带双参数五次广义Ball曲线的扩展

为了明确形状参数对五次Ball曲线形状的影响,给出一个含有参数α和β的五次多项式基函数,分析了此基函数的性质.同时定义基于该组基函数带有形状参数的多项式曲线,讨论了两段曲线连续拼接的条件.在保持控制多边形不变的情况下,可以通过改变形状参数来调整曲线形状,使得曲线具有更强的表达能力.曲线不仅具有五次Ball曲线的特性,而且具有形状的可调性和更好的逼近性.计算实例表明,该方法是有效的,可以广泛地应用于计算机辅助设计中对曲线形状的调整.     

带有切线多边形的C~2连续类三次三角可调样条曲线

提出一种带形状参数的C2连续类三次三角样条曲线.该曲线不仅与三次均匀B样条曲线具有相似的性质,而且在控制顶点保持不变时,其形状可通过形状参数的取值进行调整.描述了一种与给定多边形相切的类三次三角可调的样条曲线的算法,所有的类三次三角可调的样条曲线的控制点可以通过对多边形的顶点简单计算产生.所构造的曲线对多边形具有保形性,曲线可以局部修改.     

二硫化钼/氧化钛纳米复合颗粒的制备及其电流变性能

利用化学剥离法制备出片层状的二硫化钼,以其作为载体,通过水解法使纳米二氧化钛包覆在二硫化钼上,并采用这种复合颗粒作为分散相制备出电流变液。使用扫描电镜(SEM),X-射线衍射(XRD)对该复合颗粒表面形貌和晶型结构进行了表征,利用电流变仪对电流变液进行了流变性能测试。从SEM照片中看出复合颗粒形貌均一。同时该复合颗粒制备出的电流变液在不同电场下剪切应力提升明显,展现出较强的电流变性能。     

保形C^1二次样条插值方法

本文得到了保形Ｃ＾二次样条插值函数存在的充分必要条件，并给出一种通过插入一些新的结点来构造保形Ｃ＾１分段二次样条插值函数的简单算法。     

Ybx:KY1-x(WO4)2晶体的生长与结构及光谱性能

用顶部籽晶提拉法(top seeded solution growth,TSSG)生长出Ybx:KY1-x(WO4)2(x=5%,摩尔分数,下同)和KYb(WO4)2晶体,比较了两者的结构和光谱性能.工艺参数:转速为10-15 r/min,提拉速率为1-2mm/d,生长周期为10-15d,降温生长速率为O.05-0.1℃/h,降温速率为20℃/h.X射线衍射分析表明:两者均为低温相的β-KYW结构,计算了2种晶体的晶格常数.测试了红外及Raman光谱,Ybx:KY1-xW(x=5%)样品在925,891,840,777,749 cm-1具有较强的红外吸收峰,是由WO4原子基团伸缩振动引起的;KYbW样品在484,437 cm-1处具有较强的红外吸收峰,反映了WO4原子基团的弯曲振动.分析了晶体的振动模式,认为2种晶体有较强的Raman活性,钨氧双桥键WOOW和单桥键WOW基团的振动在200～1 000cm-1范围内,对峰值与相应的振动进行了指认.     

m阶差分函数Δm（x—a）／mf（a）的广义Taylor定理的中间点渐近性质

对于ｍ阶差分函数Δｍ（ｘ－ａ）／ｍｆ（ａ）的广义Ｔａｙｌｏｒ定理的中间点的渐近性质，本文研究的主要结果为：ｌｉｍｘ－ａｘ－ａ／ｘ－ａ＝√（ｎ＋１）ｊｍ∑ｋ＝０（－１）ｋＣｋｍ（ｍ－ｋ）＾ｎ＋１＋ｊ／ｍｊ（ｎ＋１＋ｊ）ｍ∑ｋ＝０（－１）ｋＣｋｍ（ｍ－ｋ）＾ｎ＋１     

第二积分中值定理“中间点”的渐近性质

得到了第二积分中值定理的“中间点”渐近性质的重要结果是     

基于智能终端特征信号的配电网台区拓扑识别方法

针对低压配电网台区拓扑结构混乱、更新不及时的问题,提出了一种基于智能终端特征信号的配电网台区拓扑识别方法。首先利用低压智能终端(LTU)的通信地址关联各级开关子节点,并注入高辨识度的无功补偿特征信号,改变各开关处的无功功率值。配变智能终端(TTU)根据台区拓扑识别策略,对各开关处的无功功率检测结果进行边缘计算,得出台区内开关的各级连接关系,实现低压台区自下而上的就地拓扑结构识别。根据试点台区的实践结果,验证了所提台区拓扑识别方法具有可推广的工程应用价值。     

两类二元有理插值问题

得到了两类二元有理插值问题的存在判别准则及有理函数的表示公式,并给出了数值例子．