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针对"大数据"中常见的大规模无监督数据集中特征选择速度难以满足实际应用要求的问题,在经典粗糙集绝对约简增量式算法的基础上提出了一种快速的属性选择算法。首先,将大规模数据集看作一个随机到来的对象序列,并初始化候选约简为空集;然后每次都从大规模数据集中无放回地随机抽取一个对象,并且每次都判断使用当前候选约简能否区分这一对象和当前对象集中所有应当区分的对象,并将该对象放入到当前对象集中,如果不能区分则向候选约简中添加合适的属性;最后,如果连续I次都没有发现无法区分的对象,那么将候选约简作为大规模数据集的约简。在5个非监督大规模数据集上的实验表明,所求得的约简能够区分95%以上的对象对,并且求取该约简所需的时间不到基于区分矩阵的算法和增量式约简算法的1%;在文本主题挖掘的实验中,使用约简后的数据集挖掘出的文本主题同原始数据集挖掘出的主题基本一致。两组实验结果表明该方法能够有效快速对大规模数据集进行属性选择。 相似文献
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深入分析了网络攻击活动中文件、进程、网络连接及通道的高级隐藏技术,其中包括:进程活动隐藏技术、文件隐藏技术、网络连接隐藏技术、网络隐蔽通道技术。这些技术有的已经被广泛应用到各种后门或安全检测程序之中。 相似文献
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针对特征取值为区间数的方案排序问题,提出两个区间数的偏离度概念用以构造方案间的偏离度矩阵,并给出一种基于总体偏离度优化的特征权重确定方法。利用提出的区间数向量的相对贴近度概念刻画一个方案接近于另一个方案的程度,进而对候选方案的优劣排序。该方法提出的各种度量较直观、易于理解,并通过实例验证方法的有效性和实用性。 相似文献
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岩石材料由于非均质性,其强度值具有明显的尺寸效应。而作为一种试验指标,岩石的强度尺寸效应与加载条件有关,不同的加载条件下其尺寸效应既有相同的规律,也存在差异。本文用真实破裂过程分析系统RFPA,对压缩试验、拉伸试验及三点弯曲试验进行数值模拟,得到不同加载条件下岩石强度尺寸效应的数值结果。由此可知,岩石的峰值强度和残余强度均随着尺寸的增加而降低,可以用Weibull尺寸效应律进行拟合,拟合效果较好,但其破坏形态不会显著改变。不同加载条件下岩石材料强度尺寸效应的差异可以通过其破坏时的均质度来反映,不同的加载条件有着不同的均质度,为一个动态参数。其值越大,表示岩石破坏时越均匀,尺寸效应越不明显。基于此,三点弯曲试验强度尺寸效应最为明显,单轴拉压试验次之,有侧压的压缩试验最不明显。在目前对尺寸效应的理论研究仍不尽人意的情况下,数值模拟可视为一种研究岩石强度尺寸效应的有效途径。 相似文献
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Surface gas discharge(SGD)plasmas have potential applications in the fields of active flow control,gas purification,heat transfer enhancement,etc.In order to obtain a uniform,stable and large-area SGD at atmosphere,a multi-electrode SGD plasma generator is designed in this paper.The major features of this newly-designed SGD plasma generator is as follows:the air-exposed upper grounded electrodes are made of nine tungsten wires and flush mounted on the dielectric PTFE barrier layer,while the lower powered electrode is made of a copper foil and encapsulated inside the PTFE material to avoid the ignition of the gas discharges below the dielectric barrier layer.The measurements on the electrical characteristics,fast imaging of discharges and the preliminary numerical analysis on the electric field distributions suggest that the multi-electrode configuration of the plasma generator plays a crucial role in enhancing the local electrical field,and subsequently,leads to the stable,quasi-uniform and large-area surface discharges. 相似文献
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在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致.并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(TiN)填充完整.结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因.1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值. 相似文献
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