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21.
The effects of B2O3 addition on both the sintering behavior and microwave dielectric properties of CaO-B2O3-SiO2 (CBS) glass ceramics were investigated by Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR),X-ray diffractometry (XRD) and scanning electron microscopy (SEM).The results show that the increasing amount of B2O3 causes the increase of the contents of [BO3],[BO4] and [SiO4],which deduces the increase of CaB2O4 and α-SiO2 and the decrease of CaSiO3 correspondingly.No new phase is observed throughout the...  相似文献   
22.
钙铝硼硅/氧化铝系玻璃-陶瓷致密化过程及介电性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过DSC、XRD、SEM、EDS等测试手段,研究了钙铝硼硅/氧化铝系玻璃-陶瓷一个典型组成的致密化过程,并讨论了在这过程中物相、微观结构以及介电性能的变化规律。研究结果表明:在800~900℃烧成范围内,材料先致密化后析晶;825℃时,材料已烧结致密化,介电常数达到其最大值;850℃时,玻璃中析出钙长石晶体,介电损耗大幅下降;随着温度的进一步提高,材料结构变得松散,介电损耗略有增大。1 MHz下,850℃所烧试样介电常数为7.9,介电损耗小于1×10~(-3),是一种性能优良的LTCC材料。  相似文献   
23.
对SiC粉体进行热处理,采用Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂,在1 750~1 950℃下30 MPa热压烧结1 h,制备SiC陶瓷。TG分析SiC的氧化特性,测定Zeta-电位研究SiC粉体的分散特性,测定其高温浸润性研究烧结助剂与SiC之间的亲和性。结果表明:SiC粉体热处理和提高SiC浆体的pH值,有利于提高Zeta-电位,进而提高分散均匀性;Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂高温下与SiC具有良好的浸润性;SiC粉体热处理明显降低了烧结温度。尽管Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂在高温下有一定的挥发,但是当其含量大于等于9%(质量分数)时,1 800~1 950℃下热压烧结可获得显气孔率小于等于0.19%的致密SiC陶瓷,其热导率大于190 W.m–1.K–1。  相似文献   
24.
简单介绍了核磁共振的原理以及核磁共振设备的组成,简要介绍了核磁共振的应用范围和一些应用实便,简单介绍了核磁共振技术的最新发展。  相似文献   
25.
为制备高强度低损耗复合介质,采用热压工艺进行复合介质的成型与烧结,系统地探讨了加热温度、成型压力等工艺参数,对聚四氟乙烯(PTFE)树脂复合陶瓷介质材料微观结构、介电性能与力学性能的影响。采用SEM、X射线衍射分别对复合介质的微观结构及其相组成进行了观察与分析,并获得了制备低损耗复合介质的最佳热压工艺制度。  相似文献   
26.
粉料特性对CBS微晶玻璃结构与性能的影响   总被引:2,自引:1,他引:2  
利用不同快速球磨时间的CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃粉料,制备了低温烧结的CBS玻璃陶瓷.利用X线衍射仪(XRD)和电子显微镜(SEM),分析粉料特性与 CBS玻璃陶瓷结构的关系,系统研究了粉料特性对CBS玻璃陶瓷的烧结性能、介电性能(10 GHz)及热学性能的影响.结果表明,减小粉料粒径能在较低的烧成温度下实现烧结,并有效提高致密度,有利于降低介电常数和介电损耗.热膨胀系数显著增大,其原因是随着粉料粒径的减小,生成了大量的具有低介电常数、高膨胀系数的石英相.球磨2 h试样在850 ℃的烧结密度为2.615 g·cm-3,吸水率为0.16%,9.98 GHz下的介电常数和损耗分别为6.16和1.98×10-3.  相似文献   
27.
以硼硅酸盐系玻璃和Al2O3粉料为原料,采用低温烧结法制备了玻璃/Al2O3系LTCC材料。设计玻璃中碱金属氧化物的质量分数为0~6%,研究了碱金属氧化物添加量和烧成温度对玻璃/Al2O3材料的烧结性能、热性能、介电性能和力学性能的影响。随着碱金属氧化物含量增加,玻璃/Al2O3材料的体积密度、相对介电常数、抗弯强度增加,而介电损耗恶化。当碱金属氧化物添加的质量分数为2%,材料于875℃烧结良好,显示出优异的性能:体积密度为2.84 g/cm3,相对介电常数7.71,介电损耗1.15×10–3(于10 MHz下测试),抗弯强度为158 MPa,热导率为2.65 W/(m·℃),线膨胀系数为7.77×10–6/℃。  相似文献   
28.
研究了偏硼酸钙(CaB2O4)与钙硼硅(CBS)玻璃按不同比例制备的CaB2O4/CBS复相陶瓷的相组成、显微结构、介电性能和热膨胀系数等。在200~500℃时,复相陶瓷的热膨胀系数为10×10–6 K–1。当添加w(CBS)为20%,CaB2O4/CBS复相陶瓷经过930℃保温2 h后,试样主要由CaB2O4晶相和少量的β-CaSiO3晶相所构成。微观结构致密,气孔率低,晶粒尺寸为5μm左右。在10 MHz下,εr为7.18,tanδ为1.2×10–4。  相似文献   
29.
采用经过不同球磨时间制备的硼硅玻璃与氧化铝复合,低温烧结制备了硼硅玻璃/氧化铝系复相陶瓷.利用XRD和SEM,研究了硼硅玻璃粉料球磨时间对流延成型及所制复相陶瓷的烧结性能、介电性能(10MHz)的影响.结果表明:随着球磨时间增加,粉料粒径减小,硼硅玻璃复相陶瓷烧结温度降低,密度增加,介电常数和介质损耗降低.球磨90 m...  相似文献   
30.
在Ba0.55Sr0.45TiO3(BSTO)与质量分数为55%的MgO混合的基础上,进行ZrO2掺杂的系统研究。结果表明,随着ZrO2掺入量的增加,BSTO/MgO材料的损耗基本保持不变,调谐性显著提高,但过量的ZrO2掺杂使得材料的调谐性降低。当ZrO2掺杂1%(摩尔分数)时,BST/MgO材料的介电常数为117,介电损耗为3.95×10-3(3.2GHz),介电常数调谐性达9.9%(2.0kV/mm)。利用电介质理论分析ZrO2对BST/MgO材料介电性质的改性机理。  相似文献   
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