包头市水土保持生态修复调研报告

包头市生态修复工作从组织领导、政策出台、部门协调到宣传教育、资金投入等各个方面已逐步形成了有效的工作机制。到2003年,4年来全市完成水土流失治理面积近500 km2,取得了显著的环境和社会经济效益。     

创建全国水土保持示范城市的做法和体会

包头市地处干旱、半干旱地区,自然生态条件比较恶劣,为提高城市绿化、美化水平,努力争创全国城市水土保持示范城市,付出了几代人艰苦的努力,取得了丰硕的成果。     

用电荷耦合器件观察小孔径密闭容器内图像的研究

本文介绍了一种利用电荷合器件和非球面透镜制作探头来观测小孔径密闭器内图像的方法，以及用ＢｏｒｌａｎｄＣ＋＋创建视频窗口来处理数据。     

高压清洗机工作原理分析及改进

从设备构成出发,简单阐述了高压清洗机的工作原理、用途和使用条件,并针对高压泵头裂纹故障进行分析,提出改进措施,以避免裂纹产生。     

石墨标准参考样品均匀度检查

美国地质调查所于1949年发行第一批标准参考样品G—1和W—1后,从国际间35个实验室共同分析报出的数据中,发现分析数据异常分散,引起了普遍注意,对造成分析数据差别很大的原因进行了长时间的争论。初期认为不同实验室之间数据的差别是由于分析方法不同和分析者水平差异所造成,对样品的不均匀性未能引起足够的重视,直到1969年才对这一问题给予了必要的注意。标准参考样品的分析数据,要求尽可能地接近真值,因此必须注意三方面的误差来源,(1) 分析误差 (2) 取样误差 (3) 样品本身的不均匀性。尽量克服上述三方而的误差来源是分析工作者必需做到的工作。标准参考样品既以天然岩石矿物粉末为基础,经过破碎、研     

工业微波磁控管开关电源系统设计

研究了磁控管驱动电源的设计方法.主电路采用谐振拓扑结构,易于实现软开关,利用升压高频变压器的漏感作为谐振电路的一部分,简化了主电路设计.采用磁控管阳极高压和灯丝供电电压分开方案,实现灯丝电流随功率变化,来提高磁控管的使用寿命.使用PWM芯片设计了主控制电路,通过外部给定信号实现电源功率调节.设计的电源具有灯丝电流过小、高压过压、过功率、高压短路和过温等多重保护.在1500W的样机上进行了实验,对设计方法的有效性进行了验证.     

推广静电喷涂技术,提高生产水平

一、前言轻工业生产中,大量产品需要经过表面涂饰。产品一经涂饰,不仅可增强防锈蚀能力,使产品经久耐用,而且可提高装饰性,使产品绚丽多彩。所以,表面涂饰技术一直在消费品生产中占有重要地位,是必不可少的工艺技术之一。随着生产的不断发展,产品种类和产量不断增加,越来越要求表面涂饰技术提高到与生产速度、产品质量相适应的水平。因此,采     

眼轴及眼前节SS-OCT一体化成像系统

针对现有眼轴测量仪器无法同时实现大量程眼轴测量及眼前节成像的功能,设计了眼轴和眼前节同步测量的大量程扫频光学相干层析成像系统。该系统通过设计大量程扫频光源增加成像深度,并在外部设计搭建标定光路进行k域重采样以提高大量程干涉范围内的成像质量,从而在获取高精度眼轴信息的同时对眼前节成像;针对该系统OCT图像信噪比较低的问题,文中采用基于各向异性滤波的保边去噪算法对图像中的散斑噪声进行抑制以提高图像对比度。系统分别使用等比例人眼模型和离体鱼眼进行成像实验,实验结果表明:该系统成像深度可达到69 mm,在精准测量眼轴纵向五层结构的同时完成12 mm范围内的眼前节横向扫描,眼轴长度平均测量误差0.04 mm,成像时间约为0.45 s,满足临床医学应用中实时性的要求。     

同步发电机光控励磁系统的研究

提出一种新型同步发电机无刷励磁控制系统一光控励磁系统。它是在普通无刷励磁控制系统中用可控器件(SCR或IGBT)取代不可控的二极管，并通过光电耦合，实现对励磁电流的直接控制。在Matlab／Simulink环境下，对光控励磁系统进行建模、分析和仿真。结果表明：光控励磁系统能提高同步发电机的响应速度，改善电力系统的暂态和稳态性能。     

基于GaN器件的固态射频电源应用研究

随着电力电子技术的发展,射频电源由电子管电源发展成现在的晶体管射频电源。氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子饱和漂移速度以及高导通的AlGaN/GaN异质结二维电子气2DEG(two-dimensional electrons gas)等优点。GaN功率器件与硅(Si)功率器件相比,具有导通阻抗低,输入、输出电容小等特性,这些特性使得GaN功率器件高开关速度、低损耗。在E类功率射频电源的基础上,采用GaN功率器件设计制作了一款开关频率为4 MHz、功率可调的全固态射频电源实验样机。通过电路的设计和优化,样机的输出功率为21.4 W时,效率达到了96.7%;同时,采用专为射频电源生产的Si功率器件替换掉样机上的GaN器件,实验数据验证了GaN器件开关速度快、损耗低,可大幅度提高射频电源的效率。