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141.
142.
研究了65MnV钢在淬火和回火条件下的微观结构以及其力学性能随回火温度的变化。结果表明,65MnV钢经840℃淬火、180 ̄220℃回火可获得高的强韧性;并且钢中含有0.1%、直径为10 ̄50nm弥散分布的VC颗粒,奥氏体晶粒平均直径为7.0μm,钢的淬火组织为位错型板条马工体和分布其间的薄膜状残余奥氏体;低于220℃回火时,钢中只板出2 ̄15nm粗细、长度为30 ̄140nm均匀分布的须状ε碳化物  相似文献   
143.
透明导电薄膜的研究现状及应用   总被引:32,自引:0,他引:32  
综述了当前透明导电薄膜的最新研究和应用状况,重点讨论了ITO膜的光电性能和当前的研究焦点。指出了目前需要进一步从材料选择、工艺参数制定、多层膜光学设计等方面来提高透明导电膜的综合性能,使其可见光平均透光率达到92%以上,从而满足高尖端技术的需要。  相似文献   
144.
乔学亮  崔昆 《钢铁》1993,(7):42-44
本文研究了热作模具钢4Cr5MoV1Si在热变形过程中碳化物的动态析出行为。TEM分析认为,动态析出的碳化物主要为Mo2C和VC。碳化物的定量分析表明;随着固溶于基体中碳化物形成元素含量的降低,动态析出的碳化物减少。  相似文献   
145.
以正硅酸乙酯为先驱体,丙三醇为干燥控制化学添加剂(DCCA),通过酸碱两步溶胶-凝胶法制备了二氧化硅气凝胶,同时利用六甲基二硅氮烷(HMDZ)和正己烷的混合液对湿凝胶进行表面疏水改性。测试分析了所制备气凝胶的密度、疏水性、比表面积和形貌。结果表明,经过表面改性的SiO2气凝胶具有良好疏水性,与水的接触角约为139.4°,比表面积为952m2/g,平均孔径为5~10nm,孔隙率达94.2%,且其密度仅为0.127g/cm3。  相似文献   
146.
射频磁控溅射室温下制备ITO薄膜的光学性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
靶材为铟锡氧化物(In2O3:SnO2=1:1),用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO薄膜.质量流量计调节Ar气压强为0.2~3.0Pa,氧流量为0~10sccm,并详细探讨了溅射时氩气压强和氧流量变化对ITO薄膜光学性能的影响.结果表明:溅射Ar气压强为0.8Pa,氧流量为2.4sccm时,薄膜的折射率最低n=1.97,较接近增透膜的光学匹配.薄膜厚度为241.5nm时,薄膜的最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9Ω/□,电导率为8.8×10-4Ω·cm.  相似文献   
147.
采用化学还原法,以七水硫酸亚铁(FeSP_4·7H_2O)为还原剂,在室温条件下搅拌还原硝酸银溶液制备了表面粗糙度高、粒度分布窄的微米级球形银粉。结果表明,通过控制还原剂与氧化剂物质的量比可以制备出粒径范围在1~4μm、尺寸可调的单分散球形银粉。  相似文献   
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