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21.
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9. 相似文献
22.
23.
An InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistor(SHBT) with high maximum oscillation frequency (f_(max)) and high cutoff frequency(f_t) is reported.Efforts have been made to maximize f_(max) and f_t simultaneously including optimizing the epitaxial structure,base-collector mesa over-etching and base surface preparation.The measured f_t and f_(max) both reached 185 GHz with an emitter size of 1×20μm~2,which is the highest f_(max) for SHBTs in mainland China.The device is suitable for ultra-high spee... 相似文献
24.
水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长 总被引:3,自引:0,他引:3
建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660aresee。 相似文献
25.
26.
对用LEO技术生长GaN材料的选择生长和横向生长速率进行了实验研究。结果表明,作为LEO生长基板的GaN层的表面质量是实现选择生长的关键,而图形方向对横向生长速率与纵向生长速率之比(L/V)也有重要的影响。通过选择合适的工艺条件,实现了GaN材料的LEO外延生长,所得样品的X射线衍射峰宽比用常规MOCVD法生长的样品减小了1/3。 相似文献
27.
28.
针对铅锌矿选厂人工简单处理废水带来的水质差、指标不稳定、无法连续回用等问题,设计了一种高效的选矿废水处理自动化系统。根据废水的处理方法为沉淀-石灰中和法-曝气法工艺,采用了先进的自动化集成系统,并通过多种算法优化各项环节的PID控制系统,使选矿废水稳定达到废水排放指标,并循环利用了可回收矿物泥以及水资源,最后,设计整体的自动化监控系统软件,提升废水处理的管理水平。以某铅锌矿选矿为例进行工程应用,结果表明,废水处理过程的全面自动化进行工程应用,降低人力成本,出水水质达标,可以为偏僻的矿山实现了水的循环使用,保证了生产的稳定。 相似文献
29.
采用金属银(Ag)做为高反射镀膜材料,ZrO2介质膜作为与激光器端面的绝缘层和Ag保护膜,在激光器后腔面实现了高反射涂层。经激光器光电特性测试表明,该高反射膜系能使激光器输出功率提高60%,阈值电流减小20%~50%,并且具有良好的化学稳定性、热稳定性和机械强度,能有效保护半导体激光器后腔面。 相似文献
30.
综述了精馏系统中多目标的优化问题,分析列举了人工神经网络、正交设计、响应面、遗传算法和粒子群算法在精馏系统多目标优化中的应用,旨在总结精馏系统中的优化算法,寻求最优操作条件的解法,为精馏塔的多目标优化提供参考。结果表明,针对于目前精馏系统的复杂多变性及混合规划问题,这些算法可以很好地对精馏系统进行建模,预测精馏模型,预测值与模拟值拟合较好,有较高的精度。且可用于求解精馏过程中的最优操作条件,降低系统的不可逆性,实现了精馏系统的节能优化,提高了产品质量,降低了能耗。最后指出了多目标优化精馏系统方法的可行性,也表明在实际生产中将多种优化算法相结合进行多步优化的可行性。 相似文献