SOI MOSFET的体接触对器件热导的影响

The thermal conductance of devices with different body contacts is studied. A new analytical expression is proposed. This expression can be used in parameter extraction, which gives both good efficiency and high precision. The ratio of thermal conductance of the body contact region to that of the body region is nearly equal to the ratio of the area. The use of an H shape gate body contact is suggested to aid power dissipation in SOI MOSFETs.     

高可靠性SRAM中缩短汉明码EDAC电路的失效分析

缩短汉明码及其改进码字被广泛使用在宇航级高可靠性存储器的差错检测与纠正电路中。作为一种成熟的纠正单个错误编码,其单字节内多位翻转导致缩短汉明码失效的研究却很少。这篇文章分析了单字节多位翻转导致缩短汉明码失效的情况,分析了各种可能的错误输出模式,并从理论上给出了其概率计算公式。采用Matlab软件进行的计算机模拟试验表明,理论结果与试验结果基本相符。这篇文章最后分析了ISSI公司在其抗辐射SRAM设计中采用的一种将较长信息位分成相等两部分,分别采用缩短汉明码进行编译码的方案。分析表明,这种编译码方案可以降低失效状态下输出3 bit翻转的概率。     

基于 PDSOI工艺的抗 SET锁相环设计

基于0．35μm PDSOI工艺设计了一款输出频率范围为700M Hz-1．0GHz的锁相环电路,利用Sentaurus TCAD工具对其进行单粒子瞬变（SET ）混合模拟仿真,确定其SET敏感部件并建立SET分析模型,分析了SET与锁相环系统参数之间的关系．通过增加由一个感应电阻、一对互补运算放大器和互补SET电流补偿晶体管组成的限流电路并利用多频带结构降低了VCO的增益,显著提升了锁相环的抗SET性能．仿真结果表明,CP中发生SET后VCO控制电压Vc的波动峰值、锁相环的恢复时间以及输出时钟的错误脉冲数明显降低,分别为未加固锁相环的43．9％、49．7％和29．1％,而辐射加固前后 VCO的基本结构变化不大,其SET轰击前后无明显变化．     

基于等效电容法对SOI器件自加热效应研究

针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题,提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点,对抑制自加热效应原理进行了新的解析,根据埋层材料的介电常数不同,按等效电容法进行埋层厚度折算。在此基础上,提出了SOI器件的埋层新结构,并从介电常数的角度较好地验证了提出观点的正确性。最后得到,高介电常数等效埋层厚度的减小利于热泄散,高热导率的埋层材料提高了导热能力,在双重因素作用下有效抑制了自加热效应。     

改善SOICMOS集成电路高温性能的研究

介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势，分析了影响高温性能的物理效应和结构因素。为实现良好的高温性能，提出了沟道下用氮化铝作埋层以替代常规二氧化硅埋层的SOI器件新结构，并和以二氧化硅为埋层结构的器件特性进行了对比，对它们高温输出性能和沟道内晶格温度进行了研究分析，得出了具有指导意义的分析结果。     

Cu互连及其关键工艺技术研究现状

低介电常数材料和低电阻率金属的使用可以有效地降低互连线引起的延时.Cu因其具有比Al及Al合金更低的电阻率和更高的抗电迁移能力而成为新一代互连材料.论述了Cu互连技术的工艺过程及其研究发展现状.对Cu互连技术中的阻挡层材料、电化学镀Cu技术以及化学机械抛光技术等一系列关键工艺技术进行系统的分析和讨论.     

一种抗辐照功率MOSFET器件

报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加固方法。     

一种高温工作的激光测距SOICMOS集成电路

基于薄膜全耗尽SOICMOS工艺,进行了建模分析,在300～600 K温度范围内,利用ISETCAD软件对SOICMOS器件单管高温特性进行了模拟分析,同时利用Verilog软件对激光测距电路进行了整体仿真.通过工艺流片,实现了一种电路级具有完整功能和参数要求的高温工作的激光测距SOICMOS集成电路.通过实际测试表明模拟结果与之相吻合,同时通过对整体电路结果功能和参数在常温和高温下的测试,表明该电路功耗低、速度快,可满足激光测距电路的要求.该电路的研制,对进一步开展高温短沟道SOICMOS集成电路的研究具有一定的指导意义.     

Effect of total ionizing dose radiation on the 0.25 μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide

Thin gate oxide radio frequency （RF） PDSOI nMOSFETs that are suitable for integration with 0.1μm SO1 CMOS technology are fabricated, and the total ionizing dose radiation responses of the nMOSFETs having four different device structures are characterized and compared for an equivalent gamma dose up to 1 Mrad （Si）, using the front and back gate threshold voltages, off-state leakage, transconductance and output characteristics to assess direct current （DC） performance. Moreover, the frequency response of these devices under total ionizing dose radiation is presented, such as small-signal current gain and maximum available/stable gain. The results indicate that all the RF PDSOI nMOSFETs show significant degradation in both DC and RF characteristics after radiation, in particular to the float body nMOS. By comparison with the gate backside body contact （GBBC） structure and the body tied to source （BTS） contact structure, the low barrier body contact （LBBC） structure is more effective and excellent in the hardness of total ionizing dose radiation although there are some sacrifices in drive current, switching speed and high frequency response.     

薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化

在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN-DSOI结构.结果显示,SOI CMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高,输出特性衰退明显.瞬态模拟也表明电路的速度和功耗受外界环境温度的影响较大.改进后的AlN-DSOI结构在有效缓解SOI结构热效应和浮体效应的基础上,显著提高了电路的速度和驱动能力.