一种针对电容阵列的低功耗充放电方法——动态基准电平斜波充放电法

论述了一种用于主动阵列显示(如硅基液晶)的电容阵列充放电电路的降低功耗的方法,我们称之为动态基准电平斜波充放电法。这种方法利用一行电容上电平的分布特性,将一行的电容连通相互充放电,达到静电平衡,得到行平均电容。以行平均电容为基准电平,对输入信号高于行平均电平的像素进行充电,而对输入信号低于行平均电平的像素进行放电,使之达到输入信号的电平。经过计算,这种方法与一般的斜波充放电方法相比可以降低70%以上的电容充放电损耗。在头盔显示器中,由于对功耗有严格的限制,因此在头盔系统的硅基液晶显示器中采用本文所讨论的驱动方法,对于降低功耗、提高系统集成度具有重要意义。     

基于单片LCoS四基色时序彩色显示的模拟

在单片LCoS显示器件实现时序彩色显示的基础上,分析了如何在单片LCoS显示器件上实现四基色显示;采用三基色到四基色转换的一种矩阵转换算法,提出了通过该算法在现有的硬件基础上实现三基色到四基色转换的方法;并列出了一组由VHDL硬件语言模拟得到的转化结果的数据,来证实能在硬件上转化的正确性;提出了采用功能更强大的可编程逻辑器件EP1C20F400C6,来提高三基色到四基色转换的速度和精度。     

场发射显示器中双层基板结构的数值分析

分析了场发射显示器(FED)中玻璃基板在大气压力下的形变和应力与玻璃基板厚度的关系,得到基板形变和应力随着其厚度的减少而急剧增大。通过研究玻璃基板表面粗糙度及其形变对于器件内部场强及碳纳米管发射电流密度的影响,得出为了保证95%以上的发射电流均匀度,低压型和高压型FED的阴极基板表面粗糙度均应在1μm以内,而阳极基板最大形变分别不超过10μm和40μm。在上述研究的基础上,提出了双层基板结构,其引入改善了FED内表面的粗糙度,同时使得12.7 cm(5 in)以下尺寸的FED屏中取消了支撑。文中还讨论了对于大尺寸屏幕的支撑配置方法。分析结果表明,双层基板结构对于改善发射均匀性和优化支撑体配置具有良好效果。     

一种基于分子结构设计理论的聚类分析方法

针对常用的无监督聚类分析方法中存在的问题,提出了一种基于分子结构设计理论的聚类分析方法。该方法借鉴分子结构设计理论模型,将故障样本空间看作分子系统,将故障样本看作分子系统中的原子,以故障样本之间的差异度作为分子势能的度量指标,在故障样本间相互作用势的影响下,以样本间势能最小为依据,调整故障样本在映射平面上的位置,从而获得最佳的聚类效果。开展了不同状态滚动轴承振动测试实验,聚类结果表明,相比于SOM聚类方法,该方法将聚类有效性指标DB值降低49.04%。将该方法应用于柴油机故障振动数据的聚类中,实验结果表明聚类效果良好,能够有效地将不同故障的数据区分开,验证了该方法的可行性和有效性。     

珠宝促销,重在攻心

日前,当笔者向一位业外朋友叙述,某人又拥有了一颗美钻时,他竟说:花几万元钱就买了颗小石头。若广大消费者都有如此认识,珠宝行业如何发展呢?导致这一问题出现的原因有三:首先,珠宝的使用价值很大程度上是由人们主观赋予的;其次,珠宝使用价值的体现,是需要使用者去感受的;最后,珠宝使用     

CVD法和丝印法制作的碳纳米管场致发射冷阴极的研究

本文研究了丝网印刷法和CVD生长法制备的碳纳米管冷阴极的场致发射性能.结果表明,在没有模板的情况下,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径有关,随催化剂颗粒的直径变化而变化,生长方向是随机的,但大电流发射稳定性较差;用丝网印刷方法制作的碳纳米管致发射冷阴极,场发射电流发射较稳定.     

电真空器件残气质谱分析和贮存寿命的快速测试研究

电真空器件内的残气压强是制管和管子工作过程中管内吸气剂材料吸气后形成的平衡压强,器件击破后质谱分析室本底气体会被吸气剂吸收。因质谱分析室放出的本底气体量一般远小于吸气剂在器件内原吸收的气体量,故器件内的残气压强的新平衡值增量可以忽略,分析室本底不会影响正确的分析结果;大气漏入管内后只表现出该管内惰性气体氩的积累;据此,我们提出了充氩法贮存寿命的快速测试方法。只有吸气剂失效或吸气饱和后管内残气质谱图才反映出漏入的大气成份或分析室本底气体干扰的特征。     

纳米碳管场致发射冷阴极的研究

以热化学气相沉积法较容易地制备得到场发射冷阴极。在导电性较好的金膜上蒸镀镍点,以此作为热化学气相沉积反应的基底,首先高纯氢气被通入石英管中作为保护性气体,同时起到还原催化剂的作用;然后通人乙炔气体,在700℃下在镍催化剂颗粒上乙炔发生裂解反应,实现纳米碳管的生长,并进行了场致发射特性实验研究,发射电流密度可达1．29A／cm^2,获得较大发射电流密度。     

碳纳米管场发射显示器中栅极技术的研究

碳纳米管场发射显示器件的研究已在各个国家开展了许多年,但仍然有很多的问题亟待解决,如碳纳米管作为阴极发射材料的发射均匀性、开启电场、栅极结构的制作、荧光屏制作、真空封装等困难。本文研究了碳纳米管场发射器件的几种结构、特性及其制作工艺,重点阐述了前栅极结构碳纳米管场发射显示器件中在栅极制作和阴极材料装配的瓶颈,并提出了一种栅极制作和阴极保护的方法,并运用此方法在实验室制作了三极结构器件进行验证,有效地解决了制作前栅极结构的困难,为制作大面积碳纳米管场发射显示屏提供了可行性方案。     

碳纳米管脉冲式场发射中所存在的尖峰及其解决方法

从电路负载方面考虑,将二级平板式碳纳米管场发射结构看做一个电容和可变电阻的并联结构。根据测试数据计算出电容值在皮法级,可变电阻在兆欧到千欧变化。通过电路仿真,分析了此结构在脉冲式下的负载特性。以此得出在脉冲前沿和后沿产生尖峰的原因。根据仿真结构提出增加RLC和二极管来消除尖峰的方法。实验证明,整体负载特性的改变使得发生发射结构上的脉冲尖峰基本得到消除。