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31.
Thin gate oxide radio frequency (RF) PDSOI nMOSFETs that are suitable for integration with 0.1μm SO1 CMOS technology are fabricated, and the total ionizing dose radiation responses of the nMOSFETs having four different device structures are characterized and compared for an equivalent gamma dose up to 1 Mrad (Si), using the front and back gate threshold voltages, off-state leakage, transconductance and output characteristics to assess direct current (DC) performance. Moreover, the frequency response of these devices under total ionizing dose radiation is presented, such as small-signal current gain and maximum available/stable gain. The results indicate that all the RF PDSOI nMOSFETs show significant degradation in both DC and RF characteristics after radiation, in particular to the float body nMOS. By comparison with the gate backside body contact (GBBC) structure and the body tied to source (BTS) contact structure, the low barrier body contact (LBBC) structure is more effective and excellent in the hardness of total ionizing dose radiation although there are some sacrifices in drive current, switching speed and high frequency response.  相似文献   
32.
基于0.35μm部分耗尽SOI CMOS工艺技术平台,我们实现了一种H栅型PDSOI动态阈值MOS晶体管。通过比较H栅型PDSOI动态阈值NMOS和传统PDSOI H栅NMOS的模拟和射频特性,我们深入研究了此类H栅型PDSOI动态阈值NMOS不同于其他H栅MOS器件的工作原理和物理机制。实验结果表明,此类H栅型PDSOI动态阈值NMOS在栅源电压为0.7V和漏源电压为1V的情况下,可获得40GHz截止频率和29.43GHz最大振荡频率。  相似文献   
33.
A quantitative yield analysis of a traditional current sensing circuit considering the random dopant fluctuation effect is presented.It investigates the impact of transistor size,falling time of control signal CS and threshold voltage of critical transistors on failure probability of current sensing circuit.On this basis,we present a final optimization to improve the reliability of current sense amplifier.Under 90 nm process,simulation shows that failure probability of current sensing circuit can be reduced by 80%after optimization compared with the normal situation and the delay time only increases marginally.  相似文献   
34.
一种抗辐照功率MOSFET器件   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加固方法。  相似文献   
35.
基于薄膜全耗尽SOICMOS工艺,进行了建模分析,在300~600 K温度范围内,利用ISETCAD软件对SOICMOS器件单管高温特性进行了模拟分析,同时利用Verilog软件对激光测距电路进行了整体仿真.通过工艺流片,实现了一种电路级具有完整功能和参数要求的高温工作的激光测距SOICMOS集成电路.通过实际测试表明模拟结果与之相吻合,同时通过对整体电路结果功能和参数在常温和高温下的测试,表明该电路功耗低、速度快,可满足激光测距电路的要求.该电路的研制,对进一步开展高温短沟道SOICMOS集成电路的研究具有一定的指导意义.  相似文献   
36.
尽管可以通过对主要结构和工艺参数的优化找到缓解自加热效应的途径,但这种改变硅膜厚度和埋氧层厚度的办法在工艺上是较难实现的,因而解决SOICMOS器件中浮体效应和自加热效应要寻找其它新的方法,在沟道下方的隐埋氧化层中开一个窗口形成DSOI结构,空穴可以通过沟道区与衬底的电耦合传递出去,同时器件内部产生的热量也可以很容易通过沟道下方的硅通道泄散出去。本文重点研究埋氧开口尺寸大小对器件性能的影响,并得出了相关的结论。  相似文献   
37.
基于薄膜全耗尽SOICMOS工艺,进行了建模分析,在300~600 K温度范围内,利用ISETCAD软件对SOICMOS器件单管高温特性进行了模拟分析,同时利用Verilog软件对激光测距电路进行了整体仿真.通过工艺流片,实现了一种电路级具有完整功能和参数要求的高温工作的激光测距SOICMOS集成电路.通过实际测试表明模拟结果与之相吻合,同时通过对整体电路结果功能和参数在常温和高温下的测试,表明该电路功耗低、速度快,可满足激光测距电路的要求.该电路的研制,对进一步开展高温短沟道SOICMOS集成电路的研究具有一定的指导意义.  相似文献   
38.
通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PD SOI NMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究.模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置,背沟道的最坏偏置与总剂量有关.当总剂量大时,背沟道的最坏偏置是OFF偏置;当总剂量小时则是TG偏置.而NMOSFET的最坏偏置则取决于起主要作用的是正栅还是背栅.由于辐照产生电子空穴对的过程与电场分布强相关,通过分析不同偏置下电场分布的差异确定最坏偏置的内在机制.  相似文献   
39.
分析了电荷泵型锁相环中鉴相器和电荷泵的非理想因素及优化设计方法。基于台积电公司(TSMC)0.35μm 2层多晶硅4层金属(2P4M)CMOS工艺,设计了一种低杂散的鉴频鉴相器结构,该结构通过"自举"的方法,用单位增益放大器使充放电前后开关管各节点处的电压保持不变,从而消除了电荷共享的影响,减小了鉴相器的输出杂散。仿真结果表明相比于传统鉴相器结构,该鉴频鉴相器有效抑制了电荷共享问题,电荷泵开关管开启时的充放电电流尖峰大大减小了,鉴相前后的电压波动小于200μV,脉冲尖峰仅为3.07 mV,有效降低了鉴频鉴相器的输出杂散。  相似文献   
40.
硅基集成电路不能胜任高温工作环境,其高温工作上限一般为125℃。而基于SOI材料及其结构的器件,能突破高温的限制。介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的自加热效应。为实现良好的高温性能,比较了几种不同的埋层结构,提出了沟道下用氮化铝作埋层的SOI器件新结构,并对其高温输出性能随温度的变化进行了研究分析,得出了具有指导意义的分析结果。同时提出了根据埋层材料的介电常数不同,进行等效电容折算埋层厚度的新观点,从另一层面提出了抑制自加热效应的理论依据。  相似文献   
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