锌溴液流电池安全性研究

针对锌溴液流电池电解液中溴易挥发,充电过充时以及充电过程中温度过高易造成安全性隐患,通过对溴络合剂,电氧化聚合电解液添加剂,电压敏感隔膜,温度敏感电极等,这些影响因素进行实验分析,结果表明溴络合剂采用四丁基溴化铵,电氧化聚合电解液添加剂采用4-溴苄基异氰酸酯,电压敏感隔膜采用聚对苯和聚二苯胺复合膜,温度敏感电极采用环氧树脂-炭黑复合物的PTC材料,就能很好的控制锌溴液流电池的安全性。     

Fluor SOx净化工艺——为俄罗斯绿色环境开发的将SOx转化为元素硫的经济技术

Fluor公司开发的Fluor SOx净化工艺具有广泛多样的工艺布局，可以通过经济的方式定制脱除烟气中的有害组成。该工艺几乎能去除全部SOx并减少CO排放。Fluor SOx净化工艺的主要步骤已在多套工业装置中得到成功的证实。除技术可行、经济合理之外，Fluor SOx净化工艺不会产生任何有害副产物，也不会遇到与SOx有关的腐蚀问题。此外，该工艺生产高纯度可市售的元素硫。论述了Fluor SOx净化工艺的特征、技术和成本优势、设计和操作的简易性以及实施的便利性。     

植物生长调节剂的开发

植物生长调节剂是农药之一种。向来杀虫剂、杀菌剂和除草剂这些农药被用于防治作物的外敌,改善作物的生长环境,而植物生长调节剂则是直接地作用于作物,利用它,人们把作物的生长控制在对人有利的方向上。赤霉素在无籽葡萄生产中的应用、把生长素用于温室栽培的番茄以促进结果,抑芽丹用作烟草腋芽抑制剂等,已为人们所熟悉。现在,日本已注册的在市场上出售的植物生长调节剂约有30种,其销售额为45亿日元,占农药总销售额(3,460亿日元)的1.3％。在全世界农药市场中,植物生长调节剂销售额为9亿美元,占整个农药销售额(138亿美元)的6.5％。迄今,植物生长调节剂的应用范围     

一种快速软化方法

对增重砂（ballasted sand）絮凝技术处理含有硬度的工业废水的可行性进行了研究。该项研究分3阶段进行。第1阶段处理了含钙硬的废水．第2阶段处理含镁硬和二氧化硅的废水．第3阶段处理含有钙、镁和二氧化硅的废水，研究发现．该处理系统可实现快速软化，明显减少了处理时间并提高了处理水的水质。并可在各种浓度和工艺条件下运行。     

抗电磁干扰聚苯乙烯的研究

本文研究了填充导电炭黑的聚苯乙的电性能和力学性能。结果表明，对炭黑作表明处理，并以适当比例进行填充时，可降低聚苯乙的体积电阻率，改善力学性能，提高其抗电磁干扰的能力。     

对氯苯氧乙酸及其钠盐,铵盐的制备

本文阐述了以对氯苯酚及氯惭酸为主要原料，制备对氯苯氧惭酸及其欠盐、铵盐的方法。     

抑制营养代谢型除草剂

现在,新的除草剂的研究正在积极地进行着。这里,笔者想提及在最近开发的除草剂中具有新的作用机理、实用价值也非常高的抑制脂肪酸合成及氨基酸合成型除草剂抑制脂肪酸合成型除草剂这一类除草剂(图1,略),从化学结构来分,可分为芳氧基苯氧基丙酸类(禾草灵、吡氟丁禾灵、吡氟氯禾灵、禾草克、(口恶)唑禾草灵)和环己二酮类[禾草灭、稀禾定、clopropoxydim、烯草酮(clethodim)]。这些除草剂对禾本科植物有优异的效果而对其他植物事实上无害,     

双甲苯基乙酰基－1，3－茚满二酮铵盐（双甲苯敌鼠铵盐）的合成

以三氯异丙醇、甲苯、邻苯二甲酸二甲酯为原料，合成了新型杀鼠剂双甲苯基乙酰基－１，３－茚满二酮铵盐，并对其结构进行了验证。     

Si(111)上生长LiNbO_3薄膜的研究

利用射频磁控溅射的方法,在Si(111)衬底上制备了LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了衬底温度、退火温度和溅射气体压强对LiNbO3薄膜结晶和表面形貌的影响,并用椭圆偏振仪测量了薄膜的厚度和折射率。结果表明:衬底温度为450℃时制备的薄膜,退火前后都没有LiNbO3相生成;衬底温度为500～600℃时,LiNbO3薄膜出现(012)、(104)和(116)面衍射峰,经600℃退火后3个衍射峰的强度加强;衬底温度为600℃时,经600～900℃退火得到的LiNbO3薄膜,除出现(012)、(104)和(116)面衍射峰外,还出现(006)面衍射峰;溅射气体压强从0.8 Pa增大到2.4 Pa时,经800℃退火后得到的LiNbO3薄膜表面晶粒团簇变小,而0.8 Pa制备的薄膜经800℃退火后LiNbO3相的结晶程度较其它压强下完善;900℃退火后得到的LiNbO3薄膜折射率为2.25,与LiNbO3晶体相当。     

矩阵的Hadamard积最小特征值的下界估计

对A和B是非奇异M矩阵,利用著名的Gerschgorin圆盘定理,给出了B和A-1的Hadamard积B。A-1的最小特征值τ(BA-1)新的下界估计式,此下界估计式改进了现有的几个结果,并且这个下界估计式只涉及矩阵A和B的元素,易于计算.例证表明,所得下界估计式要比现有的下界估计式更加精确.