远程接入短信动态口令系统的阻塞攻击分析及其对策

动态口令是目前常用于替代静态口令的一种强身份鉴别技术,基于短信的动态口令又是动态口令系统中的一种低成本、易管理的实现模式。远程接入系统认证时常使用短信动态口令来加强对账号安全的保障,目前广泛使用的远程接入短信动态口令系统中,由于动态口令的触发产生机制简单无保护,易于形成阻塞攻击,论文详细分析了短信动态口令的触发机制,并提出一种改进方法,用于降低阻塞攻击对远程访问系统带来的风险。     

动态口令系统木马攻击能风险分析及防御

动态口令是目前常用于替代静态口令的一种强身份鉴别技术,但骇客人员发现了一种针对动态口令系统的有效木马攻击方法,能够完成针对目前大部分商业动态口令系统的攻击。论文详细分析了该木马的工作原理,并给出了两种针对性的解决方案。     

原子氢辅助分子束外延生长以GaAs材料性能的改善

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了常规分子束外延和原子氢辅助分不外延生长的掺杂Ｓｉ和Ｂｅ的ＧａＡｓ同质结构样品中缺陷的电这特性。发现原以辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低,这可解释为生长过程中原子对缺陷的原位中和与钝化作用。     

基于无线传感器网络门禁系统研究

介绍了一种操作方便、运行可靠的智能型无线门禁系统,系统前端探测器与主机微处理器之间传送数据采用无线方式,克服了有线式门禁系统布线的困难,避免了布线后会影响美观性的缺陷。系统采用模块化的设计思想,通过微控制器控制无线模块nRF905进而实现对TCS3C-TCD42A所采集的数据进行无线收发。该系统成本低、实用、可靠、功能灵活多样,可广泛用于银行、仓库和家庭等重要场所。     

2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析

利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长In GaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激 射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值 电流密度随激光器腔长的变化规律, 得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm²,在室温连续波 工作模式下,测得激光器的内量子效率 为61.1%,内部损耗为8.3cm－1,激光 输出功率斜效率为112mW/A,最高输出功率达到72mW,器件性 能优异。另外,还研究了改变激光器的腔长和改变注入电流的条件下器件激射波长的调谐特 性。器件激射 波长随注入电流的红移速度为0.475nm/mA。对于不同腔长的器件, 腔长越长,器件工作波长越长,工作波 长和腔长之间呈单调关系。上述波长变化规律是GaSb量子阱激光器的典型特征。     

MBE生长Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的SIMS和AES谱

本文简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和参数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格有着良好的纵向元素分布．     

2.0版本VCD功能简介

VCD机以其较好的影音效果、适中的价格和丰富的软件,成为又一消费热点。目前,许多消费者对2.0版本VCD都存在一个模糊的概念,认为只要放出菜单即是2.0版本VCD。面对市场上琳琅满目的2.0版本VCD机,消费者如何鉴别真伪。未刊特发表四川鼎天多媒体公司王海龙同志的文章,希望广大消费者阅后能对2.0版本VCD有一定认识。     

分子束外延生长p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料

我们以掺Fe的高阻InP作衬底材料,在国产MBE-Ⅲ型设备上,采用调制掺杂技术,成功地生长出了p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料。室温霍耳效应测量表明:载流子浓度为10~(14)/cm~3量级,迁移率为250cm~2/V·s。俄歇谱分析清楚表明,仅在ZnTe层中Sb原子存在,且界面比较分明,调制掺杂已获初步成功。     

L波段窄脉宽500W固态功放组件的设计

介绍了作者研制的应用于固态雷达发射机上的L波段500W固态功放组件的工作原理、用途及其主要技术指标。描述了功放组件的设计过程和测试结果。该功放组件在窄脉宽条件下实现了快速上升沿，性能优良，工作稳定可靠。     

端面反射率对单端反射半导体光放大器的影响

本文考虑了光子密度、增益谱色散、放大自发辐射噪声(ASE)、端面反射率和载流子浓度对折射率的影响,并采用细化分段法及四阶龙格-库塔法求解速率方程及光场传输方程,分析了不同端面反射率时单端反射半导体光放大器(RSOA)的动态特性。结果表明端面反射率的适当增加,可以使增益得到提高,增益恢复时间减少, ASE输出功率增加,消光比下降。理论分析为优化RSOA的动态特性具有一定的指导意义。