溅射气压和偏置磁场对FeSiCoB薄膜应力阻抗性能的影响

利用磁控溅射,通过溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜.当偏置磁场从4800 A/m增加到9600 A/m时,薄膜的应力阻抗从0.5%提高到1.65%.在2 Pa溅射气压和9600 A/m的偏置场下,获得了1.65%的阻抗相对变化.     

钡铁氧体厚膜的制备工艺研究

采用丝网印刷方法来制备钡铁氧体(BaFe12O19)厚膜,研究了轧制时间和取向磁场强度对BaFe12O19厚膜样品的微观结构和磁性能的影响规律。结果表明,随着轧制时间的增加,所制BaFe12O19厚膜样品表面的气孔数量和大小都逐渐减小,且剩磁比和矫顽力均逐渐增加;随着取向磁场强度的增加,厚膜样品中晶粒的分布具有各向异性,且剩磁比和矫顽力均随取向磁场强度的增加而逐渐增加。     

陶瓷基Pt/ITO薄膜热电偶的制备与性能研究

为了准确测量涡轮叶片表面温度,采用掩模图形化和射频磁控溅射的方法,在A12O3陶瓷基片上沉积Pt/ITO薄膜热电偶,并对其进行了静态标定.结果表明:Pt/ITO薄膜热电偶在1 000℃进行大气气氛退火,随着退火时间的增加,样品热电势输出曲线稳定性逐渐增强,Seebeck系数也较大,标定曲线均具有很好的线性度,退火5h的样品的最大测温误差仅为16.03℃,可在400～1100℃温度范围热循环中稳定工作约20 h.ITO薄膜厚度对Pt/ITO薄膜热电偶热电性能几乎没有影响.     

基于LC谐振的无线无源应变传感器研究

研究一种平面螺旋电感和叉指电容并联结构的LC谐振无线无源应变传感器,利用LC谐振回路的谐振频率对不同应变的响应来表征传感器的应变特性,采用电感耦合的方式来实现无线检测.结果显示LC应变传感器的谐振频率随外加张应变增加而降低,沿电容电极长度方向谐振频率变化对应变的响应灵敏度约为0.3 kHz/με,垂直于电容电极长度方向...     

FeCoSiB薄膜应力阻抗性能的的影响因素及提高方法

利用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜，溅射过程中施加一横向静磁场，并在真空中退火。实验结果表明，FeCoSiB的应力阻抗效应与制备工艺（工作气压、溅射磁场）和退火条件（退火温度、退火时间）有着非常密切的联系。当偏置磁场从60 Oe增加到120 Oe时，薄膜的应力阻抗从0．5％提高到了1．65％。在80 Oe磁场下，薄膜经300℃、40min退火处理后，应力阻抗效应达1．86％。     

薄膜磁致伸缩系数测试系统的研究

根据激光光杠杆放大原理设计实现了薄膜磁致伸缩系数的计算机辅助测试系统。根据激光光杠杆的放大作用,利用位置敏感传感器(PSD)探测激光光点的位移,将激光点位移信号转换成电信号,利用KEITHLY2182电压表测量电信号,在Testpoint测试软件平台上开发了磁致伸缩系数测试程序,通过计算机对KEITHLY2182电压表的控制,实时读出KEITHLY2182电压表所测到的电压并进行数据处理。通过标定,该测试系统能较好地对薄膜磁致伸缩系数进行测量。     

热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响

采用DC磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁织构,提高薄膜的应力阻抗效应。薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A 型阻抗分析仪在200kHz~10MHz频率范围内测试薄膜的应力阻抗效应。结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性,改善薄膜的软磁性能、提高薄膜的应力阻抗效应。在温度低于300℃时,随着退火温度的增加,薄膜的应力阻抗效应增大;当退火温度超过300℃时,薄膜的应力阻抗效应随退火温度增加而降低。与Fe CoSiB单层膜相比, FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜应力阻抗效应较大。10MHz测试频率下,在基片末端位移为450μm时,经300℃热处理的三明治膜达到了8.3%,而单层膜仅有1.86%。当测试频率较高为10和4MHz时,薄膜的应力阻抗效应变化不大,当测试频率下降到低于1MHz时,薄膜的应力阻抗效应显著降低。     

葡萄糖传感器聚氨酯扩散限制膜的制备及其响应性能的研究

针对目前葡萄糖传感顺响应电流线性范围小,不能满足糖尿病诊断、治疗的问题,采用扩散限制膜来扩大线性范围,主要研究了以聚氨酯为扩散限制膜的葡萄糖传感器。研究了在不同制膜液浓度及不同浸渍次数的条件下,葡萄糖传感器的响应性能。结果表明：没有引入聚氨酯扩散限制膜的葡萄糖传感器响应线性范围很小（＜2.78mM);引入聚氨酯扩散限制膜后,随着制膜液浓度及浸渍次数的增加,葡萄糖传感器的响应线性范围增大（最高可达0－33.3mM),灵敏度减小,对干扰物质抗坏血酸的响应电流减小（最大可以减少95％）。说明聚氨酸扩散限制膜的引入是提高葡萄糖传感器响应线性范围的一种非常有效的方法,并能较大程度地消除干扰物质抗坏血酸的干扰作用。     

电镀法制备CoNiMnP永磁薄膜阵列的研究

采用光刻和电镀技术在5mm×5mm×0.2mm的硅片上设计并制备了2000个大小为50μm×50μm的CoNiMnP垂直各向异性永磁薄膜阵列,并对该薄膜陈列的组成、磁性能等进行了分析与测试.结果表明:薄膜阵列的组成为:Co90.32wt％、Ni7.83wt％、Mn0.74wt％、P1.11wt％,阵列垂直方向磁性能为:H_c=59.7kA/m,B_r=0.53T,(BH)_max=11.3kJ/m³;阵列水平方向磁性能为:H_c=27.8kA/m,B_r=53715T,(BH)_max=1.585kJ/m³.     

溅射气压对FeCoSiB非晶薄膜表面形貌及磁特性的影响

利用磁控溅射的方法，在玻璃基片上制备了FeCoSiB非晶薄膜，研究了溅射心气压强对薄膜表面形貌及磁特性的影响。结果表明，薄膜的表面形貌显著依赖于心气压强，随着山Ar压强的增加，薄膜表面颗粒增大，粗糙度增加并形成柱状微结构。心气压强对薄膜磁特性有显著的影响，随血压强增加，薄膜的矫顽力增加，而剩磁则呈下降趋势。从薄膜的磁滞回线、矫顽力以及剩磁随溅射气压的变化规律可知，溅射气压较小时制备的薄膜软磁性能较好．