镁钙合金的显微组织及力学性能

应用XRD、SEM、TEM以及短时拉伸试验研究了钙对镁合金组织和性能的影响。结果表明：铸态下，含钙镁合金主要由镁基体和晶界处的离异共晶组织（Mg＋Mg2Ca）组成；固溶时效后，晶界处的离异共晶组织消失，代之以颗粒状的Mg2Ca相。铸态合金的常温力学性能较差，但固溶时效后其常温力学性能显著提高，并且在高温短时拉伸时仍然能保持较高的强度。随着含钙量的提高，晶界离异共晶量增加，铸态和时效态的室温抗拉强度和伸长率均下降，时效态高温短时抗拉强度增加，但伸长率仍有所下降。     

铸造SiC_p/Al-Si复合材料中的“界面Si”行为

采用ＴＥＭ 研究了ＳｉＣ／ＡｌＳｉ 复合材料, 提出了“界面Ｓｉ”的概念。由于与增强体ＳｉＣ 不润湿, 初生α（Ａｌ） 相不在ＳｉＣ 颗粒上形核并对其发生排斥。（Ａｌ＋ Ｓｉ） 共晶体中的共晶领先相Ｓｉ 优先在ＳｉＣ表面上形核、长大, 形成界面Ｓｉ, 并形成大量ＳｉＣ／Ｓｉ 界面。ＳｉＣ／Ｓｉ 界面“干净”、平直, 结合紧密, 其中未发现任何界面相。在个别ＳｉＣ／Ａｌ 界面上析出了二次Ｓｉ。     

甲烷浓度对CVD金刚石膜表面粗糙度的影响

研究了化学气相沉积金刚石膜时甲烷浓度与金刚石膜表面粗糙度的关系。结果表明，随甲烷浓度的增加金刚石膜表面粗糙度下降。表面粗糙度主要由金刚石膜的晶粒大小和二次形核决定，晶粒越细，表面粗糙度越低，在金刚石晶界二次形核及长大，也促使金刚石膜表面粗糙度降低。     

生物羟基磷灰石涂层材料的研究进展

综述了羟基磷灰石生物陶瓷复合材料的发展及其涂层材料的制备工艺，分析了羟基磷灰石生物涂层材料的性能及涂层与基体的界面结合状态，提出了涂层材料急等解决的几个关键问题。     

正火40MnMoV钎钢的贝氏体组织

用ＴＥＭ研究了新型钎钢４０ＭｎＭｏＶ的正火组织，发现它与Ｓｉ－Ｍｎ－Ｍｏ系的另一种钎钢５５ＳｉＭｎＭｏ相似，由无碳化物上，下贝氏体Ｂｕ、Ｂｌ、以孪晶马氏体为主的“块状组织”和约１５％残余奥氏体Ａｒ组成，但４０ＭｎＭｏＶ的Ｂｕ，Ｂｌ较多，Ａｒ和Ｌ则较少；Ｂｕ板条较粗大，其间分布着不连续的Ａ小片条；Ｂｌ片中有渗碳体与粤氏体Ａ共存；Ｌ的尺寸较小，硬度较低，讨论了该钢正火时贝氏体（Ｂ）相变的原因及影响贝氏     

TZP增韧HA复合材料的微观结构

用透射电子显微镜对四方氧化锆多晶（ZTP）增韧羟基磷灰石（HA）复合材料的微观相结构进行了观察与分析。结果表明,材料的相组成中,既有HA晶体,还有HA晶体在高温、高压成型过程中发生分解反应产生的磷酸三钙（Ca3(PO4)2晶体和磷酸二钙（Ca2P2O7)晶体;同时,样品中还观察到了三种晶形的氧化锆（ZrO2)：即立方（ZrO2)、四方ZrO2和单斜ZrO2,说明材料内部发生了t-ZrO2（高温型）→m-ZrO2（低温型）的马氏体相变。除此以外,还出现了CaZrO3相,CaZrO3相的形成是HA晶体分解出的CaO与ZrO2相互反应的结果。     

合金化提高镁合金抗蠕变性能的研究进展

从镬合金高温蠕变机理出发,评述了提高镁合金抗蠕变性能的主要途径和近年来国内外主要抗蠕变镁合金系列(Mg-Al系、Mg-Zn系、Mg-RE系)的研究进展.通过合金化在镁合金晶内和晶界处生成一些弥散分布、热稳定性高的沉淀强化相,可减少高温时镁合金的扩散蠕变和晶界滑动,是提高各系列锾合金抗蠕变性能的有效方法.     

铸造Mg-3Zn-0.5Cu-0.6Zr镁合金的时效析出行为研究

利用金相显微镜、显微硬度计、X射线衍射仪、扫描和透射电镜研究了铸造Mg-3Zn-0.5Cu-0.6Zr镁合金铸态和固溶时效后的显微组织,初步确定了时效Mg-3Zn-0.5Cu-0.6Zr镁合金中主要合金相的种类和形态.合金铸态组织主要由初晶Mg基体和(Mg+Mg2Cu,CuMgZn)共晶组成.固溶后,晶界处大部分非平衡共晶组织溶解;180℃/20h时效后达到合金时效硬度峰值,此时晶内析出相主要有三类:(1)轴线垂直于(0001)Mg,板条状或棱柱状β2’-MgZn2,长度50nm～200nm,该相是合金的主要时效硬化相;(2)较粗大的、其轴线仍与基面垂直的六棱柱状β2’-MgZn2;(3)轴线平行于(0001)Mg,板条状或针状β-MgZn,长度50nm～150nm.     

高强度Mg-Zn系合金的研究现状与发展趋势

论述了国内外Mg-Zn系合金的研究和开发现状,分析了zr和稀土元素在Mg-Zn系合金中所起的作用以及对合金组织、性能及变形加工能力所产生的影响,总结了Mg-Zn-Re(-Zr)系合金中准晶相和G.P.区的形成、作用及特点.指出在Mg-Zn系合金中添加稀土元素合金化促进G.P.区的形成是研究开发高强韧性镁合金的一个重要发展方向.     

SiCp/Al-Si复合材料中SiC/Al界面处亚晶铝带的研究

通过利用ＴＥＭ研究ＳｉＣｐ／Ａｌ－Ｓｉ昨合材料发现,ＳｉＣ／Ａｌ界面结合紧密,在靠近ＳｉＣ界面的Ａｌａ基体中,有一层厚度小于１μｍ的“亚晶铝带”,它紧靠ＳｉＣ表面形成,与远离ＳｉＣ的Ａｌ基体有几度的位向差,这种“亚晶铝带”在ＳｉＣ／Ａｌ界面上普遍存在,其内有大量位错。