基于增强象限的移动站自动定位方法

本文基于增强象限约束提出了一种抑制非直达波定位误差的新方法。该方法首先利用几组相邻的三个基站将服务小区划分为几个不同的增强象限，随后确定移动站的初始象限，然后利用增强象限约束抑制大的非直达波误差，最后对不同时刻的移动站位置进行平滑，进一步减小非直达波误差的影响，并预测下一时刻移动站的象限。该方法不需要知道非直达波误差分布的先验信息，不需要增加系统成本，计算简单，是一种实用的鲁棒性定位方法。理论分析和仿真结果证明了该方法的有效性。     

一种均匀线阵的通道校正方法

阵列天线各通道幅度增益和相位误差使得高分辨率的参数估计算法的性能下降,特别是相位的误差,将会引起参数估计的偏离。所以对于各通道的校正是很有必要的。提出了一种均匀线阵通道的校正方案,用于降低各信道的不一致性。方案的基本思想是在阵列满足远场的位置放置一个RF辐射源。通过对RF的开、关,得到RF信号的相关矩阵R,用于各通道的不一致性估计。该方案校正过程中RF将进行一次频率切换,可以通过RF将其切换信息传送给校正阵列。以DOA（波达方向）估计为例,通过计算机仿真,可以看出方案的有效性。     

虚拟阵的TOA定位算法

为了改进经典的多维标度测量(MDS)定位法中一次测量一次定位的精度不高的缺陷，提出一种新的动态MDS虚拟阵定位算法，该算法简单，计算量小，便于实时处理。仿真结果显示在虚拟测量次数多于4次时，该算法性能明显优于Chan+虚拟阵定位算法及经典的MDS定位法，并且虚拟次数越多，该算法的性能越好。经典的MDS定位法相当于测量次数为1的无虚拟时的该文算法。     

世界深水油气勘探现状及面临的挑战

分析了世界深水油气勘探现状.指出,由于陆地和浅水石油勘探程度较高,油气产量已接近峰值.世界新增油气储量已由陆地、浅水转向广阔的深水水域.近年全球获得的重大勘探发现中,有近50%来自深水水域.深水海域探明储量约为1 000×108t油当量.墨西哥湾、巴西海域、西非海域以及被称为第2个波斯湾的南中国海是最有希望的深水油气区.为了开发南海深水油气资源,中海油总公司已迈出了重要的一步.笔者重点介绍了能适应深水勘探的主要钻井设备的研发现状,世界主要的钻井承包商及其市场占有情况,深水设备的日费以及使用情况.最后分析了世界深水勘探中所面临的挑战和技术难题,以及解决的方法.     

GaAs抛光表面损伤的RBS研究

本文以卢瑟福离子背散射技术（ＲＢＳ）检测了半绝缘ＧａＡｓ（１００）化学机械抛光表面的微损伤状况，并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度。研究了以胶体ＳｉＯ２和ＮａＯＣｌ溶液的混合液对ＧａＡｓ进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响。把ＲＢＳ法同Ｘ射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较，二者对应得很好。通过逐层腐蚀与ＲＢＳ相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度，发现如果抛光条件不适宜，获得的晶片表面尽管目视光洁度很好，也还有一定厚度的损伤层。ＲＢＳ法测得好的非掺半绝缘ＧａＡｓ（１００）（由ＬＥＣ法生长）抛光表面散射粒子最低产额低达３１％，这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层。     

基于目标三线坐标校正的定位方法

利用目标三线坐标的面积约束关系和海伦-秦九韶公式判定定位区域,在三线坐标校正的基础上,提出了一种新的测距定位算法.在没有其他有用信息的情况下,三线坐标校正相当于在定位直线中引入了面积约束.仿真实验的结果表明,该算法具有较强抑制非直达波误差的能力.     

一种稳健的基于解卷叠的相位差分瞬时测频方法

首先讨论了基于相位差分的Kay估计器及频率测量的Cromer—Rao界,针对Kay法中归一化频率绝对值较高时的高信噪比（SNR）阈值问题,提出了一种自适应门限相位解卷叠方法。仿真表明,自适应门限的解卷叠方法具用很强的稳健性。在相位解卷叠基础上给出了适合硬件实现的瞬时测频方法及其处理框图,这种方法计算量小,且适合实时处理。     

一种空时分布多径信号DOA-时延联合估计的ESPRIT方法

在城市密集环境下,由于局部密集多径反射信号不再符合点目标模型,传统多径参数(波达方向与相对时延)联合估计算法往往失效。针对此类问题本文考虑一种基于空时相干分布的多径模型,并在得到信道估计后将其转化至频率域去卷积获得空时联合信号子空间,由于多径扩展影响该信号子空间不再具有旋转不变结构,本文通过在联合信号子空间中抽取行向量构造不同的矩阵对,使各矩阵对在相位上满足旋转不变性质,然后,利用ESPRIT算法估计中心时延与中心DOA参数。与点目标ESPRIT方法相比该方法能够有效克服多径扩展影响,实现参数自动配对,且具有不敏感于多径分布形式的优点,仿真实验证明了其有效性。     

关于超大规模集成电路对硅材料要求的探讨

一、前言 微电子学是当代信息科学的重要组成部分。它的发展趋势是集成度不断提高,而单个元件的成本不断下降。超大规模集成电路(VLSI)是集成电路发展的新阶段,它给计算机和电子工业带来了革命性的变化。表1列出了半导体存储器的集成度的变化。可以看出,集成度低的存储器要为集成度高的所取代,因此VLSI的产品的比例要快步地增大。虽然,对超大规模的划分有不同的见解,但256K随机存取存储器(RAM)却公