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71.
多维尺度分析已经在维度约减和数据挖掘领域得到了广泛应用。MDS的主要缺点是其定义在训练数据上,对于新的测试样本无法直接获得映射结果。另外,MDS基于欧氏距离度量,不适合获取相似数据中的非线性流形结构。将MDS扩展到关联度量空间,称为关联度量多维尺度分析(CMDS)。与传统MDS在训练数据中完成映射,进而缩小空间范围相比,CMDS 能够直接获得测试样本映射结果。此外,CMDS基于关联度量,能够有效学习相似数据中的非线性流形结构。理论分析表明,CMDS可以利用核方法扩展到新特征空间,解决非线性问题。实验结果表明,CMDS及其核形式KG-CMDS性能优于常用传统降维方法。  相似文献   
72.
我厂以BPPD—HPMC体系生产XS—2型XS—3型XS—4型树脂年产量为3000吨。 1983年一级品率为59.7%,主要是挥发份问题,黑黄点影响最多占10%。而今年2~6月份,一级品率却急剧下降,成品PVC树脂中黑点骤然增高,影响因素达90—100%上半年一级品率仅40%,并且黑点过高,造成次品47.7吨(其中仅有1.6吨是因黄点偏高造成的),合格率仅为96.89%。 针对上述情况,我们分别对涂布,气路  相似文献   
73.
平面工艺辐射探测器的研制   总被引:1,自引:1,他引:0  
使用高阻 Si材料 ,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器—— PIN二极管 .采取 HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小 PIN二极管的暗电流 (反向电流 ) ,这对于提高器件性能起到了关键作用 .电压为 - 5 V时 ,探测器的暗电流可达 n A/ cm2 量级 .讨论了器件暗电流与少子寿命的关系  相似文献   
74.
平面工艺辐射探测器的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
使用高阻Si材料,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器——PIN二极管.采取HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小PIN二极管的暗电流(反向电流),这对于提高器件性能起到了关键作用.电压为-5V时,探测器的暗电流可达nA/cm2量级.讨论了器件暗电流与少子寿命的关系.  相似文献   
75.
随着企业信息化建设的推进,信息系统安全问题也日趋重要,其逐渐成为影响业务顺利运行、制约企业生产发展的重要因素之一。以马钢设计研究院信息安全系统建设为例,研究探讨了企业信息化系统安全建设的策略和方法,并提出了以标准化的管理与先进的网络技术两者相结合的手段来构建企业信息安全系统的思路。  相似文献   
76.
图像分割方法在人脸识别中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
人脸识别由于受到光照、表情、姿势等因素的影响一直没有能够取得非常满意的识别率。提出了基于图像分割的人脸识别方法,该方法同时考虑了人脸图像中特征信息和结构信息,实验采用AR和ORL人脸数据库,结果表明该方法能有效提高人脸识别的准确率,同时对表情变化、灯光具有一定的鲁棒性。  相似文献   
77.
肠衣为我国大宗出口商品,在国际市场上占有一定的地位。肠衣质量的好坏直接影响到我国肠衣商品的出口量,而肠衣质量的重要方面之一与肠衣色泽紧密相关。因为肠衣色泽的  相似文献   
78.
紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管   总被引:2,自引:1,他引:2  
描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380~500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400~900nm光谱范围内达到70%~80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件.  相似文献   
79.
在研究某高炮重力矩、平衡力矩的基础上,对某高炮平衡机进行了优化设计。建立不平衡力矩理论模型,确定平衡机优化设计目标函数及设计变量,形成平衡机优化设计数学模型。基于复合形法,编制优化设计计算程序,获得了某高炮高低射界内平衡机优化设计参数。平衡机优化设计结果能很好满足高炮的总体布置及使用性能要求,提高了平衡机设计效率。  相似文献   
80.
描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380~500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400~900nm光谱范围内达到70%~80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件.  相似文献   
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