宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

14-b 400-ksps 2.5-mW连续时间∑-Δ调制器

连续时间∑-△调制器较之传统的开关电容∑-△调制器具有更低的功耗、更小的面积,以及集成抗混叠滤波器等诸多优势.设计了一种应用于低中频GSM接收机的4阶单环单比特结构的连续时间∑-△调制器.在调制器中,采用了开关电容D/A转换器,以降低时钟抖动对性能的影响.仿真结果显示,在1.8 V工作电压、200 kHz信号带宽、0.18 μm CMOS工艺条件下,采样频率21 MHz,动态范围(DR)超过90 dB,功耗不超过2.5 mW.     

基于多传感器数据融合技术的短时交通流检测

在阐明智能交通控制系统（ITS）数据融合的意义和层次性的基础上,分析了数据层多源数据融合和神经网络的特点,根据遗传算法与BP算法各自的优缺点,设计了将遗传算法与改进的BP算法相结合的方法应用于融合计算,并提出了该方法的实现步骤。利用这种方法,对交叉路口的多源传感器数据进行融合计算后,仿真结果证明：该方法大大减少训练时间,能够有效地进行数据质量控制,提高数据的精度。     

面向生产线级的PC构件排产模式研究

产能是反映预制构件工厂生产的关键指标之一,构件排产模式直接影响预制构件生产效率高低和产能的大小。本文针对自动化程度较高的外墙流水线,通过Anylogic模拟仿真实验,分析和计算自由节拍和固定节拍排产模式的PC构件产能,探讨不同排产模式的适用条件。     

2010年三峡水库防洪调度与经济效益初步分析

2010年汛期,长江流域大部分地区发生大范围暴雨,长江中下游干流水位偏高,三峡水库出现入库洪峰流量70000m3/s和56000m3/s的复式洪水过程,经长江防总科学调度,三峡水库及时拦蓄了洪水,有效降低了长江中下游干流水位,沙市站水位未超警戒水位,取得了巨大的防洪等综合效益。     

涤纶FDY粗旦有光三叶异形丝生产工艺探讨

讨论了ＦＤＹ粗旦有光三叶异形丝的纺制过程中干燥、纺丝温度、侧吹风风速、拉伸、卷绕等工艺条件对丝条成形及产品质量的影响。得出有利于生产稳定和提高产品质量的主要工艺条件。     

多尺度通道注意力机制的小样本图像分类算法

为了提升关系网络图像分类的准确度,在网络中引入多尺度通道注意力机制,提出了一种新的小样本图像分类算法.由于多尺度通道注意力机制能够关注样本特征空间的重要信息,该方法能够提取图像更丰富的多尺度特征,并通过关系度量,改善了分类结果.实验结果表明,在MiniImageNet和Omniglot数据集上,该算法对图像分类精度有明显的提高.     

基于QFD与TRIZ技术工具的产品概念设计方法

为消除产品概念设计过程中可能产生的二层问题的负面影响,提出了一种基于质量功能配置与创造性解决问题理论的三种技术工具综合的产品概念设计方法。该方法通过质量功能配置的质量屋分析确定需要改善的零部件;在对零部件进行负相关分析的基础上,应用创造性解决问题理论技术工具提出解决一对质量特性负相关的方案;然后通过多次循环的质量功能配置分析与创造性解决问题理论技术工具应用,预测可能产生的二层问题并降低其负面影响,进而形成有效的产品概念设计方案。通过在某全自动洗衣机研发过程中的实际应用,验证了该方法的有效性和实用性。     

厚松散层放顶煤开采条件下地表移动参数研究

用概率积分法预计地表移动与变形,其准确度关键在于地表移动参数的选取精度.而厚松散层条件下开采地表移动参数,有其明显的自身特点和规律.在鹤壁矿区实测资料的基础上,用数学方法分析了厚松散层放顶煤开采条件下地表移动参数的特点,并得出地表移动参数与地质采矿条件之间的函数关系式,对厚松散层下厚煤层"三下"开采及地表移动预计有一定指导意义.     

M_(1—β)(TCNQ):用于可擦式高密度存贮器的信息薄膜材料

利用我们自己开发的新型分子电子材料的光致变色性能可制成可擦写的光盘,它的特点是可用任意波长的激光写入,用热、电或光擦除。已经做到Ag_(1-β)(TCNQ)的写擦循环次数N>1000,反差系数K>50%。利用它的电开关性能则预计可在cm~2的基片上用“5μm平面工艺”制成两种1兆位(MB)存贮器。第一种称为“金属有机存贮器(OMM)”,是全固态的电擦除可编程只读存贮器(E~2 PROM),可做在硅片上并与硅器件兼容;另一种称为“可擦式存取存贮管(EAST)”,是一个特殊的电子管,可用作随机存取存贮器(RAM),用电子束进行信息的写入、读出、擦除。这两种存贮器的存贮密度都可接近于光盘存贮器而存取时间相当于半导体存贮器。它们都不用半导体单晶,没有p-n结;器件面积小、工艺简单。可以认为是分子电子学方面真正有实用价值的一些工作的开端。