机载InSAR运动补偿用激光陀螺位置姿态系统

位置姿态系统(position and orientation system,POS)是机载干涉合成孔径雷达(interferential synthetic aperture radar,InSAR)提高对地观测成像质量的关键装置,围绕机载InSAR运动误差补偿的需求,分析了机抖激光陀螺惯性测量系统(inertialmeasurement unit,IMU)的尺寸效应,设计了一种轻小型、对称八点减振的惯性敏感组件结构;设计了基于DSP+ FPGA硬件方案的数据采集及预处理模块,提出了基于滤波器建模的时延补偿方法,研制成功一种高分辨率机载对地观测系统用小型高精度激光陀螺POS样机.实验室静态、车载以及飞行试验结果表明该系统纯惯性导航误差分别为0.196 nmile/h、0.659 nmile/h和0.681 nmile/h,满足了机载InSAR 0.5 m高程精度需求.     

Cu:KLN晶体的生长及物理性能研究

在ＫＬＮ中掺进ＣｕＯ,以Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长Ｃｕ：ＫＬＮ晶体,研究Ｃｕ：ＫＬＮ晶体的成分配比以及配比与生长速度的关系。采用场冷法极化Ｃｕ：ＫＬＮ昌 ,以ＨＦ和ＨＮＯ３混合液腐蚀极化晶片,测试Ｃｕ：ＫＬＮ晶片的红外光谱,研究了Ｃｕ２＋在ＫＬＮ晶体中的占位情况。     

勾形磁场中直拉硅单晶浓度场的数值模拟研究

为有效控制晶体尺寸、金属杂质含量、掺杂元素及氧分布的均匀性,提出在非均匀轴对称勾形磁场中利用磁控提拉法生长硅单晶。用有限差分法对非均匀轴对称勾形磁场中直拉硅单晶体系中的浓度场进行数值模拟研究,基于直拉硅单晶生长系统的物理及数学模型,进行无量纲化处理,借助于相应的边界条件进行求解,并针对不同工艺条件下熔体中及界面处氧浓度分布情况进行模拟研究。结果表明：在勾形磁场作用下,通过改变磁场强度、晶体和坩埚转速及晶体半径可有效控制固一液界面处氧浓度及分布均匀性,从而在晶体中获得径向均匀的氧浓度。     

KBr单晶的生长及其光学性能的研究

本文采用CZ法生长KBr单晶，设计了合理的温场，探索了最佳的生长工艺条件，生长出了高透过、低吸收的Ф110～120×100～110mm大尺寸的KBr单晶，并讨论了影。向其光学性能的各种因素。     

四硼酸锂晶体生长及应用

本文就LBO晶体生长与应用等问题进行了研究。指出应大力开展高粘度馆体中晶体生长热力学和动力学的研究，从该晶体诸报器和压控振荡器的性能的测试表明，这种晶体是一种具有很大市场应用潜力的压电晶体材料。     

浅谈液氨灾害事故的预防及处置

本文归纳了液氨的有关物理和化学性质，对其引发灾害事故的危险性进行分析，提出了有针对性的预防和处置措施。     

钒酸钇晶体多晶原料的合成研究

本文选择了合适的初始原料提纯法，分别采用液相法和固相法合成了钒酸钇晶体的多晶原料，同时对合成条件进行了优化，并设计了合理的烧结温度。利用XRD分析对不同方法合成的YVO4多晶原料进行了分析，结果发现液相法合成的原料纯度及均匀性要高于固相法合成的样品。     

砂卵砾石地层中浅埋暗挖法超前小导管 注浆施工技术

浅埋暗挖法施工时,为了保证掌子面在开挖过程中土体不会塌方或产生流沙,开挖前需对前方土体采取超前支护、注浆加固等辅助措施。小导管注浆加固地层技术,是通过沿隧道开挖轮廓线外纵向向前倾斜安设注浆管,并注入浆液,达到超前加固围岩和止水的目的,同时小导管还可起到超前管棚预支护作用。     

Nd3+:KGd(WO4)2晶体生长及激光性能

本文采用泡生法生长出Nd3 :KGd(WO4)2晶体,Nd3 浓度3.2at.%.测试了其吸收光谱及荧光光谱,通过计算获得808nm吸收截面为0.6799×10-20cm2;荧光输出波长为1068nm和1351nm.在激光实验中,当LD泵浦源输出功率为900mW时,获得1064nm、326mW的激光输出,斜效率62.7%,水平和垂直两个方向上光束传输因子M2均小于1.2.经倍频获得532nm的绿光.用Cr:LuAG作为可饱和吸收体进行调Q实验,重复频率为15kHZ时,脉冲宽为170ns.     

超高分子量聚乙烯纤维的发展及需求应用

介绍了超高分子量聚乙烯(UHMWPE)纤维的国内外产业发展史、需求及应用状况,指出UHMWPE纤维产业受国家多个行业政策鼓励及扶持,前景广阔。