三相PWM整流器的小信号建模及其双闭环控制

采用开关函数描述的三相PWM整流器的数学模型为非线性模型,控制器的设计比较困难。利用开关周期平均法建立三相电压型PWM整流器(VSR)的平均模型,扰动分离后分别得到稳态模型和小信号模型,其小信号模型即为线性时不变模型。基于小信号模型设计了电压外环和电流内环的PI控制器。最后通过Matlab仿真验证了小信号建模和控制器设计的正确性。     

智能芯片SA866AE在变频电源中应用

介绍智能功率芯片SA866AE三相PWM波形发生器的功能、特点、工作原理及其在变频电源上的应用,提出高功率的变频电源设计方案,有效解决大功率IGBT的控制问题,并简化电路设计.     

大型四角切圆锅炉后烟道前墙上部悬吊拉稀光管爆漏原因分析

湖南益阳电厂#2炉后水冷壁延伸拉稀管在机组试运调试阶段发生爆漏。经分析,爆漏原因为共振引起疲劳失效,此类振动疲劳损坏也曾在多台300 MW机组锅炉的后烟道前墙上部悬吊拉稀光管上发生,通过采取分组加固措施,可防止发生类似爆漏,效果明显。     

基于STM32的FSMC接口驱动TFT彩屏设计

TFT-LCD技术是微电子技术和LCD技术巧妙结合的高新技术。随着人们对图像清晰度、刷新率、保真度的要求越来越高,TFT-LCD的应用范围越来越广。介绍了TFT数字彩屏的工作原理,利用STM32处理器的FSMC接口设计出了一种能直接驱动数字液晶屏的方法。设计的硬件电路和软件程序均能对显示控制芯片进行有效的控制。在实际应用中显示清晰流畅,并且CPU有足够的时间来处理用户程序。该方案能成功应用在电脑横机的人机界面显示中,且其硬件电路结构简单、控制方式灵活、对于其他型号的接口芯片也能提供参考。     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性．具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□．经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成．Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃．Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1．     

Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究

对比研究了夹层结构N i/P t/N i分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性。实验结果表明,在600~800°C范围内,掺P t的N iS i薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C。依据吉布斯自由能理论,对在N i(P t)S i薄膜中掺有2%和4%的P t样品进行了分析。结果表明,掺少量的P t可以推迟N iS i向N iS i2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性。最后,制作了I-V特性良好的N i(P t)S i/S i肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的P t改善了N iS i肖特基二极管的稳定性。     

一种基于粒子群算法的二自由度PID控制器优化设计

粒子群算法在解决复杂问题的优化设计上具有算法简单,计算速度快的优点,将粒子群算法引入到二自由度PID控制器的参数整定中,用于改进二自由度PID控制器参数整定的效率并进行了仿真实验,仿真结果表明,系统同时具有了最优的目标值跟踪特性和干扰抑制特性.     

致密气采出水回注处置技术探讨

针对致密气在开采过程中产生的采出水成分较复杂、盐度高、处理成本高等问题,对采出水的处理处置方式进行了对比分析,其中采取回注地层方式处置高盐采出水得到业界普遍认可。针对采出水回注过程可能出现的腐蚀、结垢问题及其成因进行分析,并综述了近年来回注处理的防腐降垢策略。最后对致密气采出水回注地层的处置技术的发展趋势进行了展望。     

基于“云平台+微服务”架构的智能客服平台构建

针对目前智能客服发展过程中遇到的多模态拟人化人机交互平台建设问题,通过研究云化和微服务化封装技术体系,对语义理解、拟人对话、知识迁移等关键技术进行封装,提出“云平台+微服务”架构构建具备反馈式学习能力的智能客服平台,平台工程化形成可视化交互、智能问答、智能检索等组件,并云化及微服务化形成办事咨询、智能检索等功能模块。     

标准化辅助编写工具的设计与实现

针对航天技术文件流转过程中出现的章节编号和字体格式不正确、图表编号和公式列项不连续等问题,采用Visual Studio Tools for Office和Word文档对象技术开发设计实现标准化辅助编写工具。该工具提供了文件样式的快速插入和审查等功能,提高了文件编写效率和审查效率。