高阻表面交指形电容设计公式的改进

本文采用保角变换法和电容拼接技术对交指形电容进行精确的计算,对交指形高阻表面光子晶体设计公式进行了改进.该计算模型适用于宽范围的介电常数和介质层厚度,各指长度和缝隙宽度可以不同,并且很容易扩展到多层介质以及有覆盖层的情况.设计了三个光子晶体例子,对其表面波特性进行了模拟和测试,得出交指电容值,证明本文给出的计算公式更准确.     

基于无线传感器网络技术的收视率调查系统

通过对收视率调查方法的比较和学习，提出一种基于无线传感器网络的收视率调查系统，通过无线传感器节点将调查对象的特征参数提取，并对特征参数进行数据融合和压缩处理，然后通过汇聚节点将数据通过以太网传输到后台服务系统。利用一个辅助的系统和后台服务系统相结合来提供调查样本的自然和社会属性，使得调查数据更全面。整个系统在调查过程中对用户没有任何影响，并且无需占用用户的电话线或者使用IC卡来收集信息。该系统能够实时有效地对调查样本进行调查，并对调查样本不产生任何的影响，保证了调查数据的客观性和系统的非入侵性。     

奇梦达在苏州设立新存储产品研发中心

奇梦达公司近日宣布将在苏州设立一家新的专门开发存储产品的研发中心。这家新的研发中心将帮助奇梦达实现扩大和多样化产品组合的目标。奇梦达总裁兼CEO罗建华表示:"苏州是中国七大国家级集成电路产业基地之一,苏州的IC产业对中国非常重要,它的销售收入已经达到146亿人民币,占全国IC生产的16%。这是我们选择苏州作为奇梦达新的研发中心地点的原因。"苏州研发中心是由     

多孔硅PL谱的影响因素分析

通过阳极氧化电化学方法制备了多孔硅,并在室温下对不同条件下制得的多孔硅光致发光谱(PL谱)进行系统的分析.结果表明,随着阳极电流密度、阳极化溶液浓度和时间的增大,多孔硅的PL谱峰将发生"蓝移",并且PL峰强也显著增加,但过大的电流密度、阳极化溶液浓度和时间将导致PL峰强下降.另外,还发现PL谱存在多峰结构,而多孔硅在空气中放置时间的延长将引起其PL的短波峰"蓝移"和强度下降,但对长波峰只引起强度减弱,并不影响其峰位.PL谱的多峰结构可以认为是由于样品中同时存在"树枝"状和"海绵"状两种微观结构所产生的,在这个假设下,用多孔硅氧化后发光中心从硅表面移到二氧化硅层及量子限制模型能够解释上述现象.     

伊顿电气大有作为——访伊顿电气亚太区关键能源解决方案事业部研发总监和产品线总监郑大为先生

伊顿电气是一家享誉全球的动力管理公司。伊顿电气提供的各种高效节能的解决方案,成为众多企业和终端用户首选供应商。为了更好地帮助数据中心领域的开拓者借鉴、熟知和应用伊顿电气技术和产品,本刊记者采访了伊顿电气亚太区关键能源解决方案事业部研发总监和产品线总监郑大为先生。     

低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜. 双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构，晶格参数为0.5683nm，据此推导出其Mn含量为7%. 磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K. 观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响，发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度，可以达到115K.     

掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响

研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论.     

宽带无线接入系统中的调制技术

近年来各种宽带无线接入技术迅速涌现,包括3.5GHz频段MMDS系统、26GHz频段的LMDS系统和无线局域网WLAN等。一方面这些技术充分利用了过去未被开发或者应用不多的频率资源(如2.4G、3.5G、26G、30G甚至60G的工作频段),实现尽量高的接入速率;另一方面融合了在其他通信领域成功应用的先进技术,如高阶QAM调制(64QAM)、ATM、OFDM等,以实现更大的频谱利用率、更丰富的业务接入能力和更加灵活的带宽分配方法。宽带无线接入系统中的主流调制技术比较早期的宽带无线接入技术多采用QPSK和FSK调制,调制效率为2~3bit/symbol;目前一部分…     

高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT

采用发射极基极金属自对准工艺，成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT．发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz．在片load-pull测试表明：当工作频率为1GHz时，器件工作在AB类，该功率管最大输出功率为23.5dBm，最大功率附加效率达60%，P1dB的输出功率为21dBm，对应增益为16dB，工作电压为3.5V．