多条件约束地质建模技术在青西油田裂缝性油藏中的应用

青西油田储层岩性复杂,岩相多变,裂缝发育,不同岩性、不同储集空间具有不同的储层属性特征,采用常规建模技术所建立的地质模型与油藏实际特征差别较大.采用多条件相互约束建模方法,将确定性模拟和随机模拟相结合,可较好地解决这些问题.多条件约束地质建模的约束条件包括:地震资料、岩心分析资料、测井资料、动态数据以及油田勘探开发综合研究成果;裂缝性油藏多条件约束地质建模技术包括断层封挡技术、多边界技术、复杂岩性岩相建模技术、DFN离散裂缝网格建模技术、在裂缝和岩相约束下的双重介质储层属性建模技术;构造建模主要利用GOCAD建模软件,裂缝建模利用FRACA建模软件,岩相和储层属性利用PETREL建模软件完成.根据建模结果,将青西油田划分出一类裂缝发育区、二类裂缝发育区和裂缝欠发育区,查明了剩余油富集区域和油气富集规律,明确了下一步的勘探目标.     

基于MM430变频器的集中供热系统的控制

采用变频调速技术,调节集中供热系统中换热站的循环水流量以及补水定压,运行结果表明,系统达到了理想的控制效果,运行可靠,实现了节能降耗。     

ZL211A合金组织与性能研究

研究了ZL211A合金的铸造状态和热处理状态的组织和力学性能,进行了合金熔炼、铸造、热处理、力学性能测试、微观组织和拉伸断口形貌观察等试验.结果表明,ZL211A合金的铸态金相组织主要由α(Al)、CuAl2和T(Al12CuMn2)相组成,力学性能较低,不能满足航空结构材料的要求,必须经热处理强化后才能使用;热处理状态的金相组织主要由α(A1)、T(Al12 CuMn2)相、θ″相和θ′相组成,经过二级固溶处理再人工时效后,即在535℃±5℃,保温7h,再升温到545+3-5℃,保温7h,淬入50～60℃的热水中,然后在165℃±5℃人工时效7h,可获得优良的综合力学性能.ZL211A合金拉伸试样断口表现为延性断裂,其微观形貌均为韧窝和撕裂棱,韧窝的大小和深浅有所不同.     

基于BP网络的导弹研制费用预测

根据导弹武器系统研制的特点，分析并确定了影响导弹武器系统研制费用的主要因素，提出了基于人工神经网络的费用预测模型。该模型不需要确定各因素的定量关系，克服了以往由于专家主观因素而千万的负面影响，最后通过实际应用，说明了该方法简便易行，精确可靠。     

华文 HPCS3000系统在燃煤机组湿法脱硫中的应用

以100 MW 燃煤机组湿法脱硫中应用的上海华文 HPCS 3000 分散控制系统(distributed control system,DCS)为例,介绍了该DCS的配置情况,对 HPCS 3000 的软、硬件特点进行了分析,并对运行中存在的保护和逻辑进行了改进,指出了HPCS 3000 在应用过程中应注意的事项和出...     

固溶温度对ZL210A铸造铝合金砂型试样力学性能和微观组织的影响

通过对ZL210A合金砂型试样进行545℃固溶和555℃固溶处理,分析不同固溶温度处理试样的力学性能、微观组织和断口形貌,探讨了不同固溶温度对合金砂型试样性能和组织的影响.结果表明,砂型试样固溶状态力学性能бb、б0、2、HBS和б5值比其铸态时有较大提高;545℃固溶和555℃固溶时砂型试样的力学性能相近,金相组织和断口形貌相同.     

Monolithic Integration DFB Laser Array by Angling Active Stripe and Using Thin-Film Stripe Heater

Multi-wavelength quantum well DFB laser array has been fabricated on an InP substrate by angling the active stripe at an oblique angle to the axis of the grating lines and coating a Pt/Ti thin-film heater to change the laser temperature. Owing to the oblique angle,four sin-gle-mode lasing wavelengths around 1.55μm were obtained simultaneously. By changing the working of the thin-film heater,the DFB laser can be tuned continuously beyond a range of 2.2nm with 3. 8nm/W of tuning efficiency while maintaining a side-mode suppression ratio (SMSR) more than 30dB.     

选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料

采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) .     

强增益耦合DFB激光器单片集成自对准模式变换器

提出并成功制作出一种新型的强增益耦合 DFB激光器与自对准模式变换器单片集成器件 .采用三次外延实现上述器件 .采用强增益耦合 DFB激光器 ,获得了高单模成品率和大边模抑制比器件 ;采用自对准模式变换器 ,得到了近圆形的远场图样     

高消光比偏振不灵敏电吸收调制器

用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器 ,应用应变 In Ga As/In Al As材料做多量子阱 ,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性 ,以及其高消光比 (>40 d B)和低电容 (<0 .5 p F) ,保证了器件可以应用于高速率的传输系统 (>10 GHz)