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形成SOI结构的ELO技术研究 总被引：1，自引：0，他引：1
本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm. 相似文献
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青狮潭水库１９８９～１９９３年综合效益初步分析马顺德，李小革（广西桂林水务局５４１００２）０引言青狮潭水库综合调度工作自１９８９年开始步入统一化、规范化、科学化，并且漓江补水工程渠道加固防渗也已完成。通过１９８９～１９９３年这５年的实际调度运行，水库... 相似文献
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微机多功能接口卡及微机实验系统的研制 总被引：5，自引：1，他引：4
本文论述了微机多功能接口卡的硬件原理电路和微机实验系统的组成及运行的结果，并讨论了演示软件的编写思想和部分程序清单。 相似文献