基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响

研究基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响。采用脉冲激光沉积（PLD）法在0°～6°斜切（001）SrTiO3基片上制备了具有c取向的YBCO薄膜。用XRD和TEM对薄膜微观结构进行了分析，用标准四引线法测定薄膜电阻．温度关系，从而确定薄膜的超导电性能。结果表明，随斜切角度的增大，薄膜晶体质量下降，晶格弯曲畸变程度增大，超导临界转变温度降低，转变宽度增大。     

MgB2超导薄膜的化学气相沉积

探索了采用化学气相沉积法，在LaAlO3单晶基片上原位制备了MgB2超导薄膜。X射线衍射(XRD)分析表明薄膜的相纯度不理想，扫描电子显微镜(SEM)观察表明薄膜的表面比较粗糙，用标准四引线法测得薄膜的起始转变温度（Tconset)为30K，零电阻温度(Tc0)为18K。     

氢对SAF2205双相不锈钢低温力学性能的影响

采用慢速拉伸的方法研究了加氢条件下ＳＡＦ２２０５双相不锈钢在－１９６～２０℃温度范围内的力学性能。结果表明：氢使钢的塑性明显下降，在－５０℃时达到极大值，温度进一步降低，氢致脆化作用逐渐减弱；降温及拉伸变形能够促进马氏体转变，导致低温强度和延性的增加；氢致脆化与马氏体转变和氢的扩散行为有关。     

斜切基片上c—取向YBa2Cu3O7—δ薄膜的生长特性及开裂行为

用脉冲激光沉积方法在斜切SrTiO3(001)基片上制备了YBa2Cu3O7-δ薄膜,并用原子力显微镜、X射线衍射仪及透射电镜研究了薄膜表面形貌、取向特征、结晶性和显微结构。结果表明,薄膜表面呈“台阶－台面”结构,并伴有与台阶边缘垂直的裂纹产生,说明薄膜以“台阶流动”方式生长;而且薄膜具有c-轴取向,但其结晶性不好。在薄膜中没有观察到a-b孪晶的存在。薄膜的开裂和结晶性较差均是由于斜切基片台阶表面晶格四方畸变抑制了薄膜正交转变时a-b孪晶的产生,而使晶格错配应变不能释放造成的。     

高温超导双晶结垫圈型dc SQUID 磁强计的研制

采用脉冲激光沉积法(PLD)在10x10mm2的SrTiO3双晶基片上制备了纯c取向的高温超导YBCO薄膜,薄膜表面平整,杂相颗粒少,在20μm尺度范围内,起伏在几个nm之内。通过标准光刻和离子束刻蚀工艺制备出了高温超导垫圈型双晶结dcSQUID磁强计。测试结果表明:磁强计有效面积达0 09mm2,在没有超导屏蔽的环境下,磁强计白噪声区磁场噪声达到333fT/Hz1/2。     

双键立体构型转化用有机试剂

由于烯烃的碳碳双键在室温下是稳定的,故双键两端连有不同基团的分子有Z体和E体两种立体构型存在。一些具有生物活性的物质,如昆虫性信息素,由于立体构型不同,活性相差悬殊。因此烯烃构型转化的反应逐渐受到了重视,Sonnet就介绍了一些转化烯烃构型的方法。目前已有许多用于烯烃构型转化的有机试剂,根据其反应性质,大致可归纳为以下几类。一、光敏剂光照下用光敏剂传递能量可使烯烃发生     

硅双晶结高温超导直流量子干涉器件

研究了在硅双晶基片上制备高临界温度 (Tc) ,YBa2 Cu3 O7(YBCO)直流量子干涉器件 (DC SQUID)工艺及其特性。采用脉冲激光沉积技术在Si ( 10 0 )双晶基片上原位制备钇稳定氧化锆 (YSZ)、CeO2 隔离层、YBCO超导薄膜及非超导YBCO钝化层 ,超导薄膜临界温度为 88K。采用激光技术直接成型的硅双晶结符合典型电阻分路结RSJ模型 ,其IcRN 值在 77K下可达到 15 0 μV ,具有Fraunhofer衍射状的Ic(H)特性。所实现的DC -SQUID器件电压 -磁通传输函数达 4.835 938GV/Wb ,白噪声区及 1Hz下的噪声水平达 136 .47816zWb/Hz1/ 2 和 2 99.83839zWb/Hz1/ 2 。     

基于工程化流程的一种嵌入式系统开发方法

嵌入式系统是包含硬件和软件的完整的专用计算机系统,设计者需要根据系统需求对所用的计算机系统进行裁剪。为了更好地指导嵌入式系统开发和保证工作的有效性和高效性,文中从嵌入式系统一般开发流程出发,在详细分析了基于嵌入式操作系统的程序设计方法和基础上,结合软件工程和硬件工程知识给出了一种面向嵌入式系统开发的工程化方法。长期研发实践证明,该方法对嵌入式系统开发具有很好的指导作用,可以很好地协调开发工程中的工作。     

支持多种NANDFlash的驱动程序研究与实现

NANDFlash具有存储密度高、成本低等优点。非常适合于手持设备的数据存储。该文介绍了在WINCE平台如何实现支持多种类型的NANDFlash的驱动程序,采取分层驱动的体系架构,提高代码复用的程度,便于维护和扩展。添加一种新的类型的NANDFlash．只需用加入很少的代码。     

支持多种NAND Flash的驱动程序研究与实现

NAND Flash具有存储密度高、成本低等优点,非常适合于手持设备的数据存储。该文介绍了在WINCE平台如何实现支持多种类型的NAND Flash的驱动程序,采取分层驱动的体系架构,提高代码复用的程度,便于维护和扩展。添加一种新的类型的NAND Flash,只需用加入很少的代码。