辽西北地区抗旱技术筛选与应用探讨

通过辽西北6种小区试验和4个大区示范,筛选出辽西北地区综合净效益较高的3种灌溉模式,即膜下滴灌、膜下微喷及膜下微润灌,3种灌溉模式均比较省水,比管灌平均节水30％～40％,比管灌平均增产100kg/亩左右.示范区比非灌溉区平均增产280kg左右.     

试论基站阀室监控安全建设与防护方案

厂区安装一套智慧数字监护系统一直以来都是许多生产工厂必不可少的管理措施之一。数字硬盘录像机将视频图像监控,实时监视,多种画面分割,多画面分割显示,云台镜头控制功能有机结合的新一代监控系统。传统的周界安全防范系统是建立高高的围墙、铁栅栏等,如果有非法入侵无法及时发现和处理。那么就需要有一套先进、科学、实用、 性能稳定可靠的周界安全防范监控报警系统来实现;周界安全防范监控报警系统通过对射红外线来识别非法入侵者,通过警铃、警灯发出信号提示保卫人员,同时监控主机自动将报警画面记录,做到及时处理,提高了保卫人员的工作效率并能及时处理警情。以高科技的技术防范来确保安全。     

某医院质子中心屏蔽墙板大体积混凝土施工技术

医院建筑放疗设备四周的维护结构,一般为防辐射大体积混凝土,对混凝土裂缝的控制非常严格,在混凝土浇筑过程中需采取有效的质量控制措施。本文结合某医院质子中心屏蔽墙板大体积混凝土工程实例,介绍了设计要求、配合比设计、足尺模拟试验、施工质量控制措施。根据混凝土温度监测和外观质量检查,实际效果达到了预期的目标。本文内容可为今后类似工程施工提供参考。     

中小企业质量基础设施投入税前加计扣除政策研究

与大企业相比,中小企业受制于资金、技术等因素,往往无法进行必要的质量控制,对重要的原材料、核心零部件、基础工艺等缺乏标准和检测等质量技术支撑,也不具备引进大型检测仪器设备的能力,质量效益普遍偏低.因此,多个国家和国际组织都非常重视对中小企业质量基础设施方面的投入.     

基于故障可诊性与遗传算法的模拟电路测试激励优化方法*

测试激励的选择影响电路故障诊断的精度。对待测电路进行十倍频程AC Sweep分析来确定正弦测试信号的频率优化范围,基于电路幅频响应中离散频点相应的电压有效值来计算各故障特征数据类内类间离散度,统计多频测试信号敏感度因子大小,并以此为目标函数利用遗传算法实现测试信号中频率参数优化。以双带通滤波电路为例进行了仿真验证,实验结果表明该方法优化出的测试激励信号能有效降低电路故障响应特征分布模糊性,提高了故障诊断率。     

粒子数和采样周期自适应的粒子滤波器

粒子数目、采样频率显著影响粒子滤波器性能及其复杂度。文章提出了一种用于跟踪系统的可在线调整采样周期和粒子数目的自适应粒子滤波器。仿真结果验证了一般情况下,该方法可在保证一定估计精度的同时有效减少系统负荷,并对目标机动有良好的自适应能力。     

大型仓储式物流中心的环境监测系统设计

针对大型仓储式物流中心的实际需要,设计一种智能化的环境监测系统。在无人操作或远程遥控的模式下,系统可以对仓储中心环境中的烟雾情况、空气质量情况、温度及湿度等参数进行实时采集分析,达到对环境状况及时监控的目的。监控数据的分析结果,也对物资的存储优化方面具有一定的指导意义。     

钢管测长称重喷标控制系统的设计与应用

介绍测长、称重、喷标控制系统的设计及应用.该系统以S7-300PLC(CPU为313C-2DP)为控制核心、以组态王为上位机画面来完成控制要求和报表输出.     

ZrO2/SiO2双层膜膜间渗透行为初步研究

用溶胶-凝胶技术,采用提拉镀膜法在K9玻璃基片上镀制了ZrO2/SiO2双层膜和SiO2/ZrO2双层膜,研究了这两种膜层之间的渗透问题。用X射线光电子能谱仪(XPS)测量了薄膜的成分随深度方向的变化,用反射式椭偏仪对X射线光电子能谱仪测得的实验结果进行模拟与验证。结果表明,用X射线光电子能谱仪测得的实验结果建立的椭偏模型,模拟出来的椭偏曲线和用椭偏仪测量出来的椭偏曲线十分吻合;对于ZrO2/SiO2双层薄膜,膜层间的渗透情况不是很严重,在薄膜界面处薄膜的成分比变化非常明显,到达一定深度后薄膜的成分不再随深度的变化而变化;SiO2/ZrO2双层膜膜层界面间的渗透十分严重,渗透层的深度比较大,底层几乎发生了完全渗透。     

基于GaN HEMT工艺的高功率宽带6 bit数字移相器

基于GaN HEMT工艺研制了一款8～12.5 GHz宽带6 bit数字移相器.通过采用优化的宽带拓扑和集总元件,以及在片上集成GaN并行驱动器,提高了移相精度,缩小了芯片的尺寸,减少了控制端数量.测试结果表明,在8～12.5 GHz频带内,全部64个移相状态下,插入损耗小于11 dB,输入回波损耗小于-14 dB,输出回波损耗小于-16 dB,移相均方根误差小于1.8°,幅度变化均方根误差小于0.5 dB.在8 GHz频率下,1 dB压缩点输入功率高达33 dBm.芯片尺寸为5.05 mm×2.00 mm×0.08 mm.