InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱

采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长晶体结构完整和表面平整的Ⅱ型超晶格InAs(1.2 am)/GaSb(2.4 am).拉曼光谱表明:随着温度从70 K升高至室温,由于热膨胀作用和光声子散射过程中的衰减,超晶格纵光学声子拉曼频移向低波数方向移动5 cm-4,频移温度系数约为0.023 cm-1/K.光致发光(PL)峰在2.4～2.8 μm,由带间辐射复合和束缚激子复合构成,2.55 μm PL峰随温度变化(15～150 K)发生微小红移,超晶格中InAs电子带与GaSb空穴带带间距随温度变化比体材料的禁带宽度小.PL发光强度在15～50 K随温度升高而升高,在60～150 K则相反,并在不同温度段表现出不同的温度依赖关系.     

100m^3柠檬酸发酵罐节能改造试验研究

本文叙述了将通用式柠檬酸发罐履行为喷环式好氧发酵罐，生产搅拌电流下降32．25％－34．29％，柠檬酸生产粮耗下降2．26％，通风量增加5％－10％，发酵周期略有延长，且改造费用低，投资回收期短，具有明显的节能降耗作用。     

"网络库塘"工程在农业生产中的应用

2003年延寿县遭受了建国以来特大干旱,在历史罕见的大旱之年,库塘工程发挥出了网络串联灌溉的优势,相互输导,合理调配水量,充分利用水资源,既保证了水田补水,又保证了旱田灌溉,实现了旱能灌,涝能排,旱涝保收的现代治水新模式,确保了延寿县农业增收,经济持续稳定发展。1“网络库     

高校学科专业结构与大学生就业相关性研究

本文分析了辽宁高校学科专业结构与大学生就业的适应性问题,从实行多学科渗透和融合,大力推进学科专业综合化;建立与就业率挂钩的高校学科专业动态调节机制;形成高校自主设置专业与市场调节相结合的长效机制;适应辽宁经济社会发展“十二五”规划及东北振兴“十二五”规划需求,重点发展与产业布局相关的学科专业;科学制定高校学科专业发展战略规划等五个方面,提出推动大学生就业的主要对策。     

打造武术传播的代言人

打造武术传播的形象代言人是武术发展中一个重要环节,也是武术发展的一条捷径.学习其它成功塑造形象代言人形式的经验和自身探索相结合将是武术发展的一条必由之路.培养和外部辅助因素相结合,使我们的代言人脱离"花瓶"的阴影,使其真正成为偶像,充实内在修为,并合理的引导其成名后的发展之路,脱离许多偶像明星无果而终的尴尬.为武术发展而探索,望能起到抛砖引玉之功效.     

AlGaN MSM紫外探测器

用通过MOCVD生长的未掺杂的n-Al0．3Ga0．7N制备了金属-半导体-金属 (MSM)结构紫外探测器。器件在2．5V偏压时的暗电流为1pA,在6．5V偏压时的暗电流为1nA．在1V偏压下和298nm波长处,探测器的电流响应率为0.038A／W,在300nm 波长处有陡峭的截止边,这与文献中介绍的AlxGa1-xN探测器在x=0．3时截止波长为 300nm相一致。     

浅析发酵法生产柠檬酸过程的菌种管理

本文就柠檬酸生产中菌种的管理进行了料详细的论述,对生产企业具有一定的参考价值。     

基于MATLAB红外双波段成像探测器性能仿真

红外双波段成像探测器能接收目标和干扰源在两个波段上的辐射能量.从普朗克黑体辐射定律出发,根据MATLAB软件模拟出的目标和干扰源的辐射特性来选择SW/MW两个红外波段.首先利用仿真程序计算InSb面阵探测器对于点黑体和面黑体的响应结果,由计算结果和测试结果较好的一致性,说明设计的MATLAB仿真程序具有实用性.再从实际研制的HgCdTe 128×128叠层式双波段器件结构考虑,通过一定的变换,利用仿真程序对HgCdTe SW/MW双波段成像探测器进行参数性能仿真,达到利用成像及双色比来区分目标和干扰的目的.     

一种制备Au/n-Al0.3Ga0.7N横向肖特基二极管的方法

用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管.器件在零偏电压处的背景光电流为87.3 pA.从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度B0和串联电阻RS分别为1.99、0.788 eV和10.2 kΩ.器件在305 nm波长处有陡峭的截止边,300 nm峰值波长处电流响应率为0.034 A/W.     

Pt/HgInTe肖特基红外探测器的抗辐照特性

碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)X-(Hg3Te3)1-X(X=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物.为了研究γ辐照对碲铟汞肖特基红外探测器的影响,首先运用直流平面磁控溅射技术在单晶HgInTe表面形成了Pt/Hg3In2Te6接触,然后对HgInTe晶片及其制作的Pt/HgInTe肖特基器件用不同剂量的γ射线进行辐照,利用I-V测试仪对其辐照前后的I-V特性进行测量,得到了辐照前后的反向漏电流,利用傅里叶红外光谱仪对辐照前后的响应光谱进行了对比,发现在短波方向响应光谱随辐照剂量的增大明显下降,但辐照剂量对于峰值波长的位置和截止波长的位置基本上没有明显影响,同时对辐照前后器件的探测率进行了对比,发现探测率随着辐照剂量的增大有所下降,但下降幅度和器件本身性能有关.最后对γ辐照引起探测器性能变化的辐照损伤机制进行了探讨,认为HgInTe在辐照剂量达到1×108 rad(Si)时,其性能也没有数量级的变化,具有很好的抗辐照特性.