国产高纯铝箔的隧道腐蚀——Ⅴ.高比容高强度腐蚀箔的获得

用重铬酸铵取代盐酸+硫酸+铬酸酐+氟化铵溶液中的铬酸酐,作为第一级电化学处理液,调节重铬酸铵的含量,使国产LG5Y铝箔经扩面处理后的腐蚀箔抗拉强度大于14.7N·cm~(-1),在375V下形成后比容大于0.9μF·cm~(-2)。     

前驱体热处理温度对LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2材料的影响

以NaCO3为沉淀剂,NH3·H2O为缓冲溶液,将NiSO4、CoSO4和MnSO4混合溶液共沉淀制备（Ni1/3Co1/3Mn1/3）CO3前驱体,将其在400-900℃热处理5h制备得（Ni1/3Co1/3Mn1/3）Ox氧化物。EDTA络合滴定、BET、XRD及SEM研究表明,随着热处理温度的升高,（Ni1/3Co1/3Mn1/3）Ox中过渡金属含量及结晶度随着增加,而比表面积却减小。（Ni1/3Co1/3Mn1/3）Ox与LiOH混合后在850℃热处理24h制备出LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2材料,其结构、形貌及电性能的测试结果表明,前驱体在600℃条件下热处理制备的正极材料电化学性能最佳,其首次放电比容量为189.7mAh·g^-1,不同倍率循环60周后,循环保持率为92.4%。     

ZnO纳米线阵列膜的自组装生长及其金属接触特性

以磁控溅射制备的ZnO纳米晶薄膜作为籽晶层,用水热法在80℃氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)玻璃衬底上,实现了大面积ZnO纳米线阵列膜的取向生长,制备了3种金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)结构的ZnO半导体纳米线阵列膜样品,测试了薄膜样品的光学特性和I-V特性。结果表明:在相同的生长液浓度下,籽晶层对所生长的纳米线尺度分布有显著影响。所制备的纳米线薄膜在室温下具有显著的紫外带边发射特性。ZnO纳米线/Ag和ZnO纳米线/Al的金属-半导体接触均具有明显的Schottky接触特性,而ZnO纳米线/Au的金属-半导体接触具有明显Ohmic接触特性。     

聚吡咯固体电解电容器

分析了聚吡咯（ＰＰＹ）固体电解电容器的性能特点，诸如：等效串联电阻、损耗角正切、电容量和阻抗频率特性、温度特性、纹波特性以及“自愈”特性等。讨论了ＰＰＹ固体电解电容器研制开发过程中应注意的工序。合理的制造工艺，可使ＰＰＹ固体电解电容器接近理想电容器的性能。     

电池技术的现状和发展动向

本主要综述各种比较常用的电池如锌锰干电池、碱性锌锰电池、水银电池、空气电池、铅酸蓄电池、镍隔电池和新型电池,如锂一次电池、镍氢电池、锂二次电池、锂离子二次电池、燃料电池、太阳能电池、飞轮电池的技术发展动态,从新材料、新工艺、新用途等方面进行适当的展开,使电池的研究和使用对电池的发展概况和基本性能都有一个基本的了解。     

电子科学与技术本科培养模式与课程体系初探

在对电子科学与技术学科定位建议的基础上,提出本学科的培养目标,针对目前电子科学与技术中只有微电子学与固体电子学、物理电子学这两个二级学科培养本科生的实际状况来构建新的课程体系,提出了具体的实施策略。     

国产高纯铝箔的隧道腐蚀——Ⅲ.扩面处理技术的探索

对现有国产高纯铝箔(丹东LG5Y)的扩面处理技术进行了多方面的探索,力求解决国产箔在电蚀处理过程中低发孔率及初始引发出的蚀孔分布不均匀的难题。给出了LG5Y箔在盐酸、盐酸+硫酸,盐酸+铬酸酐,盐酸+硫酸+铬酸酐,盐酸+硫酸+铬酸酐+氟化铵溶液中进行电化学处理后表面积的扩大情况。讨论了高立方织构含量的铝箔在这些溶液中蚀孔的引发和隧道的生长机理、表面积大幅度扩大的原因以及存在的问题,为把电化学转化膜成功地用于高立方织构含量铝箔的隧道型扩面处理奠定了实验基础。     

锂离子电池正极材料的研究现状与发展趋势

简单介绍了目前市场应用锂离子电池正极材料的研究热点和最新成果,重点综述了各种锂离子电池正极材料的晶格结构、性能特点及缺陷,并针对各种正极材料的性能特点与成果总结了该材料未来的发展趋势。     

表面自组装法制备高比容Al2O3/TiO2复合膜

通过提高工作介质氧化膜的介电常数来增加电容器的比容量, 是解决铝电解电容器小型化、轻量化常用的方法之一。本研究采用表面自组装法, 在铝箔表面引入磺酸基团使铝箔表面的荷电性质发生改变, 铝箔与二氧化钛前驱体胶粒间的静电斥力转变为静电引力, 从而增加了二氧化钛在铝箔表面的沉积量。经过热处理与阳极氧化后, 在铝箔表面形成了高介电常数Al₂O₃/TiO₂复合膜。相对未涂覆TiO₂的阳极铝箔, 采用表面自组装法制备的复合膜表面的钛含量增加了30倍, 其比容量在400 V耐压下提高了44.26%。本方法制备的大比容量阳极氧化铝箔在铝电解电容器行业有巨大的应用潜力。