伪邻近点法分析薄膜磁致伸缩测试中异常数据

采用伪邻近点法,对薄膜磁致伸缩系数测试试验中得到的不同性质的测试数据分别进行处理,发现它们具有确定性的特征,从而可得测试中异常状态基本由系统本身引起,这样通过调节及改进测试系统就能减小其影响,得到较为可靠的光点位移数据。     

Ka波段宽带薄膜匹配负载设计与制备研究

基于实频法思想设计了Ka波段薄膜匹配负载的宽带匹配网络,并利用ADS和HFSS软件进行了仿真和优化。仿真结果表明,在32 GHz～40 GHz频率范围内,所设计匹配负载的电压驻波比均小于1.2。利用丝网印刷以及直流磁控溅射工艺制备了所设计的薄膜匹配负载。测试结果表明,所制备的TaN薄膜匹配负载在30.3 GHz～37.4 GHz频率范围内,其电压驻波比均小于1.3。     

热处理对TaN薄膜电性能的影响

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻(R□)及电阻温度系数(TCR)的影响。研究发现,在热处理时间为2h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12?/□增加到24?/□,TCR从15×10-6/℃下降到-80×10-6/℃;在热处理温度为300℃的条件下,热处理时间对R□及TCR影响较小,随着热处理时间的增长,R□及TCR略有变化。     

基于材料力学的磁致伸缩薄膜悬臂梁挠度分析

采用材料力学法对磁致伸缩薄膜两层悬臂梁挠度与薄膜磁致伸缩系数的关系进行了分析，所得结果与采用能量最小化和有限元法导出的结果完全一致，并将其扩展到多层悬臂梁的情形，得到了一个简洁的表达式。     

真空热处理对NiCrA1Y薄膜表面高温氧化的影响

采用直流磁控溅射法在镍基高温合金DZ4上制备了NiCrA1Y薄膜,并对NiCrA1Y薄膜进行真空热处理后再进行高温氧化,以生成一层致密的Al2O3膜,研究了真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响.结果表明:经过真空热处理的NiCrA1Y薄膜,高温氧化后表面生成了单一、稳定的α-Al2O3相,Al和O的粒子数分...     

NdCl3镀液浓度对电镀CoNdNiMnP永磁薄膜阵列磁性能的影响

基于轻稀土元素-Nd与过渡金属元素-Co之间的铁磁耦合作用提高电镀CoNiMnP永磁薄膜阵列的磁性能,在电镀时引入稀土Nd元素进入CoNiMnP永磁薄膜阵列中,通过改变镀液中NdCl3的浓度而改变CoNdNiMnP薄膜中的Nd含量.对镀液中NdCl3浓度与薄膜磁性能的关系进行了分析与测试,结果表明室温下,在电流密度为5mA/cm2时,具有垂直各向异性的CoNdNiMnP永磁薄膜阵列被成功地电镀得到.随着NdCl3浓度的增加,薄膜的磁性能提高,当NdCl3浓度增加到0.25×103g/cm3时,薄膜的磁性能达到最大值,继续增加镀液中NdCl3浓度,薄膜阵列的磁性能不再增加.     

弱C轴择优AlN薄膜晶体测温技术研究

采用中频反应磁控溅射法,使氧化铝陶瓷基片上沉积了弱C轴择优的AlN薄膜。通过真空退火的方式,研究了AlN薄膜(002)晶面衍射峰晶格参数2θ随退火温度和退火时间的变化规律。采用X射线衍射仪表征了薄膜的晶体结构。研究发现,AlN薄膜的晶格参数2θ随退火温度的升高及退火时间的累积呈单调增大趋势。利用MATLAB软件线性拟合晶格参数2θ与退火温度和退火时间得出温度判读算法公式,在400~1000℃范围内,温度判读误差可以控制在7%以内。并利用MATLAB编写了温度判读软件,实现了温度的可视化判读。     

热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响

采用直流磁控溅射制备TaN薄膜,研究了热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响.结果表明,退火温度及退火时间都将影响薄膜的微结构及方阻.随退火温度的升高和时间的延长,TaN薄膜的方阻逐渐增大,但当退火温度高于800℃时,由于氧化严重导致薄膜的方阻异常增大.退火可显著改善薄膜的TCR,制备态TaN薄膜的TCR值为-1.2X10-3,薄膜经800℃退火30min后,其TCR可降低到-7.0x10-4.     

功能-结构一体化NiCr/NiSi薄膜热电偶的制备

采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al2O3热氧化层、Al2O3绝缘层、NiCr/NiSi薄膜热电偶层以及Al2O3保护层构成.主要研究了热电偶层薄膜厚度和时效处理对热电偶性能的影响以及温度对Al2O3绝缘层绝缘性的影响.静态标定结果表明,热电...     

Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体畴壁钉扎的二维微磁学研究

Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体中的畴壁钉扎研究一直是磁学领域中的关注点.本文首先建立了Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体畴壁钉扎的二维微磁学模型,然后利用微磁学计算了胞壁相的物理参数对畴壁钉扎的影响.计算结果表明,只有合适的胞壁相厚度和磁晶各向异性常数才能获得高的钉扎场.