抗辐射加固版图技术的性能比较

Total ionizing dose （TID） effect and single event effect （SEE） from space may cause serious effects on bulk silicon and silicon on insulator （SOl） devices, so designers must pay much attention to these bad effects to achieve better performance. This paper presents different radiation-hardened layout techniques to mitigate TID and SEE effect on bulk silicon and SOl device and their corresponding advantages and disadvantages are studied in detail. Under 0.13μm bulk silicon and SOl process technology, performance comparisons of two different kinds of DFF circuit are made, of which one kind is only hardened in layout （protection ring for bulk silicon DFF, T-gate for SO! DFF）, while the other kind is also hardened in schematic such as DICE structure. The result shows that static power and leakage of SOI DFF is lower than that of bulk silicon DFF, while SOI DFF with T-gate is a little slower than bulk silicon DFF with protection ring, which will provide useful guidance for radiation-hardened circuit and layout design.     

离子束薄膜合成及材料表面优化

本文简略地回顾了离子束材料表面优化研究领域的发展及现状，着重介绍上海冶金研究所离子束开放研究实验室近年来在离子束薄膜合成及材料表面改性方面的研究工作。同时对离子束技术在工业中的应用进行了探讨。     

离子束增强沉积形成梯度薄膜

在金属衬底（Ａｌ，钢，铝－碳纤维），Ｎｉ３Ａｌ）上用离子束增强沉积形成氮硅化物的梯度薄膜。在薄膜的一侧有很高的电阻（１０＾７Ω），而在另一侧电阻很低（１Ω），在绝缘层和导电层之间电阻呈梯度变化，对梯度薄膜组分，硬度，附着力，疲劳寿命，抗腐蚀能力和抗高经性能进行了测试和分析。     

航天单粒子事件故障注入系统研究

本文介绍了一种基于内存故障注入和总线故障注入相结合的单粒子事件故障注入系统．首先介绍了故障注入系统的功能及框架，然后以通用性和可扩展性为前提，对实现故障注入器的关键技术进行了探讨．测试结果表明。利用本文介绍的故障注入系统，具有成本低、通用性强、故障注入方便快捷、全动态实时和定量注入等特点．     

半绝缘InP中Si~++P~+双注入的电学特性

研究了在200℃热靶条件下经Si~+单注入和S~++P~+双注入的半绝缘InP常规热退火和快速热退火后的电学特性。热退火后,双注入样品中的电学性能优于单注入样品。采用快速热退火后,双注入的效果更加显著。Si~+150keV,5×10~(14)cm~(-2)+P~+160keV,5×10~(14)cm~(-2)双注入样品经850℃、5秒快速效退火后,最高载流子浓度达2.6×10~(19)cm~(-3),平均迁移率为890cm~2/V·s。     

LDPC码在DSP上的实现

本文概述了LDPC码的编译码原理,重点论述在TI公司的DSP(TMS320C6416)上的(512,256)LDPC编译码器的算法实现,并给出其与(2,1,7)卷积码在AWGN信道条件下的纠错性能对比。对比表明(512,256)LDPC码比(2,1,7)软判决的卷积码在误码率为10-4时可具有1.5dB的编码增益。     

小卫星星载软件微内核的设计

随着小卫星功能的提升,星上软件需要操作系统的支持。该文分析星载软件所需的实时操作系统,根据星载软件的实际任务要求,提出一个适合于星上嵌入式系统的软件微内核设计架构,具有面向卫星、占固存少、可在轨软件重构、实时性强、可靠性高等特点。     

离子束科学与技术的发展及前景——代前言

离子束科学与技术的发展及前景———代前言柳襄怀杨根庆邹世昌（中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室上海２０００５０）离子束材料表面改性和合成是一门由核物理、材料科学、凝聚态物理、微电子等学科交叉而发展起来的边缘学科。它的兴起和发展为新材料合成以...     

基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计

基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(WiFi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器.驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(MOSFET)结构.利用调节共源共栅晶体管栅极的电容来改变栅极电压的相位,进而弥补了共源共栅结构的劣势,增加了整个系统的线性度和增益.另外,使用外部数字信号控制每级偏置的大小来适应不同的输出需求.整个结构采用电源电压:第一级为1.8V,后两级为3.3V,芯片面积为1.93 mm×1.4 mm.利用Candence Spectre RF软件工具对所设计的功率放大器进行仿真.结果表明,在2.4 GHz的工作频点,功率放大器的饱和输出功率为24.9 dBm,最大功率附加效率为22％,小信号增益达到28 dB.