SBM系统数传与测距实现及其在军事通信中应用

序列平衡调制配以跳频、比相单音测距、和近正交二进制移相键控（BPSK）调制数据块码,可以同时进行抗干扰数据传输和距离测量,数传和测距性能优越,适宜于军事通信网上广泛使用;本文介绍序列平衡调制的数学模型、系统结构、调制、解调、测距的实现原理与方法、及其数据传输和测距性能。适于高速数据链的目标跟踪与命令传输、军事Ad hoc网路、mesh网络、军用认知无线电网络等。     

关于有色总公司发展战略的几点思考

关于有色总公司发展战略的○几○点○思○考●北京有色金属研究总院／万群万群教授级高工。１９５８年毕业于前苏联乌拉尔工学院冶金系。曾任北京有色金属研究总院副院长、总工程师；担任过国家科委“六五”、“七五”大规模集成电路用硅质量攻关组组长；进行过云锡综合利...     

稀疏阵列的波束形成与控制方法

首先从信号与信息处理的角度阐述了波束形成所要解决的技术问题和波束形成的理论优势和方法局限,并对传统的基于空域波形采样的波束形成技术进行了再思考。其次,分析了稀疏阵列的布阵特点对波束形成技术的挑战,给出了空域、时域、频域分布式相参信号处理等关键技术及其理论性能的分析与比较结果,并利用实例分析了空、时、频协同采样克服低维欠采样模糊的可行性。最后分析了在实际应用中遇到的一些非理想因素对稀疏阵列波束形成与控制的影响及其解决方法。     

砷化镓的市场发展形势看好

砷化镓在其重要性方面是仅次于硅的半导体材料。近年来砷化镓材料获得年平均增长率１５％以上的发展，这主要是靠通信，特别是移动通信，各种光盘以及固体显示等高技术市场的发展所带动的，并且还有巨大发展的潜力。砷化镓晶片市场的规模已达２５亿美元以上，日本是最大的生产国。生产的主要方法为水平舟生长法、氧化硼复盖直拉法、垂直定向结晶法等，电子器件用单晶的直径以１００ｍｍ为主，正在开发直径１５０ｍｍ单晶。民用领域的扩大给砷化镓产业的发展提供了良好的条件，同时也形成了激烈的竞争。砷化镓的发展扩大了对金属镓的需要。如何利用这一良好的契机发展我国金属镓和砷化镓的产业是值得重视的问题。     

基于协方差、正性和L1范数约束的迭代波达方向估计方法

本文通过将只能用于均匀线阵的PHD方法推广到稀疏线阵,同时将正性约束引入FOCUSS方法,得到了一种基于协方差、正性和l1范数约束进行协方差重建的迭代波达方向(DOA)估计方法.该方法利用了MUSIC方法忽略的反映阵列几何形状的协方差矩阵结构信息和DOA估计的稀疏约束信息,不仅突破了信号源个数小于阵元数的限制,并具有提高DOA估计性能的潜力.理论分析和仿真实验结果表明,这种迭代DOA估计方法一般经过数次迭代就能获得稳定的高分辨率DOA估计.     

半导体的巨星——砷化镓

<正> 说起砷化镓来,可能有些人觉得生疏、有些人不知道它是半导体材料,如果说它早已经进入我们的家庭生活,那更是出乎意料的事。现在我们看电视、听音响、开空调都用遥控器。这些遥控器是通过砷化镓发出的红外光把指令传给主机的。另外在许多家电上都有小的红色绿色的指示灯,它们是以砷化镓等材料为衬底做成的发光二极管。至于光盘和VCD,DVD都是用砷化镓作     

La、Ce、Pr、Nd四组份串级萃取Ce/Pr分离系数的研究及其在工艺设计中的应用

本文研究了La、Ce、Pr、Nd四组份串级萃取Ce/Pr分离时有效分离系数在槽体中的变化规律,推导了该类体系有效分离系数的函数表达式,提出了四组份两出口工艺设计的有效分离系数模型。该模型简化并优化了多组份稀土萃取的理论设计,克服了多组份体系各参量变化时进行工艺设计的盲目性,从本质上符合了串级分馏萃取体系的实际。生产实践表明,该模型设计的工艺参数可靠、优化,指导工艺参数调整,同样的萃取设备,处理能力提高了57.82%,酸、氨耗分别下降了47.44%和38.79%,结果令人满意。     

冲击噪声环境中的联合对角化波达方向矩阵法

针对对称α平稳(SαS)噪声环境中信号源的高分辨二维波达方向(DOA)估计问题,提出了一种新的联合对角化(JD)分数低阶矩(FLOM)-DOA矩阵方法.构建了一种特殊的阵列结构,把其分为三个子阵,然后通过联合对角化获得信号的二维角估计.新方法不仅保持原协变异DOA矩阵方法无需二维谱峰搜索和参数配对等优点,还较好地解决了一维角度兼并问题.仿真结果表明,新方法优于协变异DOA矩阵法.     

量子微结构与化合物半导体

纳米电子学已显示出它的优势并代表着电子学的未来。量子微结构材料是纳米电子器件的基础。化合物半导体材料是构成量子微结构材料的主力军。在此背景下，化合物半导体材料正沿着增大直径、扩大品种、提高晶体完整性、完善外延过程的原子级精度的控制等方向发展着。其中引人注目的进展有低位错密度大直径ＧａＡｓ、ＩｎＰ单晶的制备、固溶体单晶的制备、外延过程的实时控制、外延设备的产业化的发展等     

硅单晶中碳化硅微夹杂物的观察与研究

本文用JCXA-50A型电子探针观察了区熔、直拉硅单晶中的碳化物微夹杂。结果发现:多数原生硅单晶中都不同程度的有碳化物存在,其尺寸最大可达20微米。碳化物的多少与晶体中碳含量和晶体部位有关。电子探针分析碳化物的存在形态分为两种,一种含碳,另一种是碳—氧共存。由超高压电镜电子衍射证明碳化物的结构为α-SiC和β-SiC。经热处理的样品中凡有碳处几乎都有氧,并观察到长约1000微米的碳-氧沉积带。