CdZnTe(211)B衬底对MBE外延碲镉汞材料的影响分析

碲锌镉 CdZnTe（211）B 衬底广泛应用于碲镉汞（HgCdTe）分子束外延生长,其性能参数在很大程度上决定了碲镉汞分子束外延材料的质量。主要讨论了 CdZnTe（211）B 衬底几个关键性能参数对碲镉汞外延材料的影响,包括 Zn 组分及均匀性、缺陷（位错、孪晶及晶界和碲沉淀）以及表面状态（粗糙度和化学组成）,并且分析了对 CdZnTe（211）B 衬底进行筛分时各性能参数的评价方法和指标。     

云时代看Oracle在中国市场的可持续增长

近年来,各种传统IT硬件厂商都将＂软件定义＂作为战略重点。无论EMC、Netapp,还是华为、联想,都在努力与＂硬件Only＂划清界线,快速以企业级战略提供一揽子方案,并调整技术和产品布局。而在这一过程中,Oracle则反其道而行之,从收购Sun之后的四年,不断加大在硬件的投入,以＂engineered system＂作为目标,加长架构产品线的长度和宽度,推出计算、网络、存储、软件定义架构、数据库保护等一系列产品。自2004年开始迄今,在＂Co-Engineered＂的计划下,Oracle的研发投入已经超过340亿美金。     

谈新形势下水利勘测设计单位发展之路

对新形势下水利勘测设计行业的发展机遇和面临的挑战进行了分析,从把握发展方向、转变设计理念、创新科技手段、强化内部管理、加强人才培养等方面对水利勘测设计单位未来的发展进行了论述,为新形势下水利勘测设计行业的发展提供了参考性建议。     

铬不锈钢/碳钢梯度材料的耐腐蚀性研究

通过水溶液电沉积法在碳钢表面电沉积铬,并在高温下进行扩散退火处理,形成了一种铬不锈钢/碳钢梯度材料。采用电化学测试实验法对该材料的耐腐蚀性进行研究;利用Tafel直线外推法对基体与铬不锈钢/碳钢梯度材料的极化曲线进行拟合。结果表明:铬不锈钢/碳钢梯度材料的耐腐蚀性要高于碳钢基体的;随着含铬量的增加,梯度材料的耐腐蚀性依次增强。表面Cr的百分含量与腐蚀电位的关系为E=-1.6+0.01514 W_(Cr)。     

分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状

目前,高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)生长硅基中波及短波碲镉汞材料方面的最新研究进展,并介绍了现阶段MBE生长碲镉汞材料的研究现状。     

Si基双色碲镉汞材料阻挡层生长及表征

报道了Si基中短波双色碲镉汞(MCT)的最新研究进展。阻挡层的生长与表征是获得材料参数精确控制、晶体质量良好的Si基中短波双色HgCdTe材料关键所在。经过阻挡层生长工艺优化,解决了双色HgCdTe材料缺陷直径较大的问题。缺陷直径控制在10 μm以内,缺陷密度控制在2000 cm-3以内。并使用光致发光技术(PL),得到了不易直接获得的双色HgCdTe材料阻挡层的组分信息。     

紫禁城内井亭刍议

通过实地调查和查阅相关文献,对紫禁城内28座井亭的现状作了分析,归纳出它们的大木类型分为四类,探讨了这四种类型井亭的施用位置、结构特点和排水方式等,勾绘出紫禁城内井亭现状的总体印象。     

软件定义存储市场趋势

正IBM软件定义存储相对于其他厂商的软件定义存储发布,IBM的软件定义存储,更多侧重于在IT演进过程中,如何提高各种工作负载的存储资源部署使用效率和自动化管理水平。在大数据、云计算和移动互联时代,随着IT从传统的IT架构管理向IT服务交付转变,用户在存储技术的选择过程中,越来越关注工作负载的资源部署、管理效率。IBM的软件定义存储的重点放在"开放、灵活、高效",消除了IT演进过程中可能消除的     

基于无人机电力巡检的椭圆稀布阵列天线的优化方法研究

为了提高电力巡检无人机的电磁检测性能,同时降低阵列天线馈电网络的设计难度,本文提出了一种基于无人机电力巡检的椭圆稀布阵列天线的优化方法,该方法设计的阵列天线的最高旁瓣电平较低,因此具有很好的环境抗干扰能力,同时采用等幅同向馈电,可以有效降低阵列天线的功耗,大大提高无人机的巡检时间。利用改进智能优化算法,通过优化阵列单元的位置,使得最高旁瓣电平(PSLL)尽量低。仿真结果表明,本文提出的方法能够有效降低阵列天线方向图的最高旁瓣电平,对具有41个阵列单元的椭圆阵列天线进行优化,优化后的阵列天线方向图的最高旁瓣电平在-22dB以下。     

CdSeTe分子束外延技术研究

对HgCdTe红外探测器CdSe_xTe_1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSe_xTe_1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSe_xTe_1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括分析Se组分随(J_Se+J_Te)/J_Cd和J_Se/(J_Se+J_Te)的变化。J_Se/(J_Se+J_Te)值较小时,Se组分较难融入外延层;J_Se/(J_Se+J_Te)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若J_Se/(J_Se+J_Te)值较小,则Se组分增长趋势...