镁黄铜的组织与性能研究

采用熔铸、挤压的方法制备出了镁黄铜棒材.利用扫描电镜(SEM)、光学显微镜(OM)、X射线衍射仪(XRD)和差热分析仪(DSC)等手段对镁黄铜的微观组织、物相组成和相转变特征、力学性能、切削性能以及腐蚀性能进行了研究.结果表明:合金物相由α相、β相和Cu2Mg相组成,以α相为主;镁黄铜的抗拉强度为494.39MPa,屈服强度为388 56MPa,伸长率为8.78%,布氏硬度为HV140.7,优于铅黄铜;切削性能达到铅黄铜性能的78.5%.研制的镁黄铜替代铅黄铜具有可行性.     

DBC电子封装基板研究进展

综述了DBC电子封装基板的研究进展,介绍了DBC电子封装基板材料的选择、敷电子封装中的使用特点,并展望了DBC电子封装基板的应用前景.     

微量元素Cr、Mg对Zn-Cu-Ti合金力学和蠕变性能的影响

采用熔铸、挤压的方法制备了添加Cr、Mg等微量元素的Zn-Cu-Ti系合金, 通过蠕变试验测定了合金的拉伸蠕变性能, 借助SEM、EDS等手段对合金蠕变前后显微组织进行了观察和分析。结果表明: 添加微量元素可降低Zn-Cu-Ti合金常温蠕变速率, 提高合金蠕变抗力。其中添加了Cr元素的Zn-Cu-Ti合金抗拉强度、蠕变性能都有一定的提高;添加了微量元素Mg的Zn-Cu-Ti合金抗拉强度有一定提高, 其蠕变抗力有大幅度提高。Zn-Cu-Ti系合金的常温蠕变机制为位错在晶内的滑移机制, 固溶强化和晶界处的第二相颗粒能提高合金的抗蠕变性能。     

不同处理态的高速列车用TP2铜导体腐蚀行为研究

为了研究高速列车车顶用TP2铜导体在露天环境下服役的腐蚀行为,将硬态和半硬态2种TP2铜导体在大气环境下分别置于10％盐酸溶液和10％硫酸溶液中进行模拟加速腐蚀实验,利用XRD、SEM和EDS分析其腐蚀形貌和腐蚀产物,结果表明:TP2铜导体在盐酸和硫酸溶液中的主要腐蚀产物分别为CuCl和CuSO4(H2 O)5;TP2...     

提高材料化学专业本科生毕业设计质量的方法探究

毕业设计作为培养方案的核心环节,对于培养学生独立分析与解决问题的能力,提升学生的综合能力和专业素养,具有不可替代的作用。从学生、指导教师、保障体系等三个方面分析了材料化学专业毕业设计质量现状,提出了重视前期准备工作、优化时间安排、强化指导教师主导作用和建立可靠保障体系等四点建议,以提高材料化学专业本科生毕业设计质量。     

Zn-1.0Cu-0.2Ti合金的静态再结晶行为

采用熔铸、轧制的方法制备Zn-1.0Cu-0.2Ti合金,借助扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)观察合金的显微组织,测定不同退火制度后合金的硬度和再结晶晶粒尺寸,建立了Zn-1.0Cu-0.2Ti合金的再结晶晶粒长大模型,研究退火温度和退火时间对Zn-1.0Cu-0.2Ti合金再结晶行为的影响。利用硬度法测得Zn-1.0Cu-0.2Ti合金的再结晶温度在230℃左右。结果表明:随着退火温度的升高和退火时间的延长,合金再结晶晶粒均逐渐长大,但晶粒长大的速度趋于缓慢,合金中弥散分布于基体内的CuZn4和TiZn15相能够抑制再结晶晶粒的长大。     

低温时效对铍材尺寸稳定性的影响

利用拉曼光谱仪、纳米压痕仪、电子背散射衍射电镜以及透射电镜分析低温时效后等静压铍材的残余应力、晶粒取向差、位错密度及位错分布形态,分析低温时效处理对铍材尺寸稳定性的影响。结果表明,低温时效处理后,热等静压铍材、退火铍材和热冷循环铍材在热循环过程中的尺寸收缩均明显减小。低温时效处理过程中铍材尺寸稳定化机制主要是晶粒内位错均匀化及微塑性变形导致取向差均匀化。     

制备工艺对Ag-ZnO触头材料组织与性能的影响

研究了AF法(雾化粉末热锻法)和PM法(粉末冶金法)制备的Ag-ZnO电接触材料.利用X-ray 衍射、光学显微镜、扫描电镜等手段分析了Ag-ZnO合金的物相组成及显微组织结构和成分,对比分析了不同工艺对其组织、性能的影响.结果表明:AF法制备的Ag-ZnO材料,ZnO颗粒弥散分布在Ag基体中,Ag相和ZnO相结合紧密.而PM法制备的Ag-ZnO材料,ZnO颗粒团聚严重.AF法制备的Ag-ZnO电接触材料的致密度、硬度、电阻率都要优于PM法.     

Si3N4颗粒及SiC晶须强韧化MoSi2复合材料的低温氧化行为

对Si₃N₄颗粒及SiC晶须强韧化MoSi₂复合材料在773K下的氧化行为进行了研究.通过热重量分析法（TG）分析了MoSi2及其复合材料MoSi₂-Si₃N_4(p)和MoSi₂-Si₃N_4(P)SiC_(w)在773K下的氧化性能, 采用SEM和X射线衍射测定其表面形貌和氧化物相组成.结果发现：在773K下, 纯MoSi₂和MoSi₂+20vol%Si₃N₄均发生了“Pesting”氧化, 氧化过程服从直线规律, 氧化产物层疏松, 氧化产物主要为MoO₃; MoSi₂+40vol%Si₃N₄氧化服从抛物线规律, 速率常数K_p为0.04mg²/(cm⁴·h), 氧化层致密, 成分主要为SiO₂、Si₂N₂O, 增加Si₃N₄的含量可显著提高MoSi₂的抗“Pesting”氧化能力; MoSi₂+20vol%Si₃N₄+20vol%SiC发生了严重的粉化现象, 氧化产物主要为短针状MoO₃.