微电子机械器件压膜空气阻尼的一般化雷诺方程

推导建立了一个用于微电子机械(MEMS)器件压膜空气阻尼的一般化微分方程.该方程很好地解决了分析有限尺寸孔板的边界和孔板的厚度对压膜阻尼的影响的困难.结合边界条件求解该方程可以得到各种压膜阻尼结构中的阻尼压强分布和阻尼力.以长条板为例得到了有限宽度和有限厚度孔板压膜阻尼的压强分布和阻尼力的解析解,在非孔板的条件下该解退化为一般传统雷诺方程的解,而在无限大薄孔板的极端条件下,该解也与传统雷诺方程在此条件下的解相一致,进一步证明了该方程的正确性.因此,该一般化的雷诺方程为MEMS器件的压膜阻尼设计提供了有效的手段.     

侵彻过载高速存储测试的研究与实现

针对混合型单片机应用中数据捕获率不足问题,在分析其机理及原因基础上,采用外置高速模数转换器（A/D）与单片机的串行通用接口（SPI）构成串行采集存储结构.利用单片机所提供的时钟源将数据捕获率由200 ksps 提高到780 ksps,在此基础上提出了三轴过载测量总体方案.研究结果表明,通过提高SPI 总线时钟速率,可将数据捕获率进一步提高到2.5 Msps,这将作为今后的研究方向.     

影响侵彻过载测量的因素分析

研究弹体侵彻过载特性具有重要意义,通过试验实测弹体过载,为系统研究过载特性提供可靠依据。目前,存储测试技术在高 g值侵彻过载测试技术中得到了较为广泛的应用。本文基于前人研究成果,总结并论述了影响弹体侵彻过载测量准确性的几个关键因素,提出提高测量精确度的部分解决方法,研究结论对保证测试结果的有效性具有重要的参考价值。     

基于圆片级阳极键合封装的高g_n值压阻式微加速度计

设计了一种适合于高gn值压阻式微加速度计圆片级封装的结构,解决了芯片制造工艺过程中电极通道建立、焊盘保护、精确划片等关键技术。采用玻璃—硅—玻璃三层阳极键合的方式进行圆片级封装,较好地解决了芯片密封性、小型化和批量化等生产难题。在4 in生产线上制作的高gn值压阻式微加速度计样品,尺寸仅为1 mm×1 mm×0.8 mm;对传感器进行的校准与抗冲击性能测试,结果表明:样品具备105gn的抗冲击能力、0.15μV/gn/V的灵敏度以及200 kHz的谐振频率。     

基于无掩模腐蚀技术的高性能微加速度传感器

针对深沟槽内结构制作困难的问题,基于单晶硅各向异性腐蚀原理,推导了[100]单晶硅在KOH溶液中无掩模腐蚀过程台阶宽度与无掩模腐蚀深度之间的解析表达式,通过工艺实验确定了单晶硅[311]面与[100]面的腐蚀速率比;采用适合于三明治微加速度传感器硅芯片制作的无掩模腐蚀成型工艺流程,实现了深沟槽内悬臂梁的准确成型,研制出一种±100gn量程的微加速度传感器.样品测试表明:运用无掩模腐蚀技术制作的微加速度传感器相对精度优于6 ×10-5,灵敏度为17.78 mV/gn.