磷（P31^＋）注入Si的快速退火电特性

本文报告了P_(31)~+离子注入Si中快速退火的电特性研究结果。采用高精度四探针测量了P_(31)~+注入层在不同注入剂量下,薄层电阻与退火温度和退火时间的关系。采用自动电化学测量仪PN-4200,测量了P_(31)~+离子注入Si中的载流子剖面分布。     

维修H—600高压电缆的方法

电子显微镜高压电缆发生故障,从而造成灯丝电流加不上,使电镜无法工作,这种故障是很难修理的,按日本修理人员的习惯做法,在这种情况下,只能连同电子枪一块换一根新的高压电缆,这样需要3万美金,这是一般单位难以承受的维修费用,为了既要把电镜修好,又要节约开支,经我所电镜室维修人员多方设法和上海光学电子研究所两名高级工程师一起共同修理高压电缆发生的故障,最后终于排除故障,修复电镜,现将整个修理过程介绍如下,供电镜同行们参考,故障现象:灯丝电流加不上。     

非话通信业务综述

非话通信业务与计算机网络技术密切相关。本文首先阐述开放系统互连(OSI)参考模型的基本概念及其在发展非话通信业务中的重要意义,然后简要介绍几种主要的非话通信业务的技术发展概况,论述非话通信业务对通信网发展带来的影响,最后对在我国发展非话通信业务的有关问题进行初步探讨。     

采用国际标准

经济发展的国际化趋势，把标准的国际化问题提到了每个国家的日程。国际贸易的发展，尤其是世界贸易组织的建立，成为标准国际化的强大推进器。在1979年签订的《贸易技术壁垒协议》中规定：“在一切需要有技术法规和标准的地方，当已经有国际标准或相应的国际标准即将制定出来时，参加国均应以这些国际的技术法规或标准的有关部分，作为制定本国技术法规和标准的依据”。其目的是为了克服因各国标准的不一致而造成的技术障碍。这一国际准则的确立，不仅促使国际标准化活动出现了空前活跃的局面，而且使全世界都认识到采用国际标准是商品进入国际市场的有力竞争武器，并成为一种世界潮流。     

关于生物系统超微弱发光的实验研究

生物系统存在超微弱光子辐射现象。通过一系列实验研究,我们认为,这种光子辐射既有低水平化学发光的性质,又有受激辐射的性质,是受激的低水平化学发光。     

采用Cr4＋：YAG为可饱和吸收体的Nd：YAG调Q锁模

在实验上,以Cr     

带状螺旋慢波结构耦合阻抗的研究

本文运用螺旋坐标系计算了带状螺旋慢波线结构的耦合阻抗,本文给出了螺肇带缝隙内的电磁场解,因而明确地计算了螺旋带缝隙内的传输功率,分析这一部分功率对耦合阻抗的影响,结果发现螺肇带缝隙传输功率对耦合阻抗的影响较大,包括这一部分功率后,理论与实验符合得很好。     

一种新型的漂移阶跃恢复二极管脉冲源设计

提出了一种基于漂移阶跃恢复二极管（DSRD）、结构简单的新型大功率脉冲源电路.论述了阶跃恢复二极管的快速开关特性,分析了该新型脉冲源电路的工作原理,并进行了实验测试.实验结果表明,脉冲源电路能够产生峰峰值为760 V、脉宽（10％-10％）8 ns的平衡输出脉冲信号,具有脉冲重频高、振铃小、波形质量高、无需高压供电等特点,适用于深层探测超宽带时域脉冲探地雷达系统.     

Microstructure and optoelectronic properties of gallium- titanium-zinc oxide thin films deposited by magnetron sputtering

Gallium-titanium-zinc oxide(GTZO) transparent conducting oxide(TCO) thin films were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering. The dependences of the microstructure and optoelectronic properties of GTZO thin films on Ar gas pressure were observed. The X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM) results show that all the deposited films are polycrystalline with a hexagonal structure and have a preferred orientation along the c-axis perpendicular to the substrate. With the increment of Ar gas pressure, the microstructure and optoelectronic properties of GTZO thin films will be changed. When Ar gas pressure is 0.4 Pa, the deposited films possess the best crystal quality and optoelectronic properties.