高交联度易加工硅烷交联管材专用料的研制

介绍了采用二步硅烷交联工艺制备高交联度易加工硅烷交联管材专用料的方法,讨论了基础树脂、助剂对专用料交联度和加工性能的影响;通过加入自由基捕捉剂的方法,抑制接枝反应过程中的碳-碳大分子交联,解决了二步法硅烷交联领域的技术瓶颈问题,使硅烷交联管材专用料既具有高的交联度又具有良好的加工性能.     

Ni2P/ZrO2催化剂对苯酚的加氢性能

采用浸渍法及热分解法合成了不同负载量的Ni₂P/ZrO₂催化剂,通过XRD、TEM和氮气吸脱附等多种手段表征其物理化学性质,并通过对苯酚的加氢处理来研究载体对Ni₂P活性的影响。结果表明：Ni₂P分散负载在ZrO₂的表面,ZrO₂载体降低了Ni₂P的粒径,有效防止了Ni₂P的聚集,显著提高了Ni₂P对苯酚加氢脱氧的活性。在相同催化条件下,10%-Ni₂P/ZrO₂呈现出最佳催化活性。以10%-Ni₂P/ZrO₂为代表考察催化反应最优条件,在反应温度300℃、初始氢气压5MPa下反应2h,苯酚转化率达到90.8%,环己烷选择性达到91.7%。     

基于质子交换膜燃料电池的冷热电联产系统研究进展

将质子交换膜燃料电池应用于冷热电联产系统中,可有效提高系统效率,实现冷热电供能的可持续发展。本文介绍了基于质子交换膜燃料电池的冷热电联产系统的数学建模、运行策略、能源管理、多维评价、系统优化理论与应用等方面的研究进展。根据现有研究,从能源禀赋、供需整合与多尺度建模、多能互补供能、系统评价体系、系统集成优化多方面指明未来该系统的研究可从多尺度建模、源网荷储深度融合、完善系统评价体系以及系统优化与实时调控等方面进行,为得到更为全面高效稳定的质子交换膜燃料电池冷热电联供系统提供新思路。     

电流密度对电沉积铜膜剩余电阻率的影响

为了获得1.3 GHz功率耦合器的镀铜膜,研究不同电流密度和沉积时间对镀铜膜剩余电阻率(RRR)的影响。电流密度分别为1、1.5和2 A/dm~2,沉积时间为1～6 h,讨论了铜膜RRR值、微观形貌、表面粗糙度和织构随镀层厚度的变化。结果表明,随着电流密度减小和沉积时间延长,表面粗糙度变大,铜膜RRR值增大。在电流密度为1和1.5 A/dm~2下沉积的铜膜,随着沉积时间的增加,晶胞结节变大,(111)晶面的织构系数增加,铜膜RRR值变大。在电流密度为2 A/dm~2下沉积的铜膜中含有孔洞缺陷,导致铜膜的RRR值显著下降。硬X射线自由电子激光装置的1.3 GHz功率耦合器的铜膜采用电流密度为1 A/dm~2,沉积时间为4 h的镀铜工艺,其铜膜RRR值、铜膜与基体结合力、高低温适应性以及微波功率均满足实际工程应用。     

臭氧氧化同时脱除烟气中NO和SO_2的研究

燃煤烟气往往含有大量NO和SO2,它们会引起严重的光化学污染和酸雨现象。采用臭氧氧化-碱液吸收工艺,实现同时脱硫脱硝,使出口烟气能够稳定达标排放。实验结果表明,当温度≤150℃,O3∶NO物质的量比为1时,NO氧化率高于90%,当温度达到200℃后,臭氧分解速率显著增加,NO氧化率显著降低。烟气中SO2的存在会使NO的去除率略微降低,但是影响不大,且O3对SO2的氧化率约为5%左右。将臭氧氧化后的烟气分别采用NaOH和Ca(OH)2溶液吸收,研究发现,相同质量浓度时,NaOH溶液对NOx具有更好的吸收效果;当pH值大于4时,NOx和SO2的去除率分别能达到80%以上和接近100%。     

双机容错在医院信息系统中的设计与实现

双机容错是确保医院信息系统正常运转，防止数据丢失的重要技术。现针对目前多数综合性医院HIS系统中所面对的数据备份与安全策略的问题，结合医院的实际情况设计出了一套既实用又可靠的策略，并阐述了双机容错的具体设计与实现方法。     

渐进式开关向量中值滤波器

本文介绍了一种针对脉冲噪声的新滤波器——开关向量中值滤波器。这种滤波器将脉冲噪声检测和向量中值滤波器的优点结合在一起。与其他滤波器相比较,该方法获得了更好的去噪效果。     

水性漆在路面机械零部件面漆化涂装上的应用

介绍了路面机械零部件面漆化涂装水性漆工艺,讨论了水性漆在应用过程中易出现的质量问题,包括漆面产生痱子,底漆与腻子层之间结合力差,抛丸薄弱位置涂层脱漆等,并提出了解决方法。为提升水性漆涂装线的生产效率,可采取以下措施:零部件钢轮采用底面合一黑灰哑光水性漆涂装,压路机、平地机主机架取消腻子,无腻子零部件水性漆采用湿碰湿喷涂工艺。     

柱面螺旋槽的四轴加工方法

以截面轮廓尺寸较大且复杂的柱面螺旋槽结构零件加工为例,介绍了一种四轴铣削加工方法.该方法较好地解决了此类型螺旋槽的加工难题,是加工此类结构零件的通用方法.     

西门子法生产多晶硅还原过程节能降耗的模拟优化

利用吉布斯自由能最小原理,在Aspen Plus的Gibbs反应器模块中对传统西门子法还原过程进行模拟分析。考察了主要操作参数对多晶硅和副产物的转化率及能耗的影响。经过工艺参数优化,得到压力为100 kPa,氢气与三氯氢硅摩尔比为3/1时,多晶硅产率为44%,能耗为0.018 5 GJ/kg。同时模拟了在传统工艺的进料中加入二氯二氢硅,得到在100 kPa下,二氯二氢硅、三氯氢硅和氢气摩尔比为1∶1∶5时,与传统工艺相比多晶硅产率提高9.5%,四氯化硅产率降低8.5%,能耗降低33%,节约氢气16.7%。