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31.
文章分析了核电站建造阶段在传统管理模式下存在的问题及行业数字化转型的现状,结合W公司在核电站建造阶段数字化应用的实践经验,提出从工程实体的数字化与人、机、料、法、环等工程各生产要素的数字化应用出发,全面推动核电站建造阶段数字化应用与转型.  相似文献   
32.
铝锰合金是炼钢用的元素添加剂和脱氧剂,对其中锰含量的准确测定能够更好地控制其产品质量。试料用王水溶解,在热的浓磷酸介质中,用高氯酸将锰(Ⅱ)氧化到锰(Ⅲ),以N-苯代氨基苯甲酸为指示剂,用硫酸亚铁铵标准溶液滴定锰(Ⅲ)至锰(Ⅱ),溶液颜色由紫色变为亮黄色,记为终点,建立了硫酸亚铁铵滴定法测定铝锰合金中锰的方法。在pH 6.0~7.0的焦磷酸钠介质中,采用复合式铂电极,用高锰酸钾标准溶液缓慢滴至电位突跃记为终点,建立了高锰酸钾电位滴定法测定铝锰合金中锰的方法。铝锰合金中常见的杂质元素铬、铜、铁、镁、钛、镍、硼、硅对两种方法的测定结果影响较小,可忽略。若存在钒和铈,在硫酸亚铁滴定法中需进行校正扣除。将两种方法用于铝锰合金样品分析,硫酸亚铁铵滴定法的相对标准偏差(RSD,n=11)为0.36%~0.50%,加标回收率为99.2%~100.8%。高锰酸钾电位滴定法的相对标准偏差(RSD,n=11)为0.39%~0.68%,加标回收率为99.2%~100.7%。选取AlMn20合金,采用标准方法GB/T 20975.7—2020进行方法验证,用F检验和t检验确定了两种方法都与标准方法有较好的一致性。  相似文献   
33.
某厂的助剂(BFR)管线在生产过程中发生点蚀,并且在补焊过程中出现了开裂。我们从腐蚀环境、腐蚀形态、材质等方面分析了腐蚀失效发生的原因,并提出相关建议,避免类似失效事件的再次发生。  相似文献   
34.
利用化学沉淀法在球形Ni(OH)2表面复合包覆Co(OH)2和Er(OH)3,利用XRD、SEM和恒电流充放电技术测试其结构、表面微观形貌和充放电性能。研究不同包覆量对其常温和高温性能的影响,确定最佳包覆比为1%(质量分数)。循环伏安测试结果表明:包覆Er(OH)3的球形Ni(OH)2可以有效提高镍正极在高温环境下的析氧副反应电位,从而抑制析氧副反应的发生,最终提高镍电极在高温环境下的充电效率和活性物质利用率。  相似文献   
35.
Si基ZnO纳米结构太阳能电池光伏性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在洁净的p型Si片上通过旋涂法组装了单层有序排列的聚苯乙烯微球(Polystyrene spheres,PS)阵列模板,然后在PS模板上旋涂1层ZnO先驱薄膜,清洗掉PS模板,制得周期性ZnO先驱薄膜点阵,再通过水热法生长ZnO纳米棒。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对样品进行表征,结果显示ZnO薄膜为柱状ZnO阵列,基于Si衬底沿c轴择优生长。以150W氙灯为模拟光源,照射Si/ZnO异质结太阳能电池器件,通过万用电表测试其伏安特性。性能最好的样品的光电转换效率为1.23%,填充因子为62%。  相似文献   
36.
在进行土-结相互作用振动台试验中,最常用的盛土容器为叠层剪切箱。但目前已研制出的剪切箱还只能进行一个水平方向的剪切运动,不能满足我们对三维土-结相互作用研究的要求。本文在总结国内外研制叠层剪切箱经验的基础上,研制出了刚度可调的三维叠层剪切箱。通过三层三跨地下结构砂土夹层试验,证明了本剪切箱不但能够进行三维土-结相互作用振动台试验,而且能够很好的解决模型箱的边界效应问题。同时,针对不同试验中所选择的模型土种类的不同,可以调整剪切箱的刚度,以满足试验对降低模型箱边界效应的要求。  相似文献   
37.
以舟山某商务中心工程为例,对中庭顶部的悬空混凝土构件模板支撑系统提出了三种施工备选方案,经比较分析,最终采用型钢支架平台搭设支撑系统的方法,并对设计计算、搭设过程、注意事项等进行了较为详尽的阐述。通过工程的顺利实施,证明该方案是安全可行的。  相似文献   
38.
研究精铟的化学清洗提纯过程,提出甘油碘化钾熔炼及甘油氯化铵熔炼相联合进行化学提纯的方法.研究表明:该方法可将镉、铊等杂质含量降低到10-6以下,并可直接得到表面光亮平整无杂色的铟电极,化学清洗提纯工艺简单易操作;甘油碘化钾熔炼提纯的最佳实验条件是质量比控制在m(KI):m(In)≥0.01,m(glycerin):m(In)≥0.3,搅拌时间控制在1 h;甘油氯化铵处理时氯化铵的用量应控制在m(NH4Cl):m(glycerin)=0.15.  相似文献   
39.
介绍了湖南华电长沙发电公司脱销系统运行概况、催化剂使用寿命的概念及其意义。通过对脱硝效率主要影响因素,尤其是催化剂有关参数的深入分析,从脱销系统催化剂反应器设计优化、运行优化、维修检查以及吹灰控制对延长催化剂使用寿命等方面进行了探讨,为其他电厂脱销系统运行、降低脱硝系统维护和运行成本提供参考。  相似文献   
40.
自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器   总被引:2,自引:1,他引:2  
对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B.  相似文献   
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