The Bipolar Field-Effect Transistor: ⅩⅢ. Physical Realizations of the Transistor and Circuits (One-Two-MOS-Gates on Thin-Thick Pure-Impure Base)

This paper reports the physical realization of the Bipolar Field-Effect Transistor (BiFET) and its one-transistor basic building block circuits. Examples are given for the one and two MOS gates on thin and thick, pure and impure base, with electron and hole contacts, and the corresponding theoretical current-voltage characteristics previously computed by us, without generation-recombination-trapping-tunneling of electrons and holes. These ex-amples include the one-MOS-gate on semi-infinite thick impure base transistor (the bulk transistor) and the impure-thin-base Silicon-on-Insulator (SOI) transistor and the two-MOS-gates on thin base transistors (the FinFET and the Thin Film Transistor TFT). Figures are given with the cross-section views containing the electron and hole concen-tration and current density distributions and trajectories and the corresponding DC current-voltage characteristics.     

利用Astro对ePro系统进行布局布线

本文详细介绍了利用Synopsys公司的布局布线工具Astro对ePro系统进行版图设计的流程和注意事项。     

信息化与监管统计

大力推动信息科技建设,建立以法人为主体、以风险统计为核心的全面反映金融机构经营情况的与国际接轨的先进的统计制度,建立银行业金融机构统一、标准、规范的信息披露制度,满足现场检查和非现场监管的需要,满足风险监管和预警体系评价的需要,满足银行监管透明度的需要,是"管法人、管内控、管风险、增强透明度建设"的现代监管理念在银行监管统计工作领域的反映.本文基于构建与国际接轨的银行监管统计信息平台的目标,从理念、制度和技术层面,探讨了银行业监管统计工作转轨和创新的观念变革以及充分发挥监管统计的信息、咨询和监督功能的路径.     

非致命动能武器研究现状及发展趋势

介绍了国外几种典型的非致命动能武器,分析了现有非致命动能武器在可控性、发射性能等方面存在的不足,针对非战争军事行动（MOOTW）对非致命动能武器提出的挑战,从用途、精度、射程等几个方面分析了非致命动能武器的发展趋势。     

毫米波MIMO系统中稀疏度自适应的压缩感知信道估计

利用毫米波MIMO系统的稀疏特性,信道估计可以转化为稀疏信号重构的问题。解决毫米波MIMO稀疏信道估计问题时,传统的OMP方法需要信号的稀疏度作为先验信息,实际系统难以满足此需要。文中引入StOMP算法,根据信号已知的稀疏先验信息确定阈值,并结合动态的阈值调整,提出一种新的StOMP-D算法,实现了稀疏度自适应的毫米波MIMO信道估计。仿真结果表明,所提的方法与传统的LS方法比较,信道估计性能显著提高,并且与稀疏度已知的OMP方法性能十分接近,在稀疏度未知时有明显的优势。     

基于灰色关联度的提升小波域图像融合算法

针对多聚焦图像,提出了一种基于提升静态小波变换(Lifting Stationary Wavelet Transform,LSWT)和灰色关联度相结合的图像融合算法.首先将待融合的两幅图像分别进行提升静态小波变换,低频分量采用平均法融合.其次针对低频分量和各个方向的高频分量,分别计算以每个像素为中心的方块的能量和均值.然后按照一定的融合规则,分别得到高频分量融合后的值.最后进行提升小波逆变换,得到融合后的图像.实验结果显示,该方法融合效果较好,优于传统算法.     

场引晶体管双极理论:Ⅹ.基本物理和理论(所有器件结构)

本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高、流进内禀晶体管、飘移限制抛物型电流,电化学势边界仿真电子和空穴接触,给出很低、越过势垒注入、扩散限制电流,具有理想、每量级60mV、指数型亚阈值区倾斜.双MOS栅薄纯基硅场引晶体管为典型结构.     

MOS 场引晶体管双极理论和实验

提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性--两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验,利用硅FinFET,含(金属/硅)和(p/n)结,源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管,实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路.     

基于学习通和BOPPPS模型的混合式教学实践

针对课堂教学中存在的问题,尝试基于学习通和BOPPPS模型的《数据库原理与应用》课堂混合式教学设计实践。首先阐述了学习通+BOPPPS模型的教学模式,然后以“函数在查询中的应用”为例,围绕课前(导言、学习目标、前测)、课中(参与式学习、后测)、课后(总结),探讨了学习通+BOPPPS模型在课堂教学设计中的具体应用,提高学生的学习能动性,提高教学质量。     

场引晶体管理论:XI.双极电化电流（薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极）

场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场．自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流．多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解．当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差．本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流．用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体（x,y,z）晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件．没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程：半无限厚不纯基上一块栅极（传统的Bulk MOSFET）,与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极（SOI）,在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极（SOI TFT）,和薄纯基上两块栅极（FinFETs）．