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101.
SCB火工品的研究与发展   总被引:9,自引:2,他引:7  
文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。  相似文献   
102.
石油沥青60℃动力粘度测定影响因素的探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
粘度是表征沥青稠度的一个重要指标。通过论述石油沥青粘度测定法(真空毛细管法)中毛细管的选择、温度、真空度、取样量等对试验结果的影响及试验过程中的其它注意事项,表明了在测定石油沥青的60℃动力粘度时,必须严格按照试验方法的要求进行测定,以保证试验结果的准确性。  相似文献   
103.
固液分离水力旋流除砂器的数值模拟   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用CFD软件,采用雷诺应力模型分别计算了300型和250型水力旋流除砂器的内流场,得到了2种水力旋流除砂器的轴向、径向、切向速度及压强的分布曲线。通过对所得结果的分析,发现模拟结果基本符合旋流除砂器的运行规律。比较2种旋流除砂器的内流场,表明改进的300型水力旋流除砂器的结构及分离能力优于原来250型水力旋流除砂器,为水力旋流除砂器的优化设计和选型提供了可靠的设计依据。  相似文献   
104.
共面波导有限金属厚度效应的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析,编制了相应的计算机程序,给出了数值解,并对此进行了多元曲线拟合,导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解,并与K.C.格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较,结果表明此修正公式与实验值相符较好。  相似文献   
105.
研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性,求出了非线性色散方程,揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率,低于这个频率,非线性s偏振表面波的频率范围,发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素,两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。  相似文献   
106.
低温高速离心泵的研制与应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
阐述了适合于输送低温介质的高速离心泵的水力设计和结构设计方法,结构上采有长,中,短叶片相间的复合叶轮及双密封结构,理论上采用以效率为目标函数的优化水力设计方法,保证了低温高速离心泵具有很好的工人可靠性和优越的性能指标。  相似文献   
107.
A new method for analysis of the time response of multiconductor transmission lines with frequency-dependent losses is presented. This method can solve the time response of various kinds of transmission lines with arbitrary terminal networks. Particularly, it can analyze nonuniform lines with frequency-dependent losses, for which no effective method for analyzing their time response exists. This method starts from the frequency-domain telegrapher's equations. After decoupling and inversely Fourier transforming, then a set of decoupled time-domain equations including convolutions are given. These equations can be solved with the characteristic method. The results obtained with this method are stable and accurate. Two examples are given to illustrate the application of this method to various multiconductor transmission lines  相似文献   
108.
报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器,用于双波长稳频CO2激光器的控制得到令人满意的结果。  相似文献   
109.
Modeling ion implantation of HgCdTe   总被引:2,自引:0,他引:2  
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released, they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background.  相似文献   
110.
衍射法细丝直径的精密测量   总被引:4,自引:2,他引:2  
分析了激光衍射法测量细丝直径技术中影响精度的几个主要因素,研究了一种微弱衍射条纹的精密处理及识别技术,有效地提高了测量精度,实测结果表明,文中讨论的技术能在10 ̄50μm的范围内实现正负0.1μm的重复精度,分辨力优于0.01μm。  相似文献   
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