电弧等离子体法在纳米材料制备中的应用

电弧等离子体法可广泛用于多种纳米粉末、纳米管及纳米薄膜的制备.介绍了电弧等离子体法制备纳米材料的基本工作原理及其在制备各种纳米材料的应用,分析了电弧等离子体法的特点与优势,并展望了其发展前景.     

CoSb3基Skutterudite化合物拉曼光谱研究

Skutterudite材料因具有特殊的晶体结构成为当前最有前途的热电材料之一,为深入研究填充Skutterudite化合物的热传导机制,对化合物的声子振动模式及置换、填充原子对声子模的影响进行了研究.通过对CoSb3,Co3.5Fe0.5Sb12的偏振拉曼谱研究,确认了一个Ag模,且与理论计算吻合较好.对CoSb3,Co3.5Fe0.5Sb12和La0.6Co3.5Fe0.5Sb12拉曼谱的对比研究表明,单纯Fe置换对拉曼谱影响很小,而La部分填充则使部分拉曼峰明显展宽,分析认为,这一现象主要源于填充原子在晶格空隙中的扰动.     

含Nb微合金钢Q345E静态再结晶行为研究

利用Thermecmastor-Z热模拟机进行双道次压缩试验,研究了含Nb微合金钢Q345E在不同变形温度和道次间隙时间内的静态再结晶(SRX)行为。结果表面:不同变形温度下静态再结晶软化分数呈典型的S型曲线,符合Avrami规律。当变形温度较低时,静态再结晶进行较慢,完成的时间较长;在高变形温度条件下,静态再结晶进行较快,完成的时间较短。通过回归法计算的Avrami指数n平均值为0.94,预测的软化分数和测量的软化分数较吻合。     

低温取向硅钢初次再结晶织构及晶界特征分析

应用EBSD技术对低温取向硅钢初次再结晶样品表层、次表层及中心层微观组织进行了研究并基于HE与CSL晶界理论对各层的晶界特征分布进行了分析。结果表明:各层初次再结晶织构以γ织构及{114}〈418〉织构为主,Goss晶粒主要分布在表层与次表层,平均晶粒尺寸由表层至中心层逐渐减小。基体与Goss晶粒取向差分布主要集中在能构成高能晶界关系的20°~45°间,并且次表层所占比例最高。基体中CSL晶界类型以∑3为主,在Goss晶粒周围分布着极少量的∑5、∑7、∑9晶界。