油田污水处理技术研究

阐述了油田污水中分散油和乳状油的处理方法,并分析了目前污水处理中存在的问题,探讨了油田污水处理的发展趋势。     

植物提取复合酶的研制与应用试验研究

对植物药有效成分提取用酶进行了研制，所得产品组分及活力分别为：纤维素酶(FPA)活力为5582μ/g，半纤维素酶(以木聚糖酶计)活力为79万μ/g，果胶酶活力为12．6万μ/g；并用于薯蓣、三七、黄芪和女贞子等植物药有效成分提取实验，结果表明：植物提取复合酶较传统方法提取有效成分，其提高率分别为70％，28．9％，337％和107．5％，且具有很好的重复性和稳定性。     

高工作温度InAlSb红外探测器的研究进展

概括了国外InAlSb红外探测器的研究现状、材料性质以及发展趋势,并介 绍了几种不同的器件结构及其性能情况。InAlSb/InSb红外探测器的设计目标主要是通过抑制暗电流来 提高探测器的工作温度。近年来,基于传统InSb探测器的成熟工艺与技术,InAlSb探测器的性 能得到了不断提升。该研究对红外制导、预警等军事领域具有重要的研究意义和应用价值。     

化学沉淀PbS光导薄膜响应均匀性的改进

对化学沉淀法制备的PbS薄膜,通过优化沉淀方法、敏化过程,改善了PbS薄膜成分和形貌的均匀性.由改进后的薄膜所制备的光导PbS探测器,在大尺度(25 mm)光敏元尺寸下,光电响应的不均匀性由改进前的±50%减小为±25%.     

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料台面腐蚀

研究了InAs/GaSbⅡ类超晶格的几种台面腐蚀方法.实验所用的InAs/GaSbⅡ类超晶格材料是使用分子束外延设备生长的,材料采用PIN结构,单层结构为8 ML InAs/8 ML GaSb.腐蚀方法分为干法刻蚀和湿法腐蚀两大类.干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛,包括甲基、氯基和氩气;湿法化学腐蚀采用了磷酸系和酒石酸酸系的腐蚀液.腐蚀后的材料台阶高度是使用α台阶仪测量,表面形貌通过晶相显微镜和扫描电镜表征.经过对比研究认为,干法刻蚀中甲基气氛刻蚀后的台面平整,侧壁光滑,侧壁角度为约80度,台阶深度易控制,适合深台阶材料制作.湿法腐蚀中磷酸系腐蚀效果好,台面平整,下切小,表面无残留,适用于焦平面红外器件制作工艺.     

InSb红外焦平面探测器结构应力的ANSYS分析

借助有限元软件系统分析了铟柱取不同直径时红外探测器整体结构的应力分布.模拟结果表明,在固定铟柱高度的前提下,当铟柱直径以2μm的步长从36μm减小到18μm的过程中,InSb芯片上的最大应力值呈现出先减小,后线性增加的趋势,但铟柱上应力最大值始终保持在15.7MPa左右,且分布几乎不变.S i读出电路上的应力小于InSb芯片上的应力值,变化趋势类同于InSb芯片上应力的变化趋势.铟柱直径取30μm时,InSb芯片和S i读出电路上的应力均达到最小值260MPa和140MPa,整个器件的应力分布在接触区呈现明显的集中性、均匀性,分布更合理.     

焦平面探测器测试系统有源低通滤波器设计

低漂移、低噪声的直流偏置电压是红外焦平面探测器测试系统的重要组成部分。根据探测器测试系统的具体需求,设计出一种七阶无漂移全极点有源低通滤波器。对电路的交流仿真结果表明所设计的滤波器满足设计要求,能有效抑制工频与高频噪声干扰;对滤波器的衰减特性和传输特性进行Monte-Carlo分析,得出此滤波器元件具有统计灵敏度低的优点;最后就电阻元件对输出信号噪声的影响进行分析,得到了各电阻对输出信号的噪声影响和输出信号的总噪声功率谱密度曲线。     

多元红外探测器综合性能参数自动测试系统

针对多元红外探测器过程质量控制和批量检测需求,研究开发了一套多元红外探测器综合性能参数自动测试系统,系统整体噪声水平<2mV,通道增益一致性优于1.60%,实现了动态阻抗、探测率、电压/电流响应率、I-V曲线、启动时间、续冷时间、元间均匀性等参数的全自动测试.针对某型号探测器的测量实验表明,该测试系统具有较好的测量精度和稳定性.     

ITO/HgInTe肖特基的光电特性

碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物.在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率.为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等离子增强化学气相沉积在碲铟汞表面形成氧化层.运用直流平面磁控溅射技术和热电子蒸发技术分别在单晶HgInTe表面形成了ITO(SnO2 In2O3)/HgInTe和In/HgInTe接触,利用I-V测试仪对其I-V特性进行测量,运用能带结构和异质结理论对测量的,I-V结果进行了描述,测量结果符合热电子发射理论.结果表明:ITO/HgInTe形成具有整流特性的肖特基接触,通过计算得到了ITO/HglnTe的肖特基势垒高度为0.506 eV,理想因子n为3.2,串联电阻Rs为2 600 Ω;In/HgInTe形成欧姆接触.并且发现了在波长1.55 μm处有很好的响应光谱,同时室温下峰值探测率D*λ达到了1011cm·Hz1/2·W-1.     

大面积PbS光导薄膜制备工艺优化

对化学沉淀法制备的PbS薄膜,通过优化沉淀方法、敏化过程,改善了PbS薄膜成分和形貌的均匀性.由改进后的薄膜所制备的光导PbS探测器,在大尺度(25mm)光敏元尺寸下,光电响应的不均匀度由改进前的±50%减小为±25%.