塔里木盆地巨型速度场的建立(为祝贺新疆油田分公司年产原油一千万吨而作)

作者提出了一套构建高精度巨型速度场的方法,在塔里木盆地里建立的一个巨型速度场,面积达10.2×104km2,深度达8 km.针对巨型速度场的特有问题,采用野值自动剔除、交点速度闭合、水平切片速度标定、用线性介质模型下延VSP(垂直地震剖面)数据、利用校正后声波测井资料补充VSP井密度不足等方法,综合使用速度谱、VSP和声波资料以及数据库技术建立了高精度速度场.用速度场建好后完成的两口VSP井实测速度数据检验表明,速度场预测速度最大绝对误差是54m/s,平均为37m/s;最大相对误差是1.87%,平均为1.26%.根据本速度场提供的速度数据绘制的深度构造图上,使原来因速度横向变化在等t0图上消失的含油气构造正确地显现出来.     

深圳市某写字楼变风量空调系统设计

变风量系统具有节能、舒适等诸多优点，因而有着很好的应用前景，但其在应用中存在一些实际问题亟待解决。本文以深圳市某实际工程为例，详细介绍了变风量系统的系统分区、新风量控制、系统设置、气流组织和自动控制等方面的内容，并总结了工程中得到的一些心得体会供大家参考。     

赣东北地区富有机质泥页岩储层特征探讨

页岩气是指主体在暗色泥页岩或高碳泥页岩中以吸附或游离状态为主要存在方式的天然气聚集。本文以江西页岩气为例，对赣东北地区上震旦统皮园村组、下寒武统荷塘组露头剖面进行野外实测和系统采样测试，以探讨富有机质泥页岩微观储层的特征。     

红山嘴油田稠油污水回注效果跟踪评价

红山嘴油田于1990年投入注水开发,在注水开发中,由于注入水水质不稳定,注水配伍性差,注水开发过程中注水系统结垢严重,注水井井况恶化,修井频繁,注水井测调合格率低。经过对红浅稠油污水可行性评价及论证,实现了红浅稠油净化污水回注红山嘴油田,污水回注后需对污水回注地层后储层伤害、腐蚀结垢趋势进行动态跟踪评价,确定净化污水对注水指标的影响程度及影响因素。通过对污水回注效果动态跟踪表明,污水回注后红山嘴油田水质得到明显改善,消除了注水系统结垢,污水回注地层后储层伤害得到有效控制,年可节约油田清水用量73万方。不仅如此,还在合理利用外排污水,减少环保压力方面,为稠油污水回注提供技术储备和技术示范奠定良好基础。     

世界深水油气勘探开发态势及启示

全球深水油气资源丰富,勘探不断取得重大发现,国际大石油公司争相在这一领域施展技能,逐步把深水油气资源勘探开发推向更高的阶段.近几年,深水储量、产量双双攀升,在海洋油气储、产总量中的比重不断增加,大型深水装置需求旺盛,研发、建造活跃,深水勘探开发能力已成为国际一流大石油公司的重要标志之一,深水技术成为全球油气技术创新的主攻方向.我国南海深水资源也很丰富,中国石油集团应加快发展深水业务,为保证国家能源安全做出新贡献,建议：制定中长期油气开发计划,实施国际化海洋资源战略;组建专门机构发展业务,提升战略地位;与国际大石油公司、资源国国家石油公司建立战略联盟;重视技术创新和超前储备;制定海洋人才计划、加快人才培养等.     

熔融渗硅对石墨材料微观结构及性能的影响

选用四种不同孔隙结构的石墨进行熔融渗硅(简称熔渗)反应,采用扫描电镜、X-射线衍射、压汞、CT等方法表征了熔渗前后材料的微观形貌、物相及孔隙结构。结果表明,熔渗后的材料由石墨、硅及碳化硅三种物相组成,且硅及碳化硅的分布与石墨孔隙结构相关。熔渗后样品孔隙率均<1%,体积密度提高21.08%~35.94%。熔渗后材料强度及模量均有明显提高,强度是原石墨样品的1.7~6.2倍,模量是原石墨样品的2.4~7倍,提高幅度与石墨孔隙结构及晶粒尺寸相关。理论计算结果表明,石墨样品熔渗过程主要受扩散-反应控制。     

复杂构造成像能力及其存在问题

为了考证目前的地震资料成像方法对塔里木油田复杂构造的成像能力，对塔里木油田一个典型的地质构造进行了数值模拟，得到了复杂构造在共炮点道集的地球物理波场响应，对模拟的数据分别进行叠后时间偏移、叠后深度偏移、叠前时间偏移和叠前深度偏移处理，并就各种成像方法对速度误差的敏感性进行了对比分析。将时间域处理的结果再转化到深度域，发现了一种不同于常规认识的构造假象，在剖析了时间域处理产生的构造假象之后，对复杂构造成图提出了参考性建议。     

重掺 n 型砷化镓杂质效应

砷化镓单晶衬底材料的完整性,是衡量晶体质量的重要参数之一,这对光电器件更有其特殊意义。一般用 LEC 法制备低位错 GaAs 单晶,要使用 Dash 技术和理想的热场,而且成品率较低。利用杂质效应则可在 LEC 法生长掺杂 n 型衬底材料时,较为简便地得到低位错乃至无位错 GaAs 单晶,成品率也有较大提高。在 n 型 GaAs 体单晶中所用的掺杂元素 S、Se、Te,当其浓度超过1×10~(18)/cm~3时,位错密度即开始下降,浓度达3×10~(18)/cm~3时,下降速度加快,当浓度达5×10~(18)/cm~3时,可得到无位错 GaAs 单晶。上述三种元素在 GaAs 中的掺杂效应,掺 S 及 Se要比掺 Te 明显得多。另一方面,由于掺杂浓度高达1—5×10~(18)/cm~3,故晶体中出现了较高浓度的微粒沉淀。经电子衍射花样分析,已证实这些微粒沉淀分别为 GaS、Ga_2Se_3及 Ga_2Te_3。它们的存在可能与其他微缺陷构成了晶格点阵的不规则排列,阻碍了位错的滑移。研究了掺 S—GaAs 晶体的行为。当 S 掺杂量为0.01～0.17%(重量)时,能重复生长载流子浓度为1.6—10×10~(17)/cm~3的晶体。估算了 S 在 LEC 法中的表观分配系数约为2.3×10~(-2)左右。初步考察了载流子浓度 n 与电子迁移率μ之间的关系。当 n≥1.5×10~(18)/cm~3时,电子迁移率μ明显降低,这可能是 GaS 沉淀颗粒为散射中心的结果。用掺 S—GaAs 单晶作为衬底材料制作发光二极管,结果表明发光亮度有较大提高。     

毫米波高频器件高效加工方法北大核心

由于某毫米波高频器件原有的结构和加工方法无法全面保证部件的尺寸、形位公差,对其电气性能产生了不利影响,延缓了电气调试进度。通过对原加工方法的分析,提出了毫米波某高频器件一种高效加工的工艺方法——整体焊接方法。通过对毫米波高频器件零件结构和加工方法的改进,使内腔尺寸、形位公差得到很好的保证,为后续电气调试提供了便利,并且经试验一次加工合格率达到100%。