CMOS scaling to the end of the roadmap. 3-D device simulations indicate that this design offers the advantages of a multi-gate FET (reduced variability in performance and improved scalability) together with the advantages of a conventional planar MOSFET (low substrate cost and capability for dynamic threshold-voltage control). 相似文献