野生荞麦营养和药用成分的研究

本文对野生荞麦中的金荞麦(F.cymosum)、细柄野荞麦(F.gracilipes)、硬枝野荞麦(F.urophyllum)和栽培种苦荞(F.tataricum)、甜荞(F.esculentum)的种子进行了蛋白质(protein)、氨基酸(amino acid)、芦丁(rutin)含量的测定,并测定了植株不同器官中的黄酮(flavone)含量。测定结果表明,野生荞麦种子中的蛋白质和必需氨基酸(essential amino acid)含量均高于苦荞和甜荞;芦丁含量则以金荞麦最高,苦荞其次,甜荞最低。金荞麦在茎(stem)、花(flower)、和果实(fruit)中的黄酮含量显著高于苦荞、甜荞和其它野生种,细柄野荞麦、硬枝野荞麦的黄酮含量则与苦荞相当或略低,但明显高于甜荞。因此,野生荞麦是很有开发利用价值的植物资源。     

高活性Fe2O3@Ni复合电极制备及电化学性能研究

以六水三氯化铁为铁源，采用水热法合成了高活性Fe2O3@Ni复合电极材料。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜对产物的物相及微观形貌进行了表征。结果表明在泡沫镍表面原位合成的氧化铁是由直径约为5~20 nm的纳米丝交织而成的，从而构成有序三维网状结构，分布均匀紧密。采用循环伏安测试、恒电流充放电测试研究了Fe2O3@Ni复合电极材料的电化学性能，Fe2O3@Ni复合电极呈现赝电容的特性，在电流密度为1 A/g时，Fe2O3@Ni复合电极材料比电容可达532 F/g。     

微/纳米级磨损测量的电容方法研究

微/纳米级磨损测量是纳米摩擦学和内燃机测试技术的研究热点,是国家重点支持和发展的技术之一.叙述了微/纳米级磨损测量研究的电容方法和传感器原理,重点论述对汽车发动机气缸套磨损测量的特殊平行板电容传感器电容值计算和信号处理方法,给出了初步的实验测试结果与分析.     

探测和分析黄铁矿对现代测井技术的影响

在世界各地的储集岩层中我们已发现了黄铁矿，并认识到它对测井的影响是很大的。在1976年，Clavier等发表了有关黄铁矿对当时的大多数常规测井影响的综合研究报告。从那时起的二十五年里已经涌现出了许多新的测井技术，其中包括高频电阻率测井仪、密度测井仪的光电测量、新一代中子测井仪以及所谓的地球化学仪和NMR（核磁共振测井）。这些测井技术中的一些对黄铁矿很灵敏，而另外一些在理论上完全不受其影响，因此现在是考虑黄铁矿怎样产生影响以及利用这些影响去识别和定量分析它的好时候了。我们可用以下几个参数从常见的沉积矿物中分辨出黄铁矿：1．最大电导率；2．最大密度；3．高含铁量及其较大的平均原子数。黄铁矿对电阻率仪的影响特别明显，因为当含量达到百分之几时，它就能把地层电阻率大大减小到某点，而在此点实际上被认为是无法识别出水和含油气岩石。而且所有其它情况的出现与电阻率随频率增加而下降有关，因此LwD（随钻测井）仪器严重地受黄铁矿的影响。按重量计算，黄铁矿中大约含有50％的铁，而铁吸收中子和低能电子的能力很强，因而它使光电因子和中子孔隙度大大增加。这些影响因子有助于识别出黄铁矿，但却有碍于常规解释。虽然这些测量的精度较差，在某些井眼条件下不能被使用，但在适当的夺件下，利用光电因子可得出近似的黄铁矿含量值。由于黄铁矿的存在，中子孔隙度也受密度增加的影响。利用这种影响可准确地估计出骨架密度和黄铁矿含量。利用超热中子相互作用的中子测井仪最适合利用在这方面。本文将通过参考在含黄铁矿砂岩中获得的实际测井来说明和讨论这些影响。     

一种直流供电低压钠灯电子镇流器及其控制方案

提出了一种高性能直流供电的数字式低压钠灯(Low pressure sodium lamp,简称LPS lamp)电子镇流器。该镇流器采用推挽直流变换器和半桥LCC两级结构,实现了镇流器的高效率,满足了灯的启动和稳态要求。给出了相应的控制策略,并通过实验验证了该方案的有效性和可行性。     

用于补偿中子孔隙度测井的可控中子源技术

Am-Be源在核测井仪器中使用,具有非常强的放射性。近十年来,普遍采用小型D-T中子发生器,但这类发生器含有几个居里的氚,仍具有放射危险性。相对于Am-Be和D-T源,D-D中子源不含放射和化学危险源,在作业使用和处理上比较安全。     

农业高等院校信息类专业英语教学改革

根据农业高等院校信息类专业英语课程的教学特点以及结合多年专业英语教学实践经验,针对目前信息类专业英语教学过程中普遍出现的问题,从教师队伍建设、教学模式创新以及教材建设等方面研究了信息类专业英语教学改革的必要性及具体措施。     

TiO_2纳米颗粒掺杂对Sn-3.0Ag-0.5Cu-xTiO_2焊点界面Cu_6Sn_5 IMC晶粒生长的影响机理

研究了Ti O2纳米颗粒掺杂影响回流焊过程中Sn-3.0Ag-0.5Cu-x Ti O2焊点界面Cu6Sn5金属间化合物(intermetallic compound,IMC)晶粒生长机理.基于Cu原子扩散通量驱动晶粒成熟生长(flux driven ripening,FDR)理论模型分析了Cu6Sn5IMC晶粒生长机理.结果表明,Ti O2纳米颗粒掺杂改变了焊点界面Cu6Sn5IMC晶粒形貌和尺寸.含Ti O2纳米颗粒的焊点Cu6Sn5IMC晶粒尺寸要小于不含Ti O2纳米颗粒的焊点,且晶粒分布要更加均匀.试验数据与FDR理论模型基本吻合.Cu6Sn5IMC晶粒生长指数分别为0.346,0.338,0.332和0.342,这说明Cu6Sn5IMC晶粒生长是由原子互扩散和晶粒成熟共同控制.