非导电样品荷电效应的吸收电流评价方法

在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流Iα,评价非导电样品的荷电效应。对于非导电样品,Iα的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映。此外,Iα还可用来评价荷电补偿(改变环境压力、改变成像参数及对样品表面进行导电处理)的效果。     

GaAs MESFET沟道温度电学法测量的理论分析

1 引言 随着功率GaAs MESFET广泛的应用,它的热可靠性越来越引起人们的极大关注。用器件本身电学参数随温度的变化测量器件的沟道温度—电学法测试,能够非破坏性地快速测量封装后的成品管的沟道温度和热阻。并由此对GaAs MESFET进行考核和筛选,是当今快速筛选和考核的重要方法。 电学法测量出的温度普遍认为是器件有源区上的平均温度,但是这种温度与其器件芯片中的各种温度如最高温度、统计平均温度及芯片表面温度分布的关系如何,还未有过详细的研究。本文将对电学法测得的温度通过建立热模型进行模拟,找出电学平均温度的物理意义以及与其芯片中的各种温度的     

基于序进应力加速实验评价失效率的新方法

基于序进应力加速寿命实验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.该方法将序进应力加速实验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,快速确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.以样品3DG130为例,在160～310℃范围内进行了序进应力加速寿命实验,然后根据模型计算得到了器件的寿命、分布和失效率.结果与文献吻合很好,验证了方法的可行性.     

BPSG膜双极晶体管的抗电离辐照性能研究

对SiO2+BPSG+SiO2钝化结构和SiO2+SiN钝化结构的双极晶体管和JW117集成稳压器进行了60Co的γ辐照和不同温度下退火行为研究。结果表明,覆盖BPSG钝化膜的器件抗辐照性能明显强于SiN钝化膜的器件。BPSG对Na+具有很好的吸收作用,SiO2层中的Na+很大部分被吸收到BPSG膜中,降低了双极晶体管基区的表面复合速率,减少过剩基极电流,这可能是BPSG钝化膜器件抗辐照性能好的主要原因。通过对器件辐照后不同温度下的退火实验,保证了BPSG钝化膜器件辐照后的工作可靠性。     

基于理想因子退化的双极晶体管贮存寿命评估

提出了用理想因子n作为表征,对双极晶体管的贮存寿命进行评估的新方法。以某型双极晶体管为研究对象,进行了3组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验,分析了随试验时间的增加双极晶体管样品的性能参数退化的原因。通过设定失效判据,利用晶体管样品在小电流情况下PN结的理想因子的退化趋势外推出双极晶体管的贮存寿命,并与通过反向漏电流的退化趋势预测得到的贮存寿命结果进行了对比。结果证明,晶体管PN结的理想因子退化也可以作为晶体管贮存寿命的一种表征,从而对晶体管的贮存可靠性进行评估。     

基于ANSYS的IGBT热模拟与分析

根据IGBT的基本结构和工作原理,建立了一种新的IGBT三维热模型.运用基于有限元法的分析软件ANSYS,对功率分别为0.5W,1.0W,1.5W,2.0W条件下的器件热分布进行模拟分析.结果表明,热耦合加剧了器件的自升温,且功率越大,影响越明显.另外,考虑了热导率随温度变化情况下的器件热模拟结果显示:在相同的功率(1W)条件下,器件最高温升高4.8K.由模拟结果得到的热阻与红外实测结果基本一致.     

IGBT焊料层中的空洞对器件热可靠性的影响

根据IGBT的基本结构和工作原理,建立了一种新的IGBT三维热模型。该模型考虑了Si材料的温度特性,模拟研究了焊料层空洞对器件热稳定性的影响。研究表明焊料层空洞对IGBT器件的热稳定性有很大的影响。实测结果、超声波显微镜以及红外显微镜的扫描图片证实模拟结果。该研究结果对于改进IGBT器件的可靠性有一定意义,值得器件应用工程师、设计及工艺工程师参考。