掺钛和锆改性的钙硼硅系微晶玻璃之性能

以TiO2、ZrO2为改性剂,制备CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。对其烧结和介电性能进行了研究,并采用XRD,SEM对微观结构进行了探讨。结果表明:添加适量的TiO2或是混合添加TiO2、ZrO2均能改善CaBSi系微晶玻璃的性能。混合添加比单一添加TiO2更有效。结合材料的烧结性能、介电性能和微观结构,以840℃烧成的添加w(TiO2)为2%、w(ZrO2)为2%的试样性能最佳,其εr为7.1、tanδ为3×10–3,在20~400℃之间的热膨胀系数为7.8×10–6℃–1。     

烧结助剂对硼硅钙微晶玻璃结构和介电性能的影响

研究了烧结助剂P2O5和ZnO对CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃粉末的助烧作用及其对材料的相组成、显微结构和介电性能的影响.结果表明:未添加烧结助剂在1000 ℃烧成的样品晶粒粗大(1～3 μm),且结构疏松.复合添加2%(质量分数,下同)P2O5和0.5%ZnO后,850℃烧成的CBS微晶玻璃中,包含有β-CaSiO3,α-SiO2和CaB2O4 3种晶相,晶粒发育细小均匀,粒径为0.5 μm左右,具有一定量的玻璃相,且结构致密.加烧结助剂制得的样品在10 MHz下,相对介电常数εr为6.38,介电损耗tanδ为0.001 8.加复合烧结助剂P2O5和ZnO有效地降低了CBS玻璃粉末的烧结温度(低于900 ℃),可实现银、铜电极共烧.烧结助剂的作用机理是P2O5促进了液相的生成,ZnO则具有提高液相的粘度,增大烧结温度范围,细化晶粒和防止样品变形的作用.     

非线性Zn—Bi系压敏瓷料的研究

本文系统地研究了Ｂｉ２Ｏ３，Ｓｂ２Ｏ３含量及添加籽晶对ＺｎＯ压敏陶瓷体结构和电性能的影响，用Ｘ－ｒａｙ结合高分辨扫找电镜对瓷体结构和相进行了分析，依据液相烧结理论和双肖特基模型对实验结果进行了解释。     

粉煤灰机械研磨过程中硅氧四面体结构的变化趋向

采用三甲基硅烷化分析技术（TMS）,研究了粉煤机械研磨过程中硅氧四面体结构的变化趋势,研究发现,机械力的作用可使硅氧四面体的硅氧链产生断裂,向生成单个硅氧体方向移动并产生热量,这部分热量也会导致热团聚效应,这是人硅氨四面体结构层次理解机械力的粉碎作用,从结构分析角度初步提出;当机械热分散或吸收时,有利于聚合态的硅氧体向单下氧体分解,当机械力的作用强于颗粒热团聚效应时,也有利于这种破碎分解的进行。     

非线性Zn－Bi系压敏瓷料的研究

本文系统地研究了Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３含量及添加籽晶对ＺｎＯ压敏陶瓷体结构和电性能的影响。用Ｘｒａｙ结合高分辨扫描电镜对瓷体结构和相进行了分析；依据液相烧结理论和双肖特基模型对实验结果进行了解释。     

掺杂物对SrTiO3基瓷晶界层电容器影响的研究

选择La2O3、V2O5掺杂SrTiO、控制合适的Ti/Sr比、添加适量CuO和AS以及调节最佳工艺参数，系统地研究了它们对SrTiO3试样的还原烧结行为、显微结构和介电性能的影响。实验结果表明：V2O5作为施主掺杂物能较大幅度地降低SrTiO3的还原烧结温度；三价离子掺杂大于五价离子掺杂所需的Ti/Sr比；添加适量的CuO、AS能形成厚度适当的高阻绝缘晶界层。通过实验，我们获得了1300℃还原烧成温度下综合性能佳、复现性好的V2O5掺杂SrTiO3 GBBLC。     

回火温度对Mo-V-Ti钢组织与性能的影响

为了研究回火温度、析出相对含Mo-V-Ti钢组织与性能的影响,试验采用550 mm轧机对含Mo-V-Ti钢轧制后进行完全淬火,然后在630~710℃不同的温度下进行回火。结果表明,高温回火后,钢的组织由回火索氏体和少量贝氏体组成,组织中发生回复和再结晶,钢的强韧性匹配发生变化。在670℃以下回火时产生的析出相主要为Ti、V和Mo复合的碳氮化合物和V、Mo复合的碳氮化合物,随着回火温度的提高,产生了新的析出相Fe、Mn和Mo及V合金渗碳体,析出相对钢的强韧性有重要影响。     

铁基阻尼合金的研究现状及发展趋势

铁基阻尼合金具有良好的阻尼性能、力学性能和加工性能,在船舶减振降噪中可发挥重要作用。对铁磁类、层错类、复相类铁基阻尼合金的阻尼性能和力学性能进行了介绍,分析了3类铁基阻尼合金的阻尼机理,并对铁基阻尼合金的发展趋势,尤其在舰船方向的应用进行了展望。     

CaO掺杂对NiCuZn系铁氧体性能的影响

采用传统陶瓷制备工艺制备了CaO掺杂的低温烧结(Ni0.2Cu0.2Zn0.6)1.02(Fe2O3)0.98(NiCuZn)系铁氧体材料,研究了CaO掺杂量对NiCuZn铁氧体电磁性能和微观结构的影响。结果表明:适量的CaO掺杂可以显著改善NiCuZn铁氧体的烧结性能和微观结构,进而影响其电磁性能。在CaO掺杂量为质量分数0.4%时,经885℃烧结3 h制得的NiCuZn铁氧体内部结构均匀致密并具有最佳的综合电磁性能,其起始磁导率、电阻率和功率损耗分别为354,5.6×1011.cm和214.5 kW/m3,另外,其与Ag电极的共烧匹配性良好。     

钙硼硅系LTCC材料性能研究

在低软化点钙硼硅玻璃(LG)[r(Ca:Si)>1]中添加高软化点钙硼硅玻璃(HG)[r(Ca:Si)<1],经低温烧结制备了钙硼硅(CaO-B2O3-SiO2,CBS)LTCC材料(又称CBS微晶玻璃)。利用XRD和SEM,研究了HG的添加量及烧成温度对钙硼硅LTCC材料的物相和微观结构的影响。结果表明,HG玻璃的引入有效提高了LG的烧结性能及拓宽了烧结范围,且有效降低了该材料的相对介电常数。w(HG)为20%时,CBS微晶玻璃能够在850～910℃烧结致密;在1MHz测试频率下,相对介电常数小于7.25,介质损耗小于2×10–3。